Акустична емісія в світловипромінюючих структурах на основі сполук GaP, GaAs та GaN
Акустична емісія в напівпровідникових світловипромінюючих структурах при протіканні електроструму. Акустичний відгук в монокристалах при дії на їх поверхню наносекундного лазерного випромінювання. Динаміка дефектоутворення напівпровідникових структур.
| Рубрика | Физика и энергетика |
| Вид | автореферат |
| Язык | украинский |
| Дата добавления | 26.09.2015 |
| Размер файла | 51,9 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
The thesis are devoted to research of acoustic emission (AE) in semiconductor light-emitting structures based on GaP, GaAs and GaN compounds at flowing of a direct electric current, and acoustic response in GaAs and CdTe single crystals under action of nanosecond pulse of laser radiation on their surface. In thesis the perspective direction of solid state physics connected with use of the acoustic emission phenomenon as purposeful nondestructive method of studying of defect formation dynamics in real time mode in semiconductor structures is developed.
By given АЕ method it is received practically important information on processes of natural ageing of light- emitting structures based on the GaAsP, GаP and GaAlAs compounds, which for time 6·108 s. raise the maximal admissible of current density, in particular density of destruction currents and a occurrence АЕ threshold in 10-20 times. For the first time it is shown, that changes in electroluminescence spectrum which traditionally explained with change of point defect states, correlate with acoustic emission occurrence due to process of reorganization of material structure in local volumes. Melting thresholds of a plane (111) GaAs and CdTe compounds are established at nanosecond laser irradiation on amplitude change of the acoustic response.
Keywords: GaP, GaAs, GaN, acoustic emission, defect formation, electroluminescence, laser irradiation.
Размещено на Allbest.ru
Подобные документы
Основні властивості неупорядкованих систем (кристалічних бінарних напівпровідникових сполук). Характер взаємодії компонентів, її вплив на зонні параметри та кристалічну структуру сплавів. Електропровідність і ефект Холла. Аналіз механізмів розсіювання.
реферат [558,1 K], добавлен 07.02.2014Класифікація напівпровідникових матеріалів: германія, селену, карбіду кремнію, окисних, склоподібних та органічних напівпровідників. Електрофізичні властивості та зонна структура напівпровідникових сплавів. Методи виробництва кремній-германієвих сплавів.
курсовая работа [455,9 K], добавлен 17.01.2011Сутність та причини виникнення термоелектронної емісії. Принцип дії найпростіших електровакуумних приладів. Процес проходження електричного струму через газ. Характеристика та види несамостійних та самостійних розрядів. Поняття і властивості плазми.
курс лекций [762,1 K], добавлен 24.01.2010Современное состояние элементной базы полупроводниковых оптических преобразователей. Воздействие электромагнитного излучения видимого и инфракрасного диапазонов на параметры токовых колебаний в мезапланарных структурах на основе высокоомного GaAs n-типа.
дипломная работа [1,8 M], добавлен 18.07.2014Проходження частинки через потенціальний бар'єр. Холодна емісія електронів з металу. А-розпад важких ядер. Реакція злиття тяжкого та надважкого ізотопів водню. Скануючий тунельний мікроскоп. Вивчення квантової механіки в курсі фізики середньої школи.
курсовая работа [2,0 M], добавлен 19.05.2015Природа і спектральний склад сонячного світла, характер його прямого та непрямого енергетичного перетворення. Типи сонячних елементів на основі напівпровідникових матеріалів. Моделювання електричних характеристик сонячного елемента на основі кремнію.
курсовая работа [2,3 M], добавлен 17.06.2014Загальна характеристика терагерцового випромінювання. Напівпровідникові гетероструктури. Загальна характеристика речовин GaAs, AlAs. Будова надрешітки. Рух електронів у статичному електричному полі та у терагерцових полях. Використання осцилятора.
курсовая работа [3,2 M], добавлен 04.12.2014Електрофізичні властивості напівпровідників та загальні відомості і основні типи напівпровідникових розмикачів струму. Промислові генератори імпульсів на основі ДДРВ й SOS-діодів, дрейфовий діод з різким відновленням, силові діоди на базі P-N переходів.
дипломная работа [254,4 K], добавлен 24.06.2008Классификация квантоворазмерных гетероструктур на основе твердого раствора. Компьютерное моделирование физических процессов в кристаллах и квантоворазмерных структурах. Разработка программной модели энергетического спектра электрона в твердом теле.
дипломная работа [2,2 M], добавлен 21.01.2016Методи створення селективних сенсорів. Ефект залежності провідності плівки напівпровідникових оксидів металів від зміни навколишньої атмосфери. Види адсорбції. Природа адсорбційних сил. Установка для вимірювання вольт-амперних характеристик сенсора.
контрольная работа [1,1 M], добавлен 27.05.2013
