Проектирование топологии ИМС

Этапы разработки схемы топологии полупроводниковой ИМС. Конструктивно-технологические ограничения при разработке на биполярных транзисторах. Минимально допустимые размеры. Правила проектирования изолированных областей, учет их количества и размеров.

Рубрика Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника
Предмет Радиоэлектроника
Вид реферат
Язык русский
Прислал(а) redslive
Дата добавления 13.06.2009
Размер файла 737,1 K

Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже

Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.


Подобные документы

  • Конструктивные и технологические ограничения, которые учитываются при разработке топологии интегральной микросхемы на биполярных транзисторах, схемотехнические параметры. Порядок расчета полупроводниковых резисторов, общие сведения об их изготовлении.

    курсовая работа [1,8 M], добавлен 26.05.2010

  • Этапы проектирование полупроводниковых интегральных микросхем. Составление фрагментов топологии заданного уровня. Минимизация тепловой обратной связи в кристалле. Основные достоинства использования ЭВМ при проектировании топологии микросхем и микросборок.

    презентация [372,7 K], добавлен 29.11.2013

  • Классификация ЛЭ двухступенчатой логики на биполярных транзисторах. Транзисторно-транзисторные ИМС (TTL). Базовая схема элемента T-TTL, его модификации. Характеристика ЛЭ на полевых МДП-транзисторах. Сравнение ЛЭ на биполярных и МДП-транзисторах.

    реферат [1,8 M], добавлен 12.06.2009

  • Расчет элементов схемы несимметричного мультивибратора на полевых транзисторах с управляющим p-n переходом и каналом p-типа. Исследование типичных форм прямоугольных колебаний. Построение временных диаграмм мультивибратора на биполярных транзисторах.

    контрольная работа [1,0 M], добавлен 21.09.2016

  • Характеристика свойств и принципов действия усилителей низкой частоты на биполярных транзисторах. Основные методики проектирования и расчета генераторов колебаний прямоугольной формы с управляемой частотой следования импульсов. Эскиз источника питания.

    курсовая работа [56,0 K], добавлен 20.12.2008

  • Методы оптимизации кольцевой топологии локальной вычислительной линии и топологии типа общая шина-звезда. Разбиение рабочих станций на группы, расположение концентраторов в "центрах тяжести" групп. Расчет расстояния между парами точек по теореме Пифагора.

    контрольная работа [299,2 K], добавлен 16.01.2015

  • Методика расчета геометрических размеров элементов схемы широкополосного усилителя, его основные конструктивные и технико-эксплуатационные характеристики. Особенности конструирования и анализ эскиза топологии усилителя с помощью пакета программ AutoCAD.

    курсовая работа [324,3 K], добавлен 01.11.2010

  • Описание принципа работы И-НЕ схемы на n-МОП транзисторах, расчет параметров ее элементов, изображение ее топологии. Технологический процесс для n-канального МОП-прибора с металлическим затвором. Произведение вычислений с помощью программы P-Spice.

    курсовая работа [1,1 M], добавлен 26.10.2011

  • Способ определения сухости пара. Разработка топологии печатной платы. Технология программирования микроконтроллеров. Построение оптимизированного сетевого графика. Технология разработки работы по интерфейсу USB. Расчет сметной стоимости проектирования.

    дипломная работа [1,4 M], добавлен 12.12.2013

  • Разработка конструкции, топологии и технологического процесса интегральной микросхемы по заданной электрической схеме. Топологический расчет транзистора и полупроводникового кристалла. Расчет геометрических размеров резисторов и конденсаторов.

    курсовая работа [1,3 M], добавлен 18.02.2010

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.