Основи напівпровідникової електроніки
Напівпровідникові діоди і транзистори. Тунельні діоди й їх параметри. Біполярні і польові транзистори. Генератори і підсилювачі на напівпровідникових приладах. Фізичні основи квантових приладів й енергетичні спектри. Квантові прилади оптичного діапазону.
| Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
| Предмет | Основи електроніки |
| Вид | учебное пособие |
| Язык | украинский |
| Прислал(а) | incognito |
| Дата добавления | 09.07.2013 |
| Размер файла | 257,5 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Подобные документы
Фізичні властивості електроніки. Електрофізичні властивості напівпровідників. Пасивні елементи електроніки, коливальні контури, їх використання. Кремнієві стабілітрони: будова, принцип дії, галузі використання. Напівпровідникові діоди, схеми з’єднання.
учебное пособие [7,5 M], добавлен 16.10.2009Фізичні основи будови та принцип дії напівпровідникових приладів. Класифікація та характеристики підсилювальних каскадів. Структурна схема та параметри операційних підсилювачів. Класифікація генеруючих пристроїв. Функціональні вузли цифрової електроніки.
курсовая работа [845,3 K], добавлен 14.04.2010Технічна характеристика будови, принципу роботи і сфера застосування діодів – двоелектродного електронного приладу що володіє різною провідністю залежно від напряму струму. Пристрій і характеристика транзисторів і їх активної міжелектродної провідності.
реферат [420,1 K], добавлен 14.10.2010Сутність і властивості напівпровідників, їх види. Основні недоліки напівпровідникових приладів, їх типи. Характеристика двохелектродної лампи-діода, її принцип роботи. Опис тріода, транзистора. Сфера використання фоторезистора, тетрода, світлодіода.
презентация [2,5 M], добавлен 06.06.2013Властивості напівпровідникового матеріалу в транзисторах Шотткі. Структура, принцип дії польових транзисторів із затвором. Підсилювачі потужності, генератори. Електрофізичні параметри елементів приладу. Розрахунок напруги відсікання і насичення.
курсовая работа [640,7 K], добавлен 13.12.2011Розрахнок підсилювача імпульсних сигналів на транзисторах. Вибрані транзистори і прийнята схема забезпечують отримання заданих параметрів без застосування високочастотної корекції. Кількість підсилювальних каскадів є оптимальною з технічних міркувань.
реферат [666,1 K], добавлен 18.01.2011Властивості, характеристики та параметри сучасних електронних приладів. Принципи побудови найпростіших електронних пристроїв. Властивості та способи розрахунку схем. Вольтамперні характеристики напівпровідникових діодів, біполярних та польових транзисторі
контрольная работа [282,4 K], добавлен 27.04.2011Цифрові вимірювальні прилади. Аналого-цифрове перетворення та три операції його виконання – дискредитація, квантування та цифрове кодування вимірюваної величини. Щільність розподілу похибки квантування. Класифікація цифрових вимірювальних приладів.
учебное пособие [259,0 K], добавлен 14.01.2009Електронна лампа, яка генерує мікрохвилі при взаємодії потоку електронів з магнітним полем. Характеристики та параметри магнетронів. Генератори надвисоких частот. Принцип роботи магнетрона. Параметри і характеристики багаторезонаторних магнетронів.
реферат [1,3 M], добавлен 16.12.2011Особливості застосування силових транзисторів IGBT і MOSFET, які стали основними елементами, вживаними в могутніх імпульсних перетворювачах. Технічні характеристики драйверів для захисту від перевантажень: драйвер трьохфазного моста та нижнього плеча.
реферат [231,5 K], добавлен 06.11.2010