Поляризація діелектриків
Поняття та класифікація, поляризація діелектриків. Вплив зовнішніх факторів на діелектричну проникність. Формування діелектричних плівок на поверхні напівпровідникових пластин. Отримання шарів оксиду і нітриду кремнію, реактивне іонно-плазмове розпилення.
| Рубрика | Физика и энергетика |
| Вид | курсовая работа |
| Язык | украинский |
| Дата добавления | 26.08.2016 |
| Размер файла | 616,5 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Перевагою термічного окислення є те, що ми можемо регулювати швидкість окислення і розпилення вихідної речовини і напилення плівки за допомогою добавки домішки, зміною тиску або температури.
Анодне окислення ще можна назвати електролітичним тому, що використовується електроліт, який містить від'ємно заряджені іони кисню. Властивості таких плівок залежить від вмісту електролітів. Товщину плівок можна змінювати величиною прикладеної напруги, а якість плівок можна збільшити шляхом їх згущення у парах води при підвищеній температурі.
При хімічному осадженні плівок їх якість можна підвищити якщо процес осадження розбити в присутності кисню.
СПИСОК ВИКОРИСТАНОЇ ЛІТЕРАТУРИ
1. С . Зн. Технология СБИС. - М.: "Мир", 1991.-133с.
2. Л. Холлэнд. Пленечная технология. - М.: "Мир", 1989.-254с.
3. И. С. Ефимов, И. Я. Козырь, Ю. И. Горбунов. Микроэлектроника. - М.: "Высшая школа", 1994.
4. Парфенов О. Д. Технология микросхем. - М.: "Высшая школа". - 1999.
5. Малишева І. А. Технологія виробництв інтегральних мікросхем. - М.: Радіозв'язок. - 2001.
6.Черняев В. Н., «Технология производства интегральных микросхем и микропроцессоров», М.: Радио и связь, 1987.
7.И. А. Малышева «технология производства интегральных микросхем» издательство «Радио и связь» 1991
8.Моряков О. С. «Устройство и наладка оборудования полупроводникового производства» издательство «высшая школа» 1976.
9.Ю. В. Панфилов В. Т. Рябов Ю. Б. Цветков «Оборудование производства интегральных микросхем и промышленные роботы» издательство «Радио и связь» 1988.
10.В. В. Пасынков Л. К. Чиркин А. Д. Шинков «Полупроводниковые приборы» издательство «Высшая школа» 1973.
11.«Конструирование и технология микросхем» под ред. Л. А. Коледова издательство «Высшая школа» 1984.
12.И. М. Николаев Н. А. Филинюк «Интегральные микросхемы и основы их проектирования» издательство «Радио и связь» 1992
Размещено на Allbest.ru
Подобные документы
Характеристика основних вимог, накладених на різні методи одержання тонких діелектричних плівок (термовакуумне напилення, реактивне іонно-плазмове розпилення, термічне та анодне окислення, хімічне осадження) та визначення їхніх переваг та недоліків.
курсовая работа [2,4 M], добавлен 12.04.2010Дослідження електричних властивостей діелектриків. Поляризація та діелектричні втрати. Показники електропровідності, фізико-хімічні та теплові властивості діелектриків. Оцінка експлуатаційних властивостей діелектриків та можливих областей їх застосування.
контрольная работа [77,0 K], добавлен 11.03.2013Поняття і класифікація діелектриків, оцінка впливу на них випромінювання високої енергії. Ознайомлення із властивостями діелектриків - вологопроникністю, крихкістю, механічною міцністю, в'язкістю, теплопровідністю, стійкістю до нагрівання та охолодження.
реферат [124,3 K], добавлен 23.11.2010Фізична сутність явища інтерференції світла. Перевірка якості обробки поверхонь. Поняття дифракційної решітки. Поляризація світла. Поляроїд як оптичний прилад у вигляді прозорої плівки. Основна перевага поляроїдів перед поляризаційними призмами.
презентация [346,8 K], добавлен 28.04.2014Розгляд сегнетоелектриків як діелектриків, що відрізняються нелінійною залежністю поляризації від напруженості поля; їх лінійні і нелінійні властивості. Характеристика основних груп сегнетоелектриків і антисегнетоелектриків: киснево-октаедричні і водневі.
курсовая работа [6,5 M], добавлен 12.09.2012Поділ речовин постійного струму в залежності від величини питомого опору, що вони чинять, на провідники, напівпровідники та діелектрики. Процеси, що відбуваються з провідником та діелектриком в електростатичному полі. Механізм поляризації діелектриків.
лекция [409,5 K], добавлен 15.04.2014Природне та поляризоване світло, їх схожі та відмінні риси, особливості випромінювання. Різновиди поляризованого світла, їх отримання за допомогою поляризаторів та вивчення за допомогою аналізаторів. Особливості поляризації світла при відбиванні.
реферат [699,1 K], добавлен 06.04.2009Фізичні основи процесу епітаксія, механізм осадження кремнію з газової фази. Конструкції установок для одержання епітаксійних шарів кремнію. Характеристика, обладнання молекулярно-променевої епітаксії. Легування, гетероепітаксія кремнію на фосфіді галію.
курсовая работа [2,6 M], добавлен 29.10.2010Основні поняття з електропровідності діелектриків. Залежність струму через діелектрик від часу. Електропровідність газів, рідин. Основні поняття про діелектричні втрати. Загальна характеристика явища пробою. Практичне значення розглянутих понять.
реферат [165,0 K], добавлен 22.11.2010Класифікація напівпровідникових матеріалів: германія, селену, карбіду кремнію, окисних, склоподібних та органічних напівпровідників. Електрофізичні властивості та зонна структура напівпровідникових сплавів. Методи виробництва кремній-германієвих сплавів.
курсовая работа [455,9 K], добавлен 17.01.2011