Таблица №П.6.2.

6.3 Построение ЛАХ Т(f)

Построение некорректированной ЛАХ Т(f).

Некорректированная характеристика на средних частотах рабочего диапазона (верхняя граница на рис.6.1) определяется разностью коэффициентов усиления усилителей при выключенной и включенной ОС:

20lgT 20lgF = 20lgK - 20logKF(1 + R1/Rвх)/ (1 + R1/Rвх F); (6.5).

20lg15793,4 - 20lg60(1+150/114,7)/(1 + 150/150) = 46,07483 дБ.

Для определения ЛАХ T(f) во всем контролируемом диапазоне частот следует продолжить построение этой характеристики до соединения с асимптотой, увеличивая, ее наклон на 6 дБ/окт на частотах полюсов (соответственно Р1, Р2). Если К - цепь содержит четное и общая ОС строится по схеме рис.5.1, то выходной транзистор оказывается включенным в петлю ОС по схеме ОК, частотные свойства которой значительно лучше, чем схемы ОЭ. Это свойство следует учесть при построении некорректированной ЛАХ T(f), принимая частоту полюса выходного каскада ориентировочно равной fp2 (0,6…0,8)fT2.

Проводится линия уровня минимально требуемой глубины ОС

20lgFmin = 20lgF,

20lgF = 37,50123 дБ.

Проводится асимптота с наклоном -N6 дБ/окт через точку с координатами:

(fт ср, -АТ, дб) = (547 722 557,51; 4,75 дБ);.

На асимптоте, на уровне выбранного запаса устойчивости по модулю х = -10 дБ отмечается точка пересечения асимптоты со ступенькой, определяющая частоту конца ступеньки fc.

По частоте fc находится частота начала ступеньки fd из условия ориентировочной длины ступеньки 1,5…3 октавы (fd fc/(3…8)). Между частотами fd и fc вычерчивается ступенька на уровне - х = -10 дБ.

От начала ступеньки (на частоте fd) проводится луч с наклоном -12(1 - у) дБ/окт до частоты fВ/2 и ордината конца луча определяет уровень Амах в рабочем диапазоне частот.

Более точно ширина ступеньки и значение Амах могут быть рассчитаны по формулам :

fc = fТ ср100,05(х - Ат)/N = 1 833 737 934,55 Гц.

fd = 2(1 - у)3600/(2z)2;

;

Здесь

_z = a + н + п ,

где a, н, п - коэффициенты линейного фазового сдвига асимптоты, нелинейной фазы транзисторов и петли ОС. Они определяются соответственно положением асимптоты, параметрами транзисторов и конструкцией усилителя.

; град/МГц.

; град/МГц.

; град/МГц.

где l = 10 см длина петли ОС в см,

С = 31010 см/с - скорость распространения электромагнитных колебаний,

_i - диэлектрическая проницаемость материала платы.

fd = 100 МГц.

Амах = 65,65 дБ.

Вычерчиваем постоянное значение уровня Амах до частоты fВ линия Амах соединяется с линией оптимального наклона в диапазоне частот fВ … 2 fВ плавной как показано на рис. 6.1.

7. Составление принципиальной схемы

При составлении полной принципиальной схемы усилителя необходимо наиболее рационально скомпоновать и соединить между собой функциональные узлы усилителя (К - цепь, входную и выходную цепи, цепь ОС), схемы которых были рассчитаны в предыдущих разделах.

Блокировочные конденсаторы в эмиттерных цепях транзисторов Сэ, устраняющие местную ОС по сигналу, рассчитываются из условия пренебрежимо малого сопротивления по сигналу вплоть до нижней частоты рабочего диапазона:

Сэ (3…5)(h21Rэ + RГ + h11)(fHRЭ)(RГ + h11).

Таким образом, найдем СЭ для первого каскада:

СЭ1 = 3,6 мкФ.

СЭ2 = 3 мкФ.

Значение емкостей конденсаторов уже подобранны по ГОСТу.