Особенности формирования структурных дефектов в полупроводниках A2B6, кремнии, германии и арсениде галлия с учетом влияния энергии дефекта упаковки

Рубрика	Физика и энергетика
Вид	автореферат
Язык	русский
Дата добавления	26.07.2018
Размер файла	3,5 M

Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже

Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.

Подобные документы

• Использование дефектов, возникающих при имплантации водорода или гелия, для формирования глубинных структур в кремнии

  Возможность формирования различных структур в стандартных пластинах монокристаллического кремния с использованием дефектов, создаваемых имплантацией водорода или гелия. Поперечная проводимость сформированных структур. Системы нанотрубок в кремнии.
  
  реферат [6,4 M], добавлен 25.06.2010
  

• Полупроводниковые материалы

  Суть гальваномагнитных явлений в полупроводниковых материалах. Эффекты Холла, Эттингсгаузена и Нернста. Закономерности, структура и химическая связь соединений типа АIIIВV. Изопериодные гетероструктуры. Подвижность носителей заряда в полупроводниках.
  
  курсовая работа [3,6 M], добавлен 09.12.2010
  

• Полупроводниковые фотоприемники

  Механизмы поглощения энергии излучения в полупроводниках. Принцип действия полупроводниковых фотоприемников. Характеристики и параметры фотоприемников. Темновое сопротивление, чувствительность, спектральная характеристика, охлаждаемые фотодатчики.
  
  контрольная работа [836,3 K], добавлен 29.08.2013
  

• Сравнительный анализ влияния низкотемпературного и высокотемпературного электронного облучения на электрофизические характеристики полупроводниковых приборов

  Электрофизические свойства полупроводников. Структура полупроводниковых кристаллов. Элементы зонной теории твердого тела. Микроструктурные исследования влияния электронного облучения на электрофизические характеристики полупроводниковых приборов.
  
  курсовая работа [1,0 M], добавлен 18.09.2015
  

• Исследование проводниковых, полупроводниковых и магнитных материалов и приборов

  Определение тока утечки, мощности потери, удельных диэлектрических потерь при включении образца на переменное напряжение. Классификация и основные свойства полупроводниковых материалов. Физический смысл и область использования магнитных материалов.
  
  контрольная работа [93,7 K], добавлен 28.10.2014
  

• Оптические переходы в полупроводниках с глубокими уровнями

  Явления оптической и термической перезарядки, их роль в полупроводниках и полупроводниковых структурах. Особенности оптических переходов при наличии нескольких глубоких и мелких уровней в запрещённой зоне, в основном, при комбинированном возбуждении.
  
  реферат [35,2 K], добавлен 22.06.2015
  

• Использование фотоэлементов для преобразования солнечной энергии в электричество

  Вольтамперная характеристика фотоэлемента. Анализ изменения эффективности различных типов полупроводниковых преобразователей солнечной энергии. Изучение параметров органических и гибридных фотоэлементов. Концепция объемного и планарного гетеро-перехода.
  
  презентация [2,0 M], добавлен 25.11.2014
  

• Исследование электрофизических свойств полупроводниковых материалов

  Методы и средства изучения свойств наноструктур. Экспериментальное исследование электрофизических параметров полупроводниковых материалов. Проведение оценочных расчетов теоретического предела минимального размера изображения, получаемого при литографии.
  
  дипломная работа [810,6 K], добавлен 28.03.2016
  

• Изучение свойств P-N-перехода различными методами

  Физика полупроводников. Примесная проводимость. Устройство и принцип действия полупроводниковых приборов. Способы экспериментального определения основных характеристик полупроводниковых приборов. Выпрямление тока. Стабилизация тока.
  
  реферат [703,1 K], добавлен 09.03.2007
  

• Радиационные эффекты в диэлектриках

  Физические основы и практические результаты использования проникающих излучений в технологии ядерного легирования полупроводниковых материалов. Их применение в производстве полупроводниковых приборов, мощных кремниевых диодов, тиристоров и транзисторов.
  
