Ионно-плазменные методы формирования тонкопленочных покрытий
Достоинства ионно-плазменного нанесения, его отличие от термовакуумного процесса. Устройства катодного распыления на постоянном токе, основные элементы магнетронных распылительных систем. Отличительные особенности осаждения пленок из ионных пучков.
Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
Предмет | Микроэлектроника |
Вид | курсовая работа |
Язык | русский |
Прислал(а) | Алексей |
Дата добавления | 17.05.2011 |
Размер файла | 276,8 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Подобные документы
Ионно-плазменные методы получения тонких пленок. Конструктивные особенности установки катодного распыления. Характеристики и применение тонких пленок, полученных методом ионного распыления, последовательность процесса. Достоинства и недостатки метода.
курсовая работа [1,0 M], добавлен 17.12.2014- Центр электронных технологий и технической диагностики технологических сред и твердотельных структур
Организационная структура Центра технической диагностики. Технологии ионно-лучевого и ионно-плазменного формирования тонких пленок. Магнетронная распылительная система. Изучение конструкции и принципа действия. Нормативно-техническая документация.
отчет по практике [683,4 K], добавлен 07.08.2013 Изучение требований, предъявляемых к тонкопленочным резисторам. Физическая природа удельного электрического сопротивления пленок. Изучение методов осаждения пленок. Способы конструирования тонкопленочных резисторов. Выбор геометрии и площади резистора.
реферат [3,2 M], добавлен 07.11.2010Каталитические и некаталитические реакции, метод анодирования, метод электрохимического осаждения пленок для интегральной электроники. Сущность метода газофазного осаждения для получения покрытия из AlN. Физикохимия получения пленочных покрытий.
курсовая работа [362,8 K], добавлен 29.04.2011Метод магнетронного распыления материалов. Элементы магнетронной системы и её схема. Скорость распыления материала при ионной бомбардировке и влияющие на неё факторы. Теория Зигмунда и расчёт коэффициента распыления. Модель кольцевого испарителя.
контрольная работа [261,0 K], добавлен 17.06.2012Разработка и изготовление устройства магнетронного получения тонких пленок. Пробное нанесение металлических пленок на стеклянные подложки. Методы, применяемые при распылении и осаждении тонких пленок, а также эпитаксиальные методы получения пленок.
курсовая работа [403,6 K], добавлен 18.07.2014Техника электроэрозионной и токовой подгонки тонкопленочных резисторов. Обработка пленок в тлеющем разряде. Подгонки тонкопленочных конденсаторов. Анодирование и анодное оксидирование. Электронные и ионные методы подгонки. Лазерная обработка пленки.
лабораторная работа [465,5 K], добавлен 01.02.2014Краткие технические сведения об изделии КР1095 ПП1, назначение вводов и выводов, процесс изготовления. Роль соединительной металлизации в производстве интегральных систем и механизмы отказов в результате электромиграции. Разработка магнетронных систем.
дипломная работа [1,1 M], добавлен 25.05.2009Вольтамперная характеристика выпрямительного диода на постоянном токе для прямой ветви. Схема диода Шоттки с осциллографом на переменном токе. Изучение диодных ограничителей с нулевыми пороговым значением. Схема диодных ограничителей со стабилитронами.
лабораторная работа [902,0 K], добавлен 08.06.2023Ознакомление с современным состоянием развития электрофизических методов обработки. Характеристика роботизированных установок для напыления тонкослойных покрытий на поверхность матового листового материала и для нанесения покрытий на диэлектрики.
контрольная работа [74,0 K], добавлен 20.05.2010