автореферат Особенности формирования микроструктуры мультикремния, выращенного из рафинированного металлургического кремния
Анализ данных по примесному составу слитков мультикремния, выращенных при разных скоростных и тепловых режимах. Выявление разновидностей протяженных дефектов в мультикремнии методами селективного травления и разных видов микроскопии травления.
Нажав на кнопку "Скачать архив", вы скачаете нужный вам файл совершенно бесплатно.
Перед скачиванием данного файла вспомните о тех хороших рефератах, контрольных, курсовых, дипломных работах, статьях и других документах, которые лежат невостребованными в вашем компьютере. Это ваш труд, он должен участвовать в развитии общества и приносить пользу людям. Найдите эти работы и отправьте в базу знаний.
Мы и все студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будем вам очень благодарны.
Чтобы скачать архив с документом, в поле, расположенное ниже, впишите пятизначное число и нажмите кнопку "Скачать архив"
| Рубрика | Физика и энергетика |
| Вид | автореферат |
| Язык | русский |
| Дата добавления | 26.07.2018 |
| Размер файла | 2,0 M |
Подобные документы
Расчёт компоновки загрузки из полупроводникового и металлургического кремния для выращивания мультикремния. Количественный химический анализ слитков мультикремния. Анализ профилей распределения примесей в слитках в приближении перемешивания расплава.
дипломная работа [1,1 M], добавлен 08.06.2017Классификация процессов травления: ионное, реактивное и плазмохимическое. Основные частицы, участвующие в процессе плазменного травления: атомы, радикалы, ионы и электроны. Рабочие параметры процесса: давление газа и скорость его потока через реактор.
презентация [2,3 M], добавлен 02.10.2013Сущность технологических приемов химического травления и контроля качества поверхности пластин кремния. Особенности термического вакуумного напыления алюминия на полупроводниковую подложку. Фотолитография в производстве полупроводниковых приборов.
методичка [588,6 K], добавлен 13.06.2013Возможность формирования различных структур в стандартных пластинах монокристаллического кремния с использованием дефектов, создаваемых имплантацией водорода или гелия. Поперечная проводимость сформированных структур. Системы нанотрубок в кремнии.
реферат [6,4 M], добавлен 25.06.2010Значение и использование монокристаллического кремния при производстве солнечных элементов повышенной эффективности. Природа и механизм возникновения дефектов для пар железо-бор в составе элементов при различных условиях эксплуатации и освещения.
реферат [104,0 K], добавлен 23.10.2012Устройство для получения высокочастотного индукционного разряда. Условия циклотронного резонанса. Виды реакторов высокочастотного емкостного разряда. Основные способы генерации плазмы. Зависимость скорости плазменного травления от параметров процесса.
презентация [1,9 M], добавлен 02.10.2013Описание травления полосовой стали в непрерывных травильных агрегатах. Расчет и выбор элементов силовой части тиристорного преобразователя и электропривода. Структурная схема внутреннего токового контура. Моделирование динамических характеристик скорости.
дипломная работа [1,1 M], добавлен 01.04.2013Высокая химическая стойкость гексаферрита стронция, его дешевизна и области применения. Общая характеристика магнитотвердых материалов. Структура и свойства постоянных магнитов. Способы получения мелкодисперсных гексаферритов. Анализ проблем производства.
отчет по практике [2,0 M], добавлен 13.10.2015Система изготовления острий (зондов). СТМ для сканирующих туннельных микроскопов как прецизионный инструмент для изготовления острий (зондов) из вольфрамовой проволоки методом электрохимического травления. Конструкция СТМ, режимы и порядок работы.
презентация [13,3 M], добавлен 19.02.2016Свободные колебания груза соударяющегося с препятствием. Потери энергии за один цикл. Вынужденные вибрационные колебания. Кратность режима как отношение периода движения системы к периоду возбуждения. Вид и значения решения при разных режимах кратности.
контрольная работа [124,1 K], добавлен 22.06.2012
