Структура і стимульовані зміни параметрів об’ємних та плівкових нанокомпозитів Bi(Sb)–As2S3
Об'ємні композити системи Bi(Sb)2S3-As2S3 та аморфні багатошарові наноструктури на основі халькогенідних напівпровідників As2S3 з Bi i Sb. Зміна оптичних та електрофізичних властивостей нанокомпозитів за рахунок фото- і термоіндукованих процесів.
| Рубрика | Физика и энергетика |
| Вид | автореферат |
| Язык | украинский |
| Дата добавления | 26.09.2015 |
| Размер файла | 41,2 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Ключевые слова: халькогенидные стекла, нанокомпозиты, система Bi(Sb) - As2S3.,наногетероструктуры, многослойные плёнки.
Voynarovych I. M. Structure and stimulated changes of parameters Bi(Sb) - As2S3. bulk and multilayer nanocomposites. - Manuscript.
Thesis for Candidate of science degree in physics and mathematics in specialty 01.04.10 - physics of semiconductors and insulators. - Uzhgorod national University. Uzhgorod, 2009.
The dissertation is devoted to the research of structure and stimulated changes of parameters of nanocomposites in film and bulk forms on the basis of semiconductors from chalcogenide system Bi(Sb) - As2S3 . Using the method of incorporation of nanopowder into the melted chalcogenide glasses, as well as the recrystallization of the (As2S3) х (Bi2S3)1-x solid solution bulk nanocomposites with nonoriented, or partially oriented crystalline Bi2S3 phase are fabricated . It is shown, that incorporation of Bi2S3 in chalcogenide glass and thermal processing influence optical and electrophysical properties of a composite. High qualitative layered structures are fabricated by a method of cyclic vacuum thermal evaporation. These are suitable for researches of operated changes of optical and electrophysical parameters of multilayered structure. The character of changes of electroconductivity and optical absorption which occure mainly at the expense of diffusion of metal and chalcogen is defined. The result of interdiffusion is formation of molecules or cluster structures SbS3/2 or BiS3/2 which can remain as elements of an amorphous matrix or to be allocated in the form of crystal phase Bi2S3 or amorphous phase Sb2S3. It is shown, that Bi (Sb)/As2S3 multilayered structures are effective media for amplitude-phase recording with parameters Dt 0.6m ? 70 %, Dn0.6m =0.1, Ds = 102 Ohm-1Чсm-1. Optimum are structures with 1,5ё2 nanometer thickness of sublayers Sb and Bi and thickness of buffer As2S3 layers approximately 5ё8 nanometers. Interdiffusion of components in Bi(Sb)\As2S3 nanoheterostructure has mainly thermoactivated character with an essential contribution of photoactivated component in the case of Sb-containing structures. The developed materials can be used for creation of elements of diffraction optics and media for archival memory.
Key words: chalcogenide glasses, nanocomposites, Bi(Sb) - As2S3 system, nanomultilayers.
Размещено на Allbest.ru
Подобные документы
Електрофізичні властивості гранульованих плівкових сплавів в умовах дії магнітного поля. Дослідження електрофізичних властивостей двошарових систем на основі плівок Ag і Co, фазового складу та кристалічної структури. Контроль товщини отриманих зразків.
дипломная работа [3,9 M], добавлен 08.07.2014Вивчення зонної структури напівпровідників. Поділ речовин на метали, діелектрики та напівпровідники, встановлення їх основних електрофізичних характеристик. Введення поняття дірки, яка є певною мірою віртуальною частинкою. Вплив домішок на структуру.
курсовая работа [1002,2 K], добавлен 24.06.2008Експериментальне дослідження й оцінка термо- і тензорезистивних властивостей двошарових плівкових систем на основі Co і Cu, Ag або Au та Fe і Cr та апробація теоретичних моделей. Феноменологічна модель проміжного шару твердого розчину біля інтерфейсу.
научная работа [914,9 K], добавлен 19.04.2016Визначення методу підсилення пасивації дефектів для покращення оптичних та електричних властивостей напівпровідників. Точкові дефекти в напівпровідниках та їх деформація. Дифузія дефектів та підсилення пасивації дефектів воднем за допомогою ультразвуку.
курсовая работа [312,3 K], добавлен 06.11.2015Природа твердих тіл, їх основні властивості і закономірності та роль у практичній діяльності людини. Класифікація твердих тіл на кристали і аморфні тіла. Залежність фізичних властивостей від напряму у середині кристалу. Властивості аморфних тіл.
реферат [31,0 K], добавлен 21.10.2009Огляд оптичних схем монокулярів: об’єктивів, призових обертаючих систем, окулярів. Розрахунок діаметра польової діафрагми. Огляд оптичних схем Кеплера і Галілея. Розрахунок кардинальних параметрів телескопічної системи за допомогою нульових променів.
курсовая работа [1,9 M], добавлен 06.04.2013Елементи зонної теорії твердих тіл, опис ряду властивостей кристала. Постановка одноелектронної задачі про рух одного електрона в самоузгодженому електричному полі кристалу. Основні положення та розрахунки теорії електропровідності напівпровідників.
реферат [267,1 K], добавлен 03.09.2010Види магнітооптичних ефектів Керра. Особливості структурно-фазового стану одношарових плівок. Розмірні залежності магнітоопіру від товщини немагнітного прошарку. Дослідження кристалічної структури методом електронної мікроскопії та дифузійних процесів.
контрольная работа [1,5 M], добавлен 19.04.2016Вивчення закономірностей тліючого розряду, термоелектронної емісії. Дослідження основних властивостей внутрішнього фотоефекту, впливу електричного поля на електропровідність напівпровідників. Експериментальне вивчення ємнісних властивостей p–n переходів.
учебное пособие [452,1 K], добавлен 30.03.2009Процеси інтеркаляції водню матеріалів із розвинутою внутрішньою поверхнею. Зміна параметрів кристалічної гратки, електричних і фотоелектричних властивостей. Технологія вирощування шаруватих кристалів, придатних до інтеркалюванняя, методи інтеркалювання.
дипломная работа [454,6 K], добавлен 31.03.2010
