Проявление и окончательная термообработка слоя фоторезисторов
Процесс проявления для фоторезистов. Процесс проявления несшитих участков слоя. Химическая реакция превращения инденкарбоновых кислот в растворимые соли. Чувствительность фоторезистов ультрафиолетовой области. Контакт фотошаблона с фоторезистом в ваккуме.
| Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
| Вид | реферат |
| Язык | русский |
| Дата добавления | 20.02.2014 |
| Размер файла | 197,6 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Подобные документы
Производство полупроводникового кремния. Действие кремниевой пыли на организм. Защита органов дыхания. Литография как формирование в активночувствительном слое, нанесенном на поверхность подложек, рельефного рисунка. Параметры и свойства фоторезистов.
курсовая работа [23,8 K], добавлен 09.03.2009Технология полупроводникового производства. Сущность процесса фотолитографии. Светочувствительность, разрешающая способность и кислотостойкость фоторезистов. Адгезия фоторезиста к подложке. Фотошаблоны и способы их получения. Требования к фоторезистам.
курсовая работа [1,3 M], добавлен 22.02.2012Внешний вид ряда датчиков: света, давления, температуры, скорости, перемещения. Перечень разновидностей фоторезисторов и перечисление области их применения. Внешний вид и принципиальная схема работы лабораторного стенда "Исследование фоторезисторов".
презентация [3,2 M], добавлен 14.03.2011Технология изготовления платы фильтра. Методы формирования конфигурации проводящего, резистивного и диэлектрического слоя. Выбор установки его напыления. Расчет точности пленочных элементов микросхем и режимов изготовления тонкопленочных резисторов.
контрольная работа [359,2 K], добавлен 25.01.2013История изобретения транзисторов, их классификация. Изобретение интегральной схемы Джеком Килби. Процесс изготовления микросхем методом фотолитографии и применением ультрафиолетовой технологии. Контроль их качества. Конструктивные варианты микросхем.
презентация [5,2 M], добавлен 06.10.2014Фотоэлектрические приемники лучистой энергии. Электрические, фотоэлектрические и оптические свойства материалов. Фоторезисторы, их свойства и принцип работы. Световые характеристики фоторезисторов. Энергетический спектр валентных электронов в материалах.
реферат [1,3 M], добавлен 15.01.2015Основные функциональные блоки. Процесс, моделирующий работу модема во время установления соединения с модемом провайдера. Выделение компонент, на основе которых строится множество ситуаций. Запрос на поиск драйвера в базе драйверов. Построение сети Петри.
контрольная работа [102,1 K], добавлен 14.04.2011Теоретические основы проектирования полосового фильтра на сосредоточенных элементах. Метаматериалы и их использование в электронике. Типы элементов частотно-селективных поверхностей. Настройка резонансной частоты добавлением промежуточного слоя пластин.
дипломная работа [1,7 M], добавлен 17.10.2016Линейность - важная характеристика, определяющая точность реализации фильтром заданной функции. Принципиальный источник нелинейности, обусловленный нелинейной зависимостью заряда обеденного слоя от поверхностного потенциала и от потенциала затвора.
реферат [132,0 K], добавлен 25.12.2008Компоненты вычислительных устройств. Повышение процессов обработки информации. Получение конструкции трехмерного транзистора. Уменьшение размера транзистора. Уменьшение емкости транзистора путем добавления слоя диэлектрика. Использование SOI-транзисторов.
статья [298,1 K], добавлен 08.05.2014Проектирование малошумящего полевого транзистора с затвором Шоттки. Расчет геометрических размеров конденсаторов и резисторов. Разработка технологии изготовления кристалла. Создание защитного слоя диэлектрика, проводящих дорожек и контактных площадок.
курсовая работа [5,8 M], добавлен 19.01.2016Контакт полупроводника с полупроводником. Понятие, структура и методы создания p-n-переходов. Особенности поведения электрона с учетом спина в электрическом поле. Распределение примеси и носителей заряда в полупроводнике. Время диэлектрической релаксации.
курсовая работа [1,4 M], добавлен 03.12.2010Принцип действия полупроводниковых диодов, свойства p-n перехода, диффузия и образование запирающего слоя. Применение диодов в качестве выпрямителей тока, свойства и применение транзисторов. Классификация и технология изготовления интегральных микросхем.
презентация [352,8 K], добавлен 29.05.2010Базовые звенья многослойной печатной платы. Сигнальные и потенциальные слоя, симметричные и несимметричные линии передачи. Значение волнового сопротивления. Толщина звена при однополярном и разнополярном наборах. Количество прокладок между слоями.
курсовая работа [1,5 M], добавлен 06.08.2013Процесс производства печатных плат. Методы создания электрических межслойных соединений. Химическая и электрохимическая металлизация. Контроль качества химического меднения. Растворы для тонкослойного и меднения. Виды брака на линии химического меднения.
курсовая работа [2,2 M], добавлен 14.05.2011Камеры видеонаблюдения: разрешение и чувствительность, автоматическая регулировка усиления. Кратность увеличения, светосила, диафрагма. Архитектура и принцип работы видеосервера. Аксессуары для термокожуха: бюлок питания, нагреватель, очиститель.
дипломная работа [4,4 M], добавлен 20.05.2013Фоторезисты и их свойства. Травление подложки с защитным рельефом и удаление защитного рельефа. Формирование слоя фоторезиста и защитного рельефа. Организация производства фотолитографического процесса. Изготовление высококачественных фотошаблонов.
реферат [127,9 K], добавлен 27.03.2010Основные контролируемые параметры электронно-оптических преобразователей (ЭОП). Интегральная чувствительность (чувствительность с фильтром) фотокатода, коэффициент преобразования, предел разрешения, рабочее разрешение, электронно-оптическое увеличение.
реферат [427,5 K], добавлен 26.11.2008Процесс преобразования аналогового сигнала в цифровой. Шаг дискретизации, его взаимосвязь с формой восстановленного сигнала. Сущность теоремы Котельникова. Процесс компандирования, его стандарты. Системы передачи информации с импульсно-кодовой модуляцией.
презентация [190,4 K], добавлен 28.01.2015Вибір і обґрунтування кількості шарів, основних розмірів і товщини плати. Розрахунок мінімального і максимального діаметра вікна фотошаблона, який використовується для її виготовлення хімічним способом. Розміщення радіотехнічних монтажних елементів.
курсовая работа [560,5 K], добавлен 19.08.2014
