Структура кристаллической решетки полупроводников

Кристаллическая решетка полупроводников. Изучение периодичности расположения атомов в пространстве. Индексы узлов направлений и плоскостей в кристалле. Возникновение сразу двух точечных дефектов. Полное или частичное испарение атомов с поверхности.

Рубрика Физика и энергетика
Вид статья
Язык русский
Дата добавления 04.12.2018
Размер файла 676,6 K

Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже

Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.


Подобные документы

  • Удельное сопротивление полупроводников. Строение кристаллической решетки кремния. Дефекты точечного типа и дислокации. Носители заряда и их движение в электрическом поле. Энергетические уровни и зоны атома. Распределение носителей в зонах проводимости.

    презентация [150,3 K], добавлен 27.11.2015

  • Понятие кристаллической (пространственной) решетки. Кристаллическая структура эффекта. Области применения промышленных пьезопленок. Обратный пьезоэлектрический эффект. Использование пьезоэлектрических кристаллов для получения электрической энергии.

    курсовая работа [833,1 K], добавлен 14.04.2014

  • Поглощение света свободными носителями заряда. Электрография и фотопроводимость полупроводников. Влияние сильных электрических попей на электропроводность полупроводников. Подвижность носителей в ионных кристаллах и полупроводниках с атомной решеткой.

    реферат [1,6 M], добавлен 28.03.2012

  • Сведения о колебаниях кристаллических решёток, функции, описывающие их физические величины. Кристаллографические системы координат. Расчет энергии взаимодействия атомов в ковалентных кристаллах, спектра колебаний кристаллической решётки вольфромата бария.

    дипломная работа [566,1 K], добавлен 09.01.2014

  • Сведения о полупроводниках их классификация. Собственная и примесная проводимость полупроводников. Характеристика группы органических полупроводников. Электропроводность низкомолекулярных органических полупроводников. Электрические свойства полимерных.

    курсовая работа [779,2 K], добавлен 24.07.2010

  • Основные свойства полупроводников. Строение кристаллов. Представления электронной теории кристаллов. Статистика электронов в полупроводниках. Теория явлений переноса. Гальваномагнитные и термомагнитные явления. Оптический свойства полупроводников.

    книга [3,8 M], добавлен 21.02.2009

  • Классификация и типы полупроводников, их характеристики и свойства. Контактные явления на границе раздела полупроводников различных типов. Изучение работы соответствующих устройств, резонанс токов и напряжений. Изучение вольтмперной характеристики диода.

    дипломная работа [608,0 K], добавлен 03.07.2015

  • Электрические методы исследования электрофизических и фотоэлектрических свойств полупроводников. Метод нестационарной спектроскопии глубоких уровней, фотопроводимость. Шумовые свойства фоторезисторов при совместном действии напряжения и фоновой засветки.

    дипломная работа [1,1 M], добавлен 02.10.2015

  • Зонная модель электронно-дырочной проводимости полупроводников. Расчет концентрации ионизованной примеси. Контакт двух полупроводников с различными типами проводимости. Электронно-дырочные переходы. Полупроводниковые выпрямители. Суть сверхпроводимости.

    презентация [122,7 K], добавлен 09.04.2015

  • Как устроен пьезоэлектрический полупроводник. Поглощение и усиление звука. Нелинейные эффекты при усилении звука. Усиление акустических шумов и связанные с этим явления. Звукоэлектрический эффект. Пьезоэлектрический эффект.

    реферат [29,3 K], добавлен 11.01.2004

  • Полупроводники - вещества, обладающие электронной проводимостью, занимающие промежуточное положение между металлами и изоляторами. История открытия, распространенность полупроводников в природе и человеческой практике, их применение в наноэлектронике.

    реферат [51,6 K], добавлен 10.01.2012

  • Понятие о полупроводниках, их свойства, область применения. Активные диэлектрики. Рождение полупроводникового диода. Открытие сегнетоэлектриков и пьезоэлектриков. Исследования проводимости различных материалов. Физика полупроводников и нанотехнологии.

    курсовая работа [94,4 K], добавлен 14.11.2010

  • Общие сведения о полупроводниках. Методы очистки и переплавки полупроводниковых материалов. Металлургия германия и кремния. Применение полупроводников. Тепловые сопротивления. Фотосопротивления. Термоэлементы. Холодильники и нагреватели.

    реферат [26,8 K], добавлен 25.06.2004

  • Возникновение гипотезы о том, что вещества состоят из большого числа атомов. Развитие конкретных представлений о строении атома по мере накопления физикой фактов о свойствах вещества. Выводы из опыта по рассеиванию альфа-частиц частиц Резерфорда.

    презентация [797,7 K], добавлен 15.02.2015

  • Дифракция быстрых электронов на отражение как метод анализа структуры поверхности пленок в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии. Анализ температурной зависимости толщины пленки кремния и германия на слабо разориентированой поверхности кремния.

    курсовая работа [1,0 M], добавлен 07.06.2011

  • Основы и содержание зонной теории твердого тела. Энергетические зоны полупроводников, их типы: собственные и примесные. Генерация и рекомбинация носителей заряда. Исследование температурной зависимости электрического сопротивления полупроводников.

    курсовая работа [1,8 M], добавлен 09.06.2015

  • Исследование кристаллической структуры поверхности с помощью рентгеновских и электронных пучков. Дифракция электронов низких и медленных энергий (ДЭНЭ, ДМЭ), параметры. Тепловые колебания решетки, фактор Дебая-Валлера. Реализация ДЭНЭ, применение метода.

    курсовая работа [3,2 M], добавлен 08.06.2012

  • Изучение строения атомов и их ядер. Исследование постулатов Борна и выявление преимуществ и недостатков планетарной модели атома Резерфорда. Процесс деления тяжелых ядер и раскрытие понятия радиоактивности. Неуправляемая и управляемая цепная реакция.

    контрольная работа [35,7 K], добавлен 26.09.2011

  • Понятие и общая характеристика, физическое обоснование динамики блоховского электрона. Его эффективная масса, зонная структура типичных полупроводников и плотность состояний. Принципы и описание главных этапов процесса заполнения электронных состояний.

    презентация [271,4 K], добавлен 25.10.2015

  • Главные черты линейных колебаний: одномерная цепочка с одним и двумя атомами в ячейке. Трехмерный кристалл. Фононы. Акустическая и оптическая ветки колебаний. Энергия колебаний и теплоемкость кристаллической решетки: модель Эйнштейна и модель Дебая.

    курсовая работа [219,4 K], добавлен 24.06.2008

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.