статья  Система контроля параметров эпитаксиального роста полупроводниковых наногетероструктур солнечных элементов космического назначения

Анализ современных солнечных элементов (СЭ) космического назначения как сложных наногетероструктурных приборов. Система контроля параметров эпитаксиального роста полупроводниковых наногетероструктур в технологическом процессе разработки и изготовления СЭ.

Нажав на кнопку "Скачать архив", вы скачаете нужный вам файл совершенно бесплатно.
Перед скачиванием данного файла вспомните о тех хороших рефератах, контрольных, курсовых, дипломных работах, статьях и других документах, которые лежат невостребованными в вашем компьютере. Это ваш труд, он должен участвовать в развитии общества и приносить пользу людям. Найдите эти работы и отправьте в базу знаний.
Мы и все студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будем вам очень благодарны.

Чтобы скачать архив с документом, в поле, расположенное ниже, впишите пятизначное число и нажмите кнопку "Скачать архив"

                                                            
8888888888    ad88888ba   8888888888   8888888888       88  
88           d8"     "8b  88           88             ,d88  
88  ____     Y8a     a8P  88  ____     88  ____     888888  
88a8PPPP8b,   "Y8aaa8P"   88a8PPPP8b,  88a8PPPP8b,      88  
PP"     `8b   ,d8"""8b,   PP"     `8b  PP"     `8b      88  
         d8  d8"     "8b           d8           d8      88  
Y8a     a8P  Y8a     a8P  Y8a     a8P  Y8a     a8P      88  
 "Y88888P"    "Y88888P"    "Y88888P"    "Y88888P"       88  
                                                            
                                                            

Введите число, изображенное выше:

Рубрика Физика и энергетика
Вид статья
Язык русский
Дата добавления 16.11.2018
Размер файла 2,3 M

Подобные документы

  • Изучение принципа работы солнечных элементов и их характеристик. Рассмотрение принципиальных схем соединения СЭ в батареи. Исследование проблем возникающих при использовании соединений и их решение. Технология изготовления кремниевого фотоэлемента.

    реферат [282,1 K], добавлен 03.11.2014

  • Системы условных обозначений при использовании полупроводниковых приборов в электронных устройствах для унификации их обозначения и стандартизации параметров. Графические обозначения и стандарты. Биполярные транзисторы, принципы и правила их обозначения.

    презентация [338,7 K], добавлен 09.11.2014

  • Метод неразрушающего контроля состояния поверхности полупроводниковых пластин, параметров тонких поверхностных слоёв и границ раздела между ними. Методика измерений на эллипсометре компенсационного типа. Применение эллипсометрических методов контроля.

    реферат [1,1 M], добавлен 15.01.2009

  • Область применения солнечных коллекторов. Преимущества солнечных установок. Оптимизация и уменьшение эксплуатационных затрат при отоплении зданий. Преимущества использования вакуумного солнечного коллектора. Конструкция солнечной сплит-системы.

    презентация [770,2 K], добавлен 23.01.2015

  • Исследование особенностей технологических путей создания микрорельефа на фронтальной поверхности солнечных элементов на основе монокристаллического кремния. Основные фотоэлектрические параметры полученных структур, их анализ и направления изучения.

    статья [114,6 K], добавлен 22.06.2015

  • Электрофизические свойства полупроводников. Структура полупроводниковых кристаллов. Элементы зонной теории твердого тела. Микроструктурные исследования влияния электронного облучения на электрофизические характеристики полупроводниковых приборов.

    курсовая работа [1,0 M], добавлен 18.09.2015

  • Влияние параметров силовых элементов на габаритно-массовые и энергетические характеристики источников питания. Технология полупроводниковых приборов, оптимизация электромагнитных нагрузок и частоты преобразования в источниках вторичного электропитания.

    курсовая работа [694,7 K], добавлен 27.02.2011

  • Ge/Si гетероструктуры с квантовыми точками, рост и особенности упорядочения и эффекты самоорганизации. Влияние температуры роста и качества поверхности на формирование квантовых наногетероструктур Ge/Si. Методика и значение дифракции быстрых электронов.

    курсовая работа [993,4 K], добавлен 28.08.2015

  • Физика полупроводников. Примесная проводимость. Устройство и принцип действия полупроводниковых приборов. Способы экспериментального определения основных характеристик полупроводниковых приборов. Выпрямление тока. Стабилизация тока.

    реферат [703,1 K], добавлен 09.03.2007

  • История открытия солнечной энергии. Принцип действия и свойства солнечных панелей. Типы батарей: маломощные, универсальные и панели солнечных элементов. Меры безопасности при эксплуатации и экономическая выгода применения солнечной системы отопления.

    презентация [3,1 M], добавлен 13.05.2014

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.