  курсовая работа [1,9 M], добавлен 08.06.2015
  

• Разработка автономного источника питания на основе радиоизотопных материалов и кремниевой p-i-n структуры

  Разработка радиоизотопных, кремниевых источников питания. Изучение двух ступенчатых преобразователей. Описание различных полупроводниковых материалов для бетавольтаических преобразователей. Анализ энергии потерь электронов в полупроводниковой структуре.
  
  дипломная работа [1,4 M], добавлен 19.05.2015
  

• Изучение зависимости сопротивления полупроводника от температуры

  Деление твердых тел на диэлектрики, проводники и полупроводники. Собственная и примесная проводимость полупроводниковых материалов. Исследование изменений сопротивления кристаллов германия и кремния при нагревании, определение энергии их активации.
  
  лабораторная работа [120,4 K], добавлен 10.05.2016
  

• Применение полупроводников в технике

  Общие сведения о полупроводниках. Методы очистки и переплавки полупроводниковых материалов. Металлургия германия и кремния. Применение полупроводников. Тепловые сопротивления. Фотосопротивления. Термоэлементы. Холодильники и нагреватели.
  
  реферат [26,8 K], добавлен 25.06.2004
  

• Виды энергии

  Сущность и краткая характеристика видов энергии. Особенности использования солнечной и водородной энергии. Основные достоинства геотермальной энергии. История изобретения "ошейника" А. Стреляемым, принцип его работы и потребления энергии роста растений.
  
  презентация [911,5 K], добавлен 20.12.2009
  

• Полупроводниковые квантовые точки

  Исследование методов формирования полупроводниковых квантовых точек. Анализ возможности их применения в электронных приборах: лазерах, одноэлектронных транзисторах, элементах памяти наноразмеров. Размерное квантование энергии электронов. Квантовые ямы.
  
  статья [143,0 K], добавлен 28.11.2013
  

• Реальные твердые тела

  Кристаллы - реальные твердые тела. Термодинамика точечных дефектов в кристаллах, их миграция, источники и стоки. Исследование дислокации, линейного дефекта кристаллической структуры твёрдых тел. Двумерные и трехмерные дефекты. Аморфные твердые тела.
  
  доклад [126,6 K], добавлен 07.01.2015
  

• Расчет радиационных характеристик протона и концентрации наведенных дефектов в ZnO

  Взаимодействие заряженных частиц с веществом. Радиационное дефектообразование в ZnO. Расчет радиационных характеристик движущегося протона и концентрации наведенных дефектов с помощью программы SRIM. Концентрации дефектов в ZnO по спектрам поглощения.
  
  отчет по практике [2,3 M], добавлен 15.01.2014
  

• Проектирование полупроводникового преобразователя электрической энергии

  Выбор силовых полупроводниковых приборов проектируемого выпрямителя. Расчет и выбор элементов пассивной защиты силовых приборов от аварийных токов и перенапряжений и сглаживающего дросселя. Расчет генератора развертываемого напряжения и компаратора.
  
  курсовая работа [732,8 K], добавлен 10.01.2017
  

• Зависимость ширины запрещенной зоны в кремнии от температуры

  Полупроводниковый кремний как один из важнейших полупроводниковых материалов, используемых в настоящее время. Ширина энергетического зазора между дном зоны проводимости и потолком валентной зоны, в котором отсутствуют разрешённые состояния для электрона.
  
  контрольная работа [417,4 K], добавлен 25.11.2012
  

• Тепловой расчет тиристоров в заданном эксплуатационном режиме силового блока полупроводникового аппарата

  Полупроводниковое аппаратостроение на основе силовой электроники. Преимущества и недостатки силовых полупроводниковых аппаратов, требования к ним в эксплуатационных режимах. Современная силовая электроника. Разработки силовых полупроводниковых приборов.
  
  курсовая работа [2,3 M], добавлен 10.06.2014
  

• главная
• рубрики
• по алфавиту
• вернуться в начало страницы
• вернуться к началу текста
• вернуться к подобным работам