Оптроны и их применение

Анализ элементной базы (фотоприемники, излучатели, иммерсионная среда), процессов преобразования энергии, принципиальных возможностей, областей применения оптронов. Характеристика диодных, транзисторных, дифференциальных оптопар и интегральных микросхем.

Рубрика Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника
Предмет Радиоэлектроника
Вид курсовая работа
Язык русский
Прислал(а) seregabox
Дата добавления 16.12.2009
Размер файла 559,1 K

Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже

Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.


Подобные документы

  • Выпуск и применение интегральных микросхем. Конструирование и технология толстопленочных гибридных интегральных микросхем. Коэффициент формы резисторов. Защита интегральных микросхем от механических и других воздействий дестабилизирующих факторов.

    курсовая работа [234,5 K], добавлен 17.02.2010

  • Основные виды структур ИМС. Гибридные и совмещенные интегральные микросхемы. Факторы, ограничивающие степень интеграции. Причины, ограничивающие минимальные размеры интегральных микросхем. Микросборка оптоэлектронных ИМС. Метод элементной избыточности.

    реферат [1,2 M], добавлен 23.06.2010

  • Изучение современных тенденций в области проектирования интегральных микросхем и полупроводниковых приборов. Анализ алгоритма создания интегральных микросхем в среде Cadence Virtuoso. Реализация логических элементов с использованием NMOS-транзисторов.

    курсовая работа [1,4 M], добавлен 08.11.2013

  • Операционный усилитель как один из широко распространенных интегральных микросхем. Применение усилителя постоянного тока для повышения качества и интенсивности сигналов. Исследование возможностей его применения для их сложения, в качестве интегратора.

    лабораторная работа [243,6 K], добавлен 30.04.2014

  • Анализ технологии изготовления плат полупроводниковых интегральных микросхем – такого рода микросхем, элементы которых выполнены в приповерхностном слое полупроводниковой подложки. Характеристика монокристаллического кремния. Выращивание монокристаллов.

    курсовая работа [2,0 M], добавлен 03.12.2010

  • Методика конструирования и технология толстопленочных гибридных интегральных микросхем, характеристика основных технологических операций и принципы выбора материала. Порядок расчета конденсаторов разрабатываемых микросхем, выбор и характеристика корпуса.

    курсовая работа [261,9 K], добавлен 08.03.2010

  • Развитие современной микроэлектронной элементной базы. Номенклатура микросхем регистров. Цифровые устройства последовательного типа. Общее представление о триггерах. Регистр, как устройство выполнения функции приема, хранения и передачи информации.

    контрольная работа [242,1 K], добавлен 25.03.2015

  • Микроэлектронные технологии производства больших интегральных микросхем и их логические элементы. Нагрузочные, динамические параметры, помехоустойчивость переходов микросхем с одноступенчатой логикой и их схемотехническая реализация на транзисторах.

    реферат [985,0 K], добавлен 12.06.2009

  • История разработки и использования интегральных микросхем. Выбор элементной базы устройства. Синтез электрической принципиальной схемы: расчет усилительных каскадов на транзисторах, параметры сумматора, инвертора, усилителя, дифференциатора и интегратора.

    курсовая работа [1,9 M], добавлен 25.11.2010

  • Обоснование архитектуры радиоприемника. Расчет частотного и энергетического планов. Выбор элементной базы. Проектирование преселектора радиоприемника. Расчет МШУ по постоянному току и на основе S-параметров. Использование интегральных микросхем.

    курсовая работа [1,2 M], добавлен 12.05.2015

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.