Електролюмінесцентні плівкові структури та індикатори на основі широкозонних матеріалів та НВЧ кераміки

На основі плівок моноокислу кремнію, легованих Tb, були створені і досліджені електролюмінесцентні структури з керамічним діелектриком. У цій структурі при зміні температури відпалу плівок, змінюється колір свічення із зеленого на блакитній. Яскравості випромінювання складають відповідно до 1000 і 100 кд/м². Крім того, спостерігалася інтенсивна електролюмінесценція в ультрафіолетовій області з максимумом 380 нм. Встановлено, що вузька лінія обумовлена переходом ₅D³>₇F⁶ в іоні Tb.

Показана можливість створення гібридного повнокольорового пристрою при поєднанні ЕЛ шару з плівки SiO_x:Tb і плівки ефективного фотолюмінофора.

Розроблено методи дослідження ефективності і надійності ЕЛІ, а також можливості прогнозування надійності топологічної структури і ЕЛІ в цілому.

Питання визначення рівня надійності і ефективності ЕЛІ зазвичай вирішувалось в основному виключно експериментально, що є неприйнятним при відпрацюванні різних типів ЕЛІ і їх серійному випуску.

Було проведено порівняння методів контролю якості діелектричних плівок і структур ЕЛІ з метою їх використання для серійного виробництва, розглянуті і експериментально випробувані електрохімічний, оптичний з використанням мікроскопії і запропонований нами метод телевізійної мікроскопії і мікроспектрофотометрії з комп'ютерною обробкою і візуалізацією досліджуваних областей. Найкращі результати одержані при використанні останнього методу при серійному виробництві. Цей метод мав розділення не гірше 0,2 ч 0,5 мкм і дав можливість ідентифікувати крізні і некрізні пори, нерівності рельєфу плівок, а також нерівномірність свічення, прогрівання, тощо.

За допомогою цього методу був досліджений один з основних типів відмови матричних ЕЛІ на скляній підкладці - пробій, що поширюється, в процесі електротренування. Були визначені умови і механізм виникнення різного типу пробоїв і методи оцінки ймовірності їх виникнення, що дає можливість вибрати режим електротренування.

Проте, незважаючи на вибір режиму електротренування, відмови, зумовлені пробоями, були основною причиною зниження відсотку виходу придатних індикаторів. Для поліпшення цих показників нами був розроблений метод контролю якості ЕЛІ з одночасним електротренуванням - метод спектру пробоїв.

Він полягав в збудженні ЕЛІ поступово плавно зростаючою напругою, яка вимикалася у момент виникнення пробою, не доводячи його до критичного. Крім того, по спектру пробоїв можна як встановити загальну кількість мікропробоїв, так і визначити, до якого типу ці пробої відносилися, в якому шарі знаходився мікродефект.

На підставі проведених досліджень і великого масиву обробки серійних зразків ЕЛІ була розроблена методика прогнозування раптових відмов залежно від умов збудження і експлуатації, а також типу і матеріалів структури ЕЛІ, технології її виготовлення.

Наведено дані з дослідження впливів високочастотної ультразвукової (УЗ) дії на властивості тонкоплівкових електролюмінесцентних структур.

У МДНДМ структурах ЕЛІ на скляній підкладці під дією збуджуючої напруги відбуваються релаксаційні процеси, пов'язані з формуванням меж поділу діелектрик - напівпровідник - діелектрик. При дії УЗ поля на МДНДМ структури ЕЛІ було виявлено значне прискорення стабілізаційних процесів (зі 100 до 5 ч 6 годин). Запропонований механізм дії УЗ обробки на структури ЕЛІ і встановлені оптимальні режими обробки.

При дії УЗ коливань на МДНДМ структури ЕЛІ було виявлено поява гістерезису ВЯХ із зміщенням низхідних гілок у бік нижчої збуджуючої напруги. Величина ефекту залежала від питомої потужності УЗ коливань. Одержаний гістерезис стійкий в часі як при зберіганні, так і при роботі ЕЛІ. Запропонований фізичний механізм формування гістерезису.

Під впливом дії УЗ коливань в допорогової області виявлена електролюмінесценція - вірніше, акусто-електролюмінесценція. Люмінесценція спостерігалася при напрузі на 10 ч 20 Вольт нижче порогового і зникала при знятті акустичної дії. Запропонований фізичний механізм, що пояснює це явище.

При дослідженні впливу УЗ опромінення на працюючі структури ЕЛІ на основі ZnS (TbF₃) в області до перегину ВЯХ було виявлено значне зростання яскравості індикатора. Це збільшення не могло бути простим додаванням напруги, оскільки індикатор збуджувався синусоїдальною напругою 120 ч 150 В частотою 5 кГц, а УЗ коливання - частотою 4,2 МГц амплітудою 2 ч 4 Вольти.

Проте цей ефект значно помітніше на малих яскравостях ЕЛІ, не перевищуючи максимальної яскравості, що одержується на структурі ЕЛІ без УЗ дії, але при великих значеннях напруги збудження. Показано, що зростання інтенсивності випромінювання пов'язане з підвищенням активації поверхневих електронних станів і не змінює спектральний склад випромінювання.

Запропонована методика, що дає можливість за допомогою УЗ обробки одержувати дані про поверхневі електронні стани межі поділу діелектрик - напівпровідник, визначаючи їх електричне положення і концентрацію електронів на цьому енергетичному рівні.

