Полевой датчик холла на основе структур "Кремний на изоляторе"
Влияние напряжённости поперечного электрического поля затворов полевого датчика Холла. Ступенчатые скачки тока на вольт-амперной характеристике в режиме лавинного умножения носителя. Физические принципы схемотехнических способов измерения магнитных полей.
| Рубрика | Физика и энергетика |
| Вид | автореферат |
| Язык | русский |
| Дата добавления | 29.10.2018 |
| Размер файла | 793,8 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
3. Мокрушин А.Д., Омельяновская Н.М., Леонов А.В., Мордкович В.Н., Пажин Д.М. Радиационные эффекты в КНИ - магниточувствительных элементах при различных условиях облучения // Вопросы атомной науки и техники. Серия Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. - 2001. - Вып. 1-2. - С. 77-81.
4. Мокрушин А.Д., Омельяновская Н.М., Леонов А.В., Мордкович В.Н., Пажин Д.М. Радиационные эффекты в МОП-элементах на основе объемного кремния и КНИ-структуры // Вопросы атомной науки и техники. Серия Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. - 2002. - Вып. 1-2. - С. 67-71.
5. Мордкович В.Н., Бараночников М.Л., Леонов А.В., Мокрушин А.Д., Омельяновская Н.М., Пажин Д.М. Полевой датчик Холла на основе структур «кремний на изоляторе» // Микросистемная техника (Нано- и микросистемная техника). - 2002. - Вып.10.- С. 8-12.
6. Mokrushin A.D.,Omeljanovskaja N.M., Leonov .A.V., Mordkovich V.N., Pazhin D.M. Radiation effects in SOI magnetic sensitive elements under different radiation conditions //Progress in semiconductor -on-insulator structures and devices operating at extreme conditions; Edited by F. Balestra, A. Nazarov and V.S. Lysenko. - Dordrecht/Boston/London: Kluwer Academic Publishers, 2002. - V. 58. - P. 221-227.
7. Мордкович В.Н., Бараночников М.Л., Леонов А.В, Мокрушин А.Д., Омельяновская Н.М., Пажин Д.М. Полевой датчик холла - новый тип преобразователя магнитного поля // Датчики и системы. - 2003.- Вып. 7. - С. 33-38.
8. Бараночников М.Л., Леонов А.В., Мальцев П.П., Мокрушин А.Д., Мордкович В.Н., Омельяновская Н.М., Пажин Д.М. Полевой датчик Холла на основе структур "Кремний-На-Изоляторе" //Мир электроники. - М.: Техносфера, 2005. - С. 436-444.
9. Бараночников М.Л., Леонов А.В., Мокрушин А.Д., Мордкович В.Н., Омельяновская Н.М., Пажин Д.М. Особенности характеристик КНИ полевых датчиков Холла с двухзатворной управляющей системой типа металл диэлектрик-полупроводник-диэлектрик-металл // Нано- и микросистемная техника. - 2008. - Вып. 12. - С. 45-49.
10. Бараночников М. Л., Леонов А. В. Использование двухэлементных преобразователей магнитного поля для регулирования динамического диапазона магнитометрических устройств // Приборы и техника эксперимента. - 2011. - Вып.2. - С.1.
11. Бараночников М. Л., Леонов А. В., Мордкович В.Н., Пажин Д.М. Особенности магниточувствительных сенсоров на основе Полевого Датчика Холла // Приборы и техника эксперимента. - 2012. - Вып.6. - С. 1-8.
12. Леонов А.В., Мокрушин А.Д., Омельяновская Н.М. Особенности подвижности электронов в тонком слое кремния в структуре диэлектрик-кремний-диэлектрик // ФТП. - 2012. - Т. 46. - Вып.4. - С. 494-499.
13. Mokrushin A.D.,Omeljanovskaja N.M., Leonov A.V., Mordkovich V.N., Pazhin D.M. Radiation effects in SOI magnetic sensitive elements under different radiation conditions // Conference abstracts. NATO Advanced Research Workshop “Progress in semiconductor -on-insulator structures and devices operating at extreme conditions”, Kyiv, 2000. - P. 44 -45.
