Особенности влияния границы раздела и протяженности области объемного заряда на электрофизические характеристики детекторных структур
Исследование особенностей формирования высокоэффективных детекторных структур больших размеров с оптимальными электрофизическими и радиометрическими свойствами. Анализ физических механизмов, влияющих на формирование амплитуды энергетических спектров.
| Рубрика | Физика и энергетика |
| Вид | автореферат |
| Язык | русский |
| Дата добавления | 24.05.2018 |
| Размер файла | 1,2 M |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
?ўлланилиш со?аси: тад?и? этилган ва ишлаб чи?илган детекторли структуралар ядро физикаси амалий ва фундаментал масалаларини ечишда катта исти?болга эга.
RESUME
Of the thesis of Saymbetov Ahmet Kuanishbayevich on the scientific degree-competition of the doctor of philosophy in physics - mathematical sciences on а specialty 01.04.10 - semiconductors physics on subject: “The features of influence of interface and spatial charge of extended region on electrophysical characteristics of detector structures”.
Key words: diffusion of lithium, drift of lithium ions, p-i-n structure, heterostructure, interface.
Subject of research: manufacturing of the large size Si(Li) p-i-n and бSi-Si(Li) detector structures.
Purpose of work: investigation the features of formation of the large size high efficiency detector structures with optimal electrophysical and radio-metric properties as well as study of new physical mechanisms of influencing for formation their amplitude of energetic spectra.
Methods of research: method of investigation of current-voltage and volt-capacity characteristic of detector structures; method of investigation of features of photovoltage in nonuniform area of the sensitive regions of Si(Li) p-i-n structure, as well as investigation of the structure research of бSi-Si(Li) interface.
The results obtained and their novelty: physic-technological methods of formation structures with of optimum properties of electrophysical characteristics and radiometric properties of semiconductor detectors on the base of Si(Li) p-i-n structures and бSi-Si(Li) heterostuctures with large area are developed; on the base of investigation of relaxation photoconductivity processes in Si(Li) p-i-n structure have been carried out that on the some regions of these area was pronounced a “well” on time dependence of photovoltage's impulse after corresponding photoexcitation is observed; on the basis of analytical calculations of the trajectory of carriers transport in i - area of Si(Li) p-i-n structure where take into account the influence on this process of inhomogeneous potential field it has shown that under such conditions electrons and holes generated as a result of ionization of atoms by nuclear radiation moved forward longer trajectory in electric field direction in sensitive part of semiconductor detector.
Practical value: researched detectors structures Si(Li) p-i-n and бSi-Si(Li) have possess for understanding of physical processes in various large size semiconductor devices as well as practical value for improving of their characteristics.
Degree of embed and economic affectivity: results of investigations had application for optimization of properties of Si(Li) semiconductor detectors at fulfilling contract work with OJSC «UzCRHRM», OJSC «Uzbekchimmash» with total financing around 20 million sum.
Field of application: investigated detector structures have prospects for developing of fundamental and applied problems of nuclear physics.
Размещено на Allbest.ru
Подобные документы
Электрофизические свойства полупроводников. Структура полупроводниковых кристаллов. Элементы зонной теории твердого тела. Микроструктурные исследования влияния электронного облучения на электрофизические характеристики полупроводниковых приборов.
курсовая работа [1,0 M], добавлен 18.09.2015Исследование физических и химических свойств наноразмерных структур, разработка методов по изучению их синтеза. Критерии эффективного внедрения нанотехнологий в промышленность. Сущность и особенности использования метода электрической эрозии в жидкости.
реферат [22,7 K], добавлен 24.06.2010Возможность формирования различных структур в стандартных пластинах монокристаллического кремния с использованием дефектов, создаваемых имплантацией водорода или гелия. Поперечная проводимость сформированных структур. Системы нанотрубок в кремнии.
реферат [6,4 M], добавлен 25.06.2010Механизм анодного окисления кремния. Влияние толщины пленки, сформированной методом ионной имплантации и водородного переноса, на ее электрофизические свойства. Электрофизические свойства структур "кремний на изоляторе" в условиях анодного окисления.
дипломная работа [327,8 K], добавлен 29.09.2013Рассмотрение исторического процесса развития электроизмерительной техники. Описание принципа действия электромагнитных, магнитоэлектрических, электродинамических (ваттметр), ферродинамических (логометры), термоэлектрических и детекторных приборов.
курсовая работа [2,1 M], добавлен 10.07.2010Исследование спектров электролюминесценции, вольт-амперных и люкс-амперных характеристик "фиолетовых" и "желтых" светодиодов в температурном диапазоне 300-90 К. Анализ процессов токопереноса, генерации и рекомбинации носителей заряда в гетероструктурах.
контрольная работа [245,8 K], добавлен 11.08.2010Характеристики, конструкция и принцип действия мегаомметра – прибора для измерения больших значений сопротивлений. Источник напряжения измерения в электромеханическом и электронном приборах. Понятие объемного и поверхностного сопротивлений изоляции.
лабораторная работа [312,5 K], добавлен 18.06.2015Производственная мощность энергетических предприятий, ее анализ и оценка эффективности, определение капиталовложений в их формирование. Порядок и принципы измерения производственной мощности оборудования, энергетических объектов, электростанций.
лекция [23,9 K], добавлен 10.06.2011Малосигнальные характеристики высокочастотных графеновых транзисторов. Получение графена и попытки химического расслоения. Получение больших образцов. Предельные размеры структур. Кристаллическая структура материала. Физические свойства носителей.
презентация [2,7 M], добавлен 12.04.2014Управление свойствами полупроводниковых материалов, основанное на формировании в полупроводниковой матрице наноразмерных кластеров. Обработка экспериментальных данных и спектральные характеристики вентильной фотоэдс, структур, содержащих нанокластеры.
презентация [552,9 K], добавлен 06.12.2015