Методы измерения энергетических параметров полупроводников
Энергетическая структура полупроводников. Квантовые точки, нити и ямы. Определение ширины запрещенной зоны из температурной зависимости электропроводности полупроводников. Исследование спектральной зависимости фоточувствительности полупроводников.
Рубрика | Физика и энергетика |
Вид | реферат |
Язык | русский |
Дата добавления | 26.10.2015 |
Размер файла | 3,6 M |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
В обоих режимах после осветительного монохроматора (3) часть света отражается от светоделительной пластины (5) и попадает на приемник излучения (12) опорного канала. Электрический сигнал этого приемника зависит только от интенсивности падающего света и поэтому может служить для коррекции нестабильности сигналов флюориметрического и фотометрического приемников, которая обусловлена энергетической нестабильностью работы лампы от импульса к импульсу.
Рис.22 Оптическая схема спектрофлюорометрического анализатора «Флюорат-02-Панорама»
1-Источник излучения
2-Устройство отсечки второго порядка дифракции
3- Монохроматор осветительного канала(возбуждения)
4,7- Светофильтры каналов возбуждения и регистрации люминесценции
5,10- Светоделительные пластины
6- Кювета с анализируемой пробой
8- Монохроматор флюорометрического канала
9- Фотоприемник флюорометрического канала(ФЭУ)
11- Фотоприемник канала пропускания
12- Фотоприемник опорного канала
Заключение
Изучены методы контроля энергетических параметров полупроводников и квантово-размерных структур. Рассмотрены электрический и оптические методы.
Исследование температурной зависимости электропроводности - неразрушающий метод исследования полупроводников, позволяющий определить ширину запрещенной зоны и глубину залегания примесных уровней в акцепторном или дырочном полупроводнике. Данный метод довольно прост в исполнении, однако может потребоваться изменение температуры в довольно широком интервале.
Исследование спектров фотопроводимости, фотопоглощения и люминесценции относятся к оптическим методам исследования полупроводников. Они позволяют определить ширину запрещенной зоны, энергию ионизации примесей, энергию уровней дефектов. Метод фотопоглощения также позволяет определить тип зонной структуры проводника, энергию фононов в непрямозонном полупроводнике. При низких температурах этот метод позволяет исследовать экситонное поглощение. Схож с ним метод анализа спектра люминесценции. Эти два метода используются для исследования квантово-размерных структур и позволяют определить их энергетическую структуру.
Список литературы
C. Delerue, M. Lannoo, Nanostructures: Theory and Modelling, 2004.
M. A. Reed, J. N. Randall, R. J. Aggarwal, R. J. Matyi, T. M. Moore, A. E. Wetsel, Phys Rev Lett, 60 535-537, 1988.
X. Wang, J. Ding, J. Li, H. Jiang, Z. Wang,W. Shi, Advanced Materials Research, Vol. 345, pp. 29-34, 2012.
В. Я. Алешкин, Н. А Бекин, М. Н. Буянова, Б. Н. Звонков, А. В. Мурель, Физика и техника полупроводников, том. 33, вып. 10, 1999.
Шалимова К.В. Физика полупроводников: Учебник., «Лань», 2010.
Павлов П.В., Хохлов А.Ф. Физика твердого тела: Учебник., «Дзержинская типография», 1993.
Хохлов А.Ф. «Физика твердого тела: Лабораторный практикум. Т.2. Физические свойства твердых тел». Изд. ННГУ, 2000.
Размещено на Allbest.ru
Подобные документы
Основы и содержание зонной теории твердого тела. Энергетические зоны полупроводников, их типы: собственные и примесные. Генерация и рекомбинация носителей заряда. Исследование температурной зависимости электрического сопротивления полупроводников.
курсовая работа [1,8 M], добавлен 09.06.2015Поглощение света свободными носителями заряда. Электрография и фотопроводимость полупроводников. Влияние сильных электрических попей на электропроводность полупроводников. Подвижность носителей в ионных кристаллах и полупроводниках с атомной решеткой.
реферат [1,6 M], добавлен 28.03.2012Сведения о полупроводниках их классификация. Собственная и примесная проводимость полупроводников. Характеристика группы органических полупроводников. Электропроводность низкомолекулярных органических полупроводников. Электрические свойства полимерных.
курсовая работа [779,2 K], добавлен 24.07.2010Основные свойства полупроводников. Строение кристаллов. Представления электронной теории кристаллов. Статистика электронов в полупроводниках. Теория явлений переноса. Гальваномагнитные и термомагнитные явления. Оптический свойства полупроводников.
книга [3,8 M], добавлен 21.02.2009Как создаются квантовые структуры. Квантовые ямы, точки и нити. Метод молекулярно-лучевой эпитаксии. Мосгидридная газофазная эпитаксия. Метод коллоидного синтеза. Энергетические зоны на границе двух полупроводников. Методы изготовления квантовых нитей.
курсовая работа [203,3 K], добавлен 01.01.2014Расчет температурной зависимости концентрации электронов в полупроводнике акцепторного типа. Определение и графическое построение зависимости энергии уровня Ферми от температуры: расчет температур перехода к собственной проводимости и истощения примеси.
курсовая работа [3,1 M], добавлен 15.02.2013Удельное сопротивление полупроводников. Строение кристаллической решетки кремния. Дефекты точечного типа и дислокации. Носители заряда и их движение в электрическом поле. Энергетические уровни и зоны атома. Распределение носителей в зонах проводимости.
презентация [150,3 K], добавлен 27.11.2015Как устроен пьезоэлектрический полупроводник. Поглощение и усиление звука. Нелинейные эффекты при усилении звука. Усиление акустических шумов и связанные с этим явления. Звукоэлектрический эффект. Пьезоэлектрический эффект.
реферат [29,3 K], добавлен 11.01.2004Общие сведения о полупроводниках. Методы очистки и переплавки полупроводниковых материалов. Металлургия германия и кремния. Применение полупроводников. Тепловые сопротивления. Фотосопротивления. Термоэлементы. Холодильники и нагреватели.
реферат [26,8 K], добавлен 25.06.2004Электрические методы исследования электрофизических и фотоэлектрических свойств полупроводников. Метод нестационарной спектроскопии глубоких уровней, фотопроводимость. Шумовые свойства фоторезисторов при совместном действии напряжения и фоновой засветки.
дипломная работа [1,1 M], добавлен 02.10.2015