презентация  Вольтамперная характеристика (ВАХ) p-n перехода

Основные виды пробоев: электрический (туннельный и лавинный) и тепловой, вольтамперная характеристика p-n перехода. Определение барьерной и диффузной емкостей. Классификация диодов по типу материала, физической природе процессов, назначению и др.

Нажав на кнопку "Скачать архив", вы скачаете нужный вам файл совершенно бесплатно.
Перед скачиванием данного файла вспомните о тех хороших рефератах, контрольных, курсовых, дипломных работах, статьях и других документах, которые лежат невостребованными в вашем компьютере. Это ваш труд, он должен участвовать в развитии общества и приносить пользу людям. Найдите эти работы и отправьте в базу знаний.
Мы и все студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будем вам очень благодарны.

Чтобы скачать архив с документом, в поле, расположенное ниже, впишите пятизначное число и нажмите кнопку "Скачать архив"

    ##   ###   #####   ###     ##  
   ###  ## ##  ##     ## ##   ##   
   ###     ##  ##     ## ##  ##    
  ####    ##   ####   ## ##  ####  
  # ##     ##     ##   ####  ## ## 
 ## ##     ##     ##     ##  ## ## 
 #####  ## ##  ## ##    ##   ## ## 
    ##   ###    ###    ##     ###  
                                   
                                   

Введите число, изображенное выше:

Рубрика Физика и энергетика
Вид презентация
Язык русский
Дата добавления 29.08.2015
Размер файла 22,2 K

Подобные документы

  • Параллельное, последовательное и смешанное соединения нелинейных элементов, их вольтамперная характеристика. Определение значения тока неразветвлённой части цепи и значения напряжения цепи как суммы напряжений на отдельных участках; метод "свертывания".

    лабораторная работа [45,7 K], добавлен 12.01.2010

  • Вольтамперная характеристика р-n перехода - границы двух слоев полупроводника с разным типом проводимости. Процессы, происходящие при его прямом и обратном смещении. Пояснение временных диаграмм мультивибратора и сути гибридного силового модуля.

    контрольная работа [294,7 K], добавлен 21.12.2011

  • Вольтамперная характеристика фотоэлемента. Анализ изменения эффективности различных типов полупроводниковых преобразователей солнечной энергии. Изучение параметров органических и гибридных фотоэлементов. Концепция объемного и планарного гетеро-перехода.

    презентация [2,0 M], добавлен 25.11.2014

  • Выражение для емкости резкого p-n перехода в случае полностью ионизированных примесей. Определение величины его барьерной емкости. Расчет контактной разности потенциалов, толщины слоя объемного заряда. Величина собственной концентрации электронов и дырок.

    курсовая работа [150,2 K], добавлен 16.11.2009

  • Физический смысл и практическое значение пробоя. Определение диэлектрика пластмасса. Классификация проводниковых материалов, показатели для бериллиевой бронзы. Вольтамперная характеристика тринистора. Свойства, преимущества и недостатки альсиферов.

    контрольная работа [255,3 K], добавлен 05.11.2010

  • Классификация диодов в зависимости от технологии изготовления: плоскостные, точечные, микросплавные, мезадиффузионные, эпитаксально-планарные. Виды диодов по функциональному назначению. Основные параметры, схемы включения и вольт-амперные характеристики.

    курсовая работа [909,2 K], добавлен 22.01.2015

  • Вакуум - состояние газа при давлении меньше атмосферного. Поток электронов в вакууме как разновидность электрического тока. Явление термоэлектронной эмиссии, его применение. Вакуумный диод (двухэлектродная лампа). Вольтамперная характеристика диода.

    реферат [187,2 K], добавлен 24.10.2008

  • Описание технологии изготовления электронно-дырочного перехода. Классификация разработанного электронно-дырочного перехода по граничной частоте и рассеиваемой мощности. Изучение основных особенностей использования диодных структур в интегральных схемах.

    курсовая работа [1,0 M], добавлен 14.11.2017

  • Понятие p-n перехода и методы его создания. Резкие и плавные p-n переходы, их зонные диаграммы. Зонная диаграмма несимметричного p-n перехода. Потенциальный барьер и распределение контактного потенциала. Методика расчета вольт-амперной характеристики.

    курсовая работа [566,6 K], добавлен 19.12.2011

  • Определение величины обратного тока диодной структуры. Расчет вольт-амперной характеристики идеального и реального переходов. Зависимости дифференциального сопротивления, барьерной и диффузионной емкости, толщины обедненного слоя от напряжения диода.

    курсовая работа [362,1 K], добавлен 28.02.2016

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.