14. Мокрушин А.Д., Омельяновская Н.М., Леонов А.В., Мордкович В.Н., Пажин Д.М. Радиационные эффекты в МОП элементах на основе объемного кремния и КНИ структуры // Российская научная конференция / Радиационная стойкость электронных систем - Стойкость-2001. Научно-технический сборник тезисов докладов. - Лыткарино, 2001. - С. 121-122.
15. Мордкович В.Н., Леонов А.В., Мокрушин А.Д., Омельяновская Н.М., Пажин Д.М. Новый кремниевый магниточувствительный элемент с повышенной устойчивостью к радиационным и тепловым воздействиям // IX Научно-техническая конференция / Датчики и детекторы для АЭС. Сборник докладов. - Пенза, 2002.- С.33-35.
16. Baranochnikov M.L., Leonov A.V., Mokrushin A.D., Mordkovich V.N., Omelianovskaya N.M., Pazhin D.M., Goncharov V.P., Filatov M.M. Controllable highly sensitive silicon Hall element with improved reliability under extreme conditions // 7-th International Symposium on Electromagnetic Compatibility and Electromagnetic Ecology. Thesis of International Symposium - Saint-Petersburg, 2007. - P. 241-242.
17. Baranochnikov M.L., Leonov A.V., Mokrushin A.D., Mordkovich V.N., Goncharov V.P., Ksenofontov V.A., Filatov M.M. Specifity of magnetic measurements using the controllable Hall element as a primary magnetic field converter // 7-th International Symposium on Electromagnetic Compatibility and Electromagnetic Ecology. Thesis of International Symposium - Saint-Petersburg, 2007. - P.243.
18. Baranochnikov M.L., Leonov A.V., Mokrushin A.D., Mordkovich V.N., Pazhin D.M., Omelianovskaya N.M., Tarasov V.V. novel Silicon-On-Insulator controllable hall element: Book of abstract European Magnetic Sensors and Actuators Conference, European Magnetic Sensors & Actuators Conference. - Caen, France, 2008. M. 41. - P. 129.
19. Baranochnikov M.L., Leonov A.V., Mokrushin A.D., Mordkovich V.N., Pazhin D.M., Omelianovskaya N.M., Filatov M.M. Controllable broadband Hall element for measuring pulsed and dc magnetic fields in the temperature range from liquid helium to 600 K: Book of abstract / European Electromagnetics. - Lausanne, Switzerland, 2008 . - P.361.
20. Леонов А.В., Бараночников М.Л., Мокрушин А.Д., Мордкович В.Н., Омельяновская Н.М., Пажин Д.М., Особенности подвижности электронов в тонком слое // VII Международная конференция и Школа по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе. Тезисы докладов - Нижний Новгород, 2010. - С.117.
21. Baranochnikov M. L., Leonov A. V., Mordkovich V. N., Pazhin D. M. Filatov M. M Some Features of Magnetometric and Sensor Devices Based on the Field Effect Hall Sensor //Advanced Electromagnetics Symposium. Proceedings. - Paris, France, 2012.- P.455-459.
22. Мордкович В.Н., Пажин Д.М., Леонов А.В., Павлюк М.И., Ануфриев В.Н.,. Богатырев В.Н, Дымов Д.В. Радиационно-стойкий бесконтактный датчик тока типа "система в корпусе // XVI Международная научная конференция, посвященная памяти генерального конструктора ракетно-космических систем академика М.Ф. Решетнева. Материалы конференции - Красноярск, 2012. - Ч. 1. - С. 190.
23. Пат. 2465630 Российская Федерация, МПК G01R15/20 (2006.01). Магниточувствительная интегральная схема для стабилизации электрического тока / Бараночников М.Л., Карпушин М.П., Леонов А.В., Мордкович В.Н., Пажин Д.М.; заявитель и патентообладатель Мордкович Виктор Наумович, Карпушин Михаил Петрович. -№ 2011108002/28; заявл. 02.03.2011; опубл. 27.10.2012, Бюл. №30. - 7 с.: ил.
