Основные параметры интегральных микросхем
Параметры и виды полупроводниковых и гибридных интегральных микросхем. Создание плёночных ИМС. Основные характеристики микроэлектронных изделий. Методы, применяемые для формирования конфигураций проводящего, резистивного и диэлектрического слоев.
| Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
| Предмет | Электроника |
| Вид | реферат |
| Язык | русский |
| Прислал(а) | Саша |
| Дата добавления | 22.03.2013 |
| Размер файла | 17,4 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Подобные документы
Схемотехнические параметры. Конструктивно–технологические данные. Классификация интегральных микросхем и их сравнение. Краткая характеристика полупроводниковых интегральных микросхем. Расчёт полупроводниковых резисторов, общие сведения об изготовлении.
курсовая работа [3,8 M], добавлен 13.01.2009Выпуск и применение интегральных микросхем. Конструирование и технология толстопленочных гибридных интегральных микросхем. Коэффициент формы резисторов. Защита интегральных микросхем от механических и других воздействий дестабилизирующих факторов.
курсовая работа [234,5 K], добавлен 17.02.2010Методика конструирования и технология толстопленочных гибридных интегральных микросхем, характеристика основных технологических операций и принципы выбора материала. Порядок расчета конденсаторов разрабатываемых микросхем, выбор и характеристика корпуса.
курсовая работа [261,9 K], добавлен 08.03.2010Анализ технологии изготовления плат полупроводниковых интегральных микросхем – такого рода микросхем, элементы которых выполнены в приповерхностном слое полупроводниковой подложки. Характеристика монокристаллического кремния. Выращивание монокристаллов.
курсовая работа [2,0 M], добавлен 03.12.2010Микроэлектронные технологии производства больших интегральных микросхем и их логические элементы. Нагрузочные, динамические параметры, помехоустойчивость переходов микросхем с одноступенчатой логикой и их схемотехническая реализация на транзисторах.
реферат [985,0 K], добавлен 12.06.2009Изучение современных тенденций в области проектирования интегральных микросхем и полупроводниковых приборов. Анализ алгоритма создания интегральных микросхем в среде Cadence Virtuoso. Реализация логических элементов с использованием NMOS-транзисторов.
курсовая работа [1,4 M], добавлен 08.11.2013Расчёты показателей надёжности изделий электронной техники при заданных условиях. Защита микросхем от внешних дестабилизирующих факторов: температуры и влажности. Обеспечение теплового режима работы интегральных микросхем (гибридных и полупроводниковых).
курсовая работа [408,3 K], добавлен 19.03.2012Этапы проектирование полупроводниковых интегральных микросхем. Составление фрагментов топологии заданного уровня. Минимизация тепловой обратной связи в кристалле. Основные достоинства использования ЭВМ при проектировании топологии микросхем и микросборок.
презентация [372,7 K], добавлен 29.11.2013Методы формирования и виды электронно-дырочных переходов. Классификация и маркировка транзисторов. Устройство полупроводниковых интегральных гибридных микросхем. Аноды и сетки электронных ламп. Питание цепей усилителя и стабилизация рабочей точки.
контрольная работа [4,4 M], добавлен 19.02.2012Разработка программно-аппаратного комплекса (микропроцессорного контроллера) для тестирования интегральных микросхем. Функциональный контроль по принципу "годен" - "не годен". Параметры микроконтроллера КМ1816ВЕ51. Блок-схема алгоритма работы контроллера.
курсовая работа [307,1 K], добавлен 16.07.2009
