Разработка канала определения поляризации принимаемых ЭМВ для станции помех индивидуальной защиты бортового комплекса обороны самолета дальней авиации

Характеристика бортовых комплексов обороны (БКО) самолетов дальней авиации. Выбор и обоснование структурной схемы БКО. Разработка схемы канала определения поляризации принимаемых электромагнитных волн. Расчет устройства обработки принимаемых сигналов.

Рубрика Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника
Вид курсовая работа
Язык русский
Дата добавления 03.12.2011
Размер файла 2,9 M

Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже

Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.

.

Таким образом, видно что возрастание привело к значительному увеличению коэффициента подавления, а следовательно и повысило эффективность подавления.

Заключение

Заданием на курсовой проект предусматривалось разработать канал определения поляризации принимаемых ЭМВ для станции помех индивидуальной защиты бортового комплекса обороны самолета дальней авиации.

В ходе дипломного проектирования были выбраны и обоснованы:

- структурная схема бортового комплекса обороны;

- структурная схема станции помех индивидуальной защиты.

Также в дипломном проекте были разработаны:

- функциональная схема канала определения поляризации принимаемых ЭМВ;

- принципиальная схема канала определения поляризации (расчет ВЧ - тракта и устройства обработки принимаемых сигналов).

По окончании дипломного проектирования была произведена оценка эффективности разработанного канала определения поляризации принимаемых ЭМВ, которая показала, что использование данного канала в составе станции помех индивидуальной защиты значительно повышает эффективность подавления РЛС ПВО, при преодолении воздушными суднами противо - воздушной обороны противника, а соответственно значительно повысить вероятность выполнения поставленной боевой задачи.

Приложение

Обозначение

Наименование

Кол-

во

Примечание

Резисторы

R1,R2

ОМЛТ-0,5-1МОм10% ГОСТ 7113-77

1

R3,R6

МЛТ-0,5-100Ом10% ГОСТ 7113-77

2

R4

ОМЛТ-0,5-30кОм10% ГОСТ 7113-77

1

R5

ОМЛТ-0,5-20кОм10% ГОСТ 7113-77

1

R7

ОМЛТ-0,5-100кОм10% ГОСТ 7113-77

1

R8

МЛТ-0,5-10Ом10% ГОСТ 7113-77

1

R9,R10

ОМЛТ-0,5-5Ом10% ГОСТ 7113-77

2

Конденсаторы

С1,С3

К15-12-1пФ10%

2

С2

К15-13-100пФ10%

1

С4

К15-13-20пФ10%

1

Диоды

VD1…VD4

Д602А ТТЗ.362.015.ТУ

4

VD5…VD8

Д403Б ТТЗ.362.095.ТУ

4

Транзисторы

VT1

2П310А

1

VT2

2П350А

1

Микросхемы

DA1,DA2

153УД2

2

Размещено на Allbest.ru


Подобные документы

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.