24. Пат. 2465609 Российская Федерация: МПК G01R 15/20 (2006.01). Бесконтактный измеритель тока / Бараночников М.Л., Карпушин М.П., Леонов А.В., Мордкович В.Н., Пажин Д.М.; заявитель и патентообладатель Мордкович Виктор Наумович, Карпушин Михаил Петрович. - № 2011108001/28; заявл. 02.03.2011; опубл. 27.10.2012, Бюл. №30. - 7 с.: ил.
25. Пат. 2465629 Российская Федерация: МПК G05F 1/70 (2006.01). Бараночников М.Л., Карпушин М.П., Леонов А.В., Мордкович В.Н., Пажин Д.М.; заявитель и патентообладатель Мордкович Виктор Наумович, Карпушин Михаил Петрович. - № 2011114215/08; заявл. 13.04.2011; опубл. 27.10.2012, Бюл. №30. - 9 с.: ил.
Размещено на Allbest.ru
Подобные документы
Геометрия эксперимента по наблюдению эффекта Холла. Идеальный датчик Холла, свойства и технология изготовления. Внутренняя схема линейного датчика Холла и график его характеристики преобразования. Конструкции датчиков тока. Расходомер, принцип действия.
курсовая работа [998,0 K], добавлен 18.05.2012Объяснение эффекта Холла с помощью электронной теории. Эффект Холла в ферромагнетиках и полупроводниках. Датчик ЭДС Холла. Угол Холла. Постоянная Холла. Измерение эффекта Холла. Эффект Холла при примесной и собственной проводимости.
курсовая работа [404,9 K], добавлен 06.02.2007Сущность индуктивно-частотного метода измерения магнитной восприимчивости и принцип работы установки "Эталон-1Б". Разработка программного обеспечения для автоматической записи кривых восприимчивости. Калибровка датчика магнитного поля на эффекте Холла.
курсовая работа [2,4 M], добавлен 18.06.2015Характеристики магнитного поля и явлений, происходящих в нем. Взаимодействие токов, поле прямого тока и круговой ток. Суперпозиция магнитных полей. Циркуляция вектора напряжённости магнитного поля. Действие магнитных полей на движущиеся токи и заряды.
курсовая работа [840,5 K], добавлен 12.02.2014Работа сил электрического поля при перемещении заряда. Циркуляция вектора напряжённости электрического поля. Потенциал поля точечного заряда и системы зарядов. Связь между напряжённостью и потенциалом электрического поля. Эквипотенциальные поверхности.
реферат [56,7 K], добавлен 15.02.2008Значение дробного квантового эффекта Холла для исследований в области физики твердого тела и квантовой электродинамики. Двумерный электронный газ и его свойства. Причины возникновения эффекта Холла. Электроны и кванты потока, композиционные частицы.
реферат [843,4 K], добавлен 01.12.2014Механизм анодного окисления кремния. Влияние толщины пленки, сформированной методом ионной имплантации и водородного переноса, на ее электрофизические свойства. Электрофизические свойства структур "кремний на изоляторе" в условиях анодного окисления.
дипломная работа [327,8 K], добавлен 29.09.2013Вектор напряжённости электрического поля в воздухе, вектора напряжённости магнитного поля, вектор Пойтинга. Цилиндрическую систему координат, с осью аппликат, направленной вдоль оси волновода. Волна первого высшего типа в прямоугольном волноводе.
задача [614,1 K], добавлен 31.07.2010Примеры расчета магнитных полей на оси кругового тока. Поток вектора магнитной индукции. Теорема Гаусса-Остроградского для вектора: основное содержание, принципы. Теорема о циркуляции вектора. Примеры расчета магнитных полей: соленоида и тороида.
презентация [522,0 K], добавлен 24.09.2013Геомагнитное поле земли. Причины возникновения магнитных аномалий. Направление вектора напряженности земли. Техногенные и антропогенные поля. Распределение магнитного поля вблизи воздушных ЛЭП. Влияние магнитных полей на растительный и животный мир.
курсовая работа [326,4 K], добавлен 19.09.2012
