Обратимые отказы интегральных микросхем в полях радиоизлучения
Проведение анализа результата экспериментальных исследований воздействия радиоизлучения на современные интегральные микросхемы и электронную аппаратуру. Сопоставление уровней обратимых отказов в работе микросхем с уровнями функциональных сбоев аппаратуры.
| Рубрика | Физика и энергетика |
| Предмет | Физика |
| Вид | статья |
| Язык | русский |
| Прислал(а) | А.В. Ключник |
| Дата добавления | 30.10.2018 |
| Размер файла | 1,3 M |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Подобные документы
- Применение ионизирующего излучения для ускоренных испытаний на надежность МОП интегральных микросхем
Описание структуры и алгоритмов работы интегральных микросхем. Исследование образования поверхностных дефектов при воздействии низкоинтенсивного гамма-излучения. Методика прогнозирования отказов тестовых генераторов. Сопоставление результатов испытаний.
диссертация [3,1 M], добавлен 15.01.2015 Оценка характера радиоизлучения выхлопной газовой струи. Нахождение корреляции между изменением характера радиоизлучения и возникновением конкретных неисправностей в момент их зарождения. Исследования собственного радиоизлучения газотурбинных установок.
контрольная работа [1,9 M], добавлен 24.03.2013Знакомство с технологией получения равномерно-легированного кристалла с применением метода Чохральского. Этапы расчета массы хрома, загружаемого в установку. Характеристика требований к материалу подложки. Особенности работы интегральных микросхем.
контрольная работа [481,0 K], добавлен 30.06.2014Электромагнитные, электронные реле и их эксплуатационные показатели. Проектирование полупроводникового реле тока. Коммутация токов и напряжений. Структурная и электрическая схемы реле. Применение интегральных микросхем. Расчет номинальных параметров.
курсовая работа [108,8 K], добавлен 16.07.2009Классификация полупроводников по различным признакам, их разновидности и характеристика, отличительные черты. Порядок и схемы включения и применения фотоэлектронных приборов. Динамические свойства аналоговых интегральных микросхем, порядок составления.
реферат [108,9 K], добавлен 03.04.2009Анализ специфики гетерогенных реакций в условиях плазмы. Рассмотрение процессов десорбции термически активированной, ионно- и фото-стимулированной. Конструкция плазмохимического реактора. Технологический процесс изготовления интегральных микросхем.
презентация [1,1 M], добавлен 02.10.2013Расчет и выбор элементов пассивной защиты силовых полупроводниковых приборов от аварийных токов и перенапряжений. Выбор цифровых и аналоговых интегральных микросхем. Расчет генератора высокочастотных импульсов. Внешняя характеристика выпрямителя.
курсовая работа [1,2 M], добавлен 30.04.2012Выбор элементов пассивной защиты силовых приборов от аварийных токов и перенапряжений. Выбор типов аналоговых и цифровых интегральных микросхем. Полная принципиальная схема выпрямителя и перечень элементов к ней. Регулировочная характеристика выпрямителя.
курсовая работа [1,4 M], добавлен 27.05.2012Формулирование требований к автоматизированному электроприводу и системе автоматизации. Построение нагрузочной диаграммы механизма. Расчёт параметров и выбор элементов силовой цепи. Проектирование узла системы автоматизированного электропривода.
дипломная работа [1,1 M], добавлен 30.04.2012Электрическое поле Земли. Атмосферики, радиоизлучения Солнца и галактик. Физические основы взаимодействия электромагнитных полей с биологическими объектами. Главные преимущества и недостатки лазеротерапии. Глубина проникновения волн в различные ткани.
курсовая работа [179,2 K], добавлен 16.05.2016
