Основные сведения из кристаллографии
Изучение основных понятий кристаллографии, ознакомление с основными симметрическими операциями и точечными группами (классами) симметрии. Исследование методов решения некоторых задач кристаллографии. Структура кристалла и пространственная решетка.
| Рубрика | Физика и энергетика |
| Предмет | Физика твердого тела |
| Вид | лабораторная работа |
| Язык | русский |
| Прислал(а) | incognito |
| Дата добавления | 05.04.2020 |
| Размер файла | 316,4 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Подобные документы
Представление кристалла в обратном пространстве, получение выражения для характеризующих кристаллическую решетку объемных, плоскостных, линейных и угловых параметров. Правило для определения индексов плоскости и индексов лежащего в ней направления.
презентация [255,5 K], добавлен 23.09.2013Метод дискретного моделирования молекулярных упаковок. Разбиение плоскости на полимино. Алгоритм нахождения упаковки с двумя трансляционно-независимыми полимино. Модель послойного роста разбиений графов. Змея (кривая) Гаспера. Фрактал "Снежинка Кох".
реферат [2,0 M], добавлен 03.02.2014Образование пространственных групп симметрии. Правильные системы точек, требования к пространственной решетке. Расщепление точечной группы симметрии в пространственную группу. Удаление повторяющихся позиций. Правила записи пространственной группы.
презентация [146,6 K], добавлен 23.09.2013Сложение элементов симметрии дисконтинуума. Последовательное отражение в двух параллельных плоскостях симметрии. Сумма плоскости симметрии и перпендикулярной к ней трансляции. Характеристика действия трансляционного вектора на перпендикулярные ему оси.
презентация [107,5 K], добавлен 23.09.2013Описание полупроводников, характеристика их основных свойств. Физические основы электронной проводимости. Строение кристалла кремния. Направленное движение электронов и дырок под действием электрического поля, p-n переход. Устройство транзисторов.
презентация [2,4 M], добавлен 20.04.2016Изучение основных понятий и государственных стандартов электромагнитной совместимости технических средств как уровня излучений. Ознакомление с условными обозначениями для электроустановок с напряжением до 1 кв. Описание систем-заземлений TN-C и TN-S.
реферат [104,6 K], добавлен 19.04.2010Понятие и классификация радиоактивных элементов. Основные сведения об атоме. Характеристики видов радиоактивного излучения, его проникающая способность. Периоды полураспада некоторых радионуклидов. Схема процесса индуцированного нейтронами деления ядер.
презентация [5,0 M], добавлен 10.02.2014Общая характеристика некоторых физических методов исследования строения молекул: рентгеноэлектронной и инфракрасной спектроскопии, дифракционных методов. Особенности полуэмпирических, неэмпирических и кванто-механических методов исследования вещества.
курсовая работа [510,7 K], добавлен 06.02.2013Постановка задачи дифракции и методы ее решения. Сведения о методах решения задач электродинамики. Метод вспомогательных источников. Вывод интегральных уравнений Фредгольма второго рода для двумерной задачи. Численное решение интегрального уравнения.
курсовая работа [1,2 M], добавлен 13.01.2011Разработка математических методов и построенных на их основе алгоритмов синтеза законов управления. Обратные задачи динамики в теории автоматического управления. Применение спектрального метода для решения обратных задач динамики, характеристики функций.
курсовая работа [1,4 M], добавлен 14.12.2009