Усі досліджені ефекти по дії УЗ коливань, окрім наукового інтересу, мають і прикладне значення.

У четвертому розділі «Індикатори з активною керамічною підкладкою» описані конструкція і технологія виготовлення розроблених ЕЛІ різних типів з активною керамічною підкладкою-шаром.

Вивчено особливості створення ЕЛІ з активною керамічною підкладкою-шаром.

Були проведені структурно-аналітичні дослідження, які дали можливість встановити, що поверхня кераміки має великі нерівності (1,6 ч 3,0 мкм), пов'язані із зернами спеченої кераміки, що виходить на поверхню. Після поліровки величина нерівностей не перевищувала 0,2ч0,3 мкм. Проведені порівняльні вимірювання яскравостей ЕЛІ на оброблених і необроблених підкладках показали, що при товщині люмінесцентного шару менше 0,7 ч 0,8 мкм помітно вплив нерівностей неполірованої підкладки на яскравість індикатора.

Розробка технології поєднання кераміки з високим е на основі BaTiO₃ і конструкційної алюмооксидної кераміки дала можливість створити механічно міцну підкладку з нанесеним на ній тонким (~ 0,1 мм) шаром надвисокочастотної (НВЧ) кераміки, а зміна складу кераміки, шляхом вступу додаткових складових PbO, CeO₂ та ін. привело до створення кераміки з е_max = 16000 і зміною е до 10 ч 12 тисяч в інтервалі температур - 60⁰С ч +80⁰С. Випробування створеної кераміки на електричну міцність показало, що плівка завтовшки 40 мкм витримує напругу до 500 ч 550 В, що відповідає напруженості електричного поля (12 ч 13) Ч 10⁴ В/см. Була оцінена можливість так званого електротермічного пробою, яка склала ~ 600 ч 700 В при товщині кераміки 0,1 мм, проте при цьому не був врахований поліпшений тепловідвід за рахунок конструкційної кераміки (Al₂O₃).

Для обробки керамічних підкладок були розроблені спеціальні захисні маски і травильники на основі сірчаної кислоти і сірчанокислого алюмінію як інгібітора, а також вибрані оптимальні температури і час травлення.

За допомогою розроблених технологій була виготовлена структура керамічної підкладки, що дає можливість створювати матричні ЕЛІ без операцій фотолітографії по верхньому (прозорому) електроду. Розглянуто декілька варіантів створення таких структур.

Для створення ЕЛІ на кераміці було необхідним відпрацювання вибору нових типів прозорих електродів, оскільки плівки ITO (окис індію-олова) на нерівній поверхні не давали можливості одержувати опір електроду менше 200 Ом/?. Були випробувані різні варіанти: порошкові прозорі електроди на основі In₂O₃, легованого Sn, з величиною зерна від 0,01 до 0,05 мкм; порошкових електродів з каналом провідності; плівкових на основі ITO c додатковим каналом провідності.

Найкращі результати одержані на ЕЛІ з прозорими електродами з каналами провідності. Опір такого електроду на довжині 60 мм складав 1,0 ч 2,0 Ом, тобто 2 ч 3 Ом/дм.

Для вибору оптимального матеріалу діелектричних шарів запропонована методика розрахунку з урахуванням тангенса кута діелектричних втрат, пробивної напруги, діелектричної проникності. Ця методика зручна для експрес-аналізу структур ТПЕЛИ на основі ZnS з різними діелектриками, але може бути застосовна для конденсаторних структур будь-якого типу.

Наведено опис розроблених конструкцій і технології виготовлення електролюмінесцентних випромінювачів на основі кераміки. Випромінювачі це ЕЛІ з постійною світловою інформацією.

Розроблені ЕЛ випромінювачі з одно- і двостороннім підключенням живлення. Перевагою одностороннього підключення є те, що підведення електроживлення здійснюється із зворотної по відношенню до ЕЛ структурі ЕЛІ сторони кераміки. Таким чином, виключається технологічна операція під'єднання контакту до прозорого електроду, що підвищує надійність контакту і спрощує процес герметизації.

На основі розроблених монохромних ЕЛІ були розроблені двоколірні і багатоколірні ЕЛІ з двостороннім і одностороннім підключенням напруги живлення. Передбачена можливість змішування кольорів свічення для одержання необхідного кольору свічення.

Розроблений ЕЛ випромінювач з додатковим металевим шаром (ізольованим від джерела живлення і розташованим між ЕЛ структурою ЕЛІ і керамічною підкладкою). Введення цього електроду дає можливість поліпшити умови тепловідводу, підвищити яскравість випромінювача (до 50%) і поліпшити рівномірність свічення.

Розроблені електролюмінесцентні випромінювачі з поглибленням спеціальної форми, у якого електролюмінесцентний шар, оточений тонкими (~ 0,1 мкм) діелектричними шарами, розміщений між двома металевими відбиваючими шарами, один з яких є електродним, а інший - що пасивним відбиває. Випромінювання виводиться з торців ЕЛІ структури і характеризується дуже високою питомою яскравістю до 10 ч 20 тисяч кд/м² при збудженні напругою ~ 120 ч 150 В, частотою 2 кГц.

Аналогічні ЕЛІ можуть бути виготовлені в площинному варіанті, являючи собою торцеві випромінювачі високої яскравості, що можуть знайти використання в різних записуючих або шкальних пристроях, - зважаючи, що вони можуть бути виготовлені різноколірними.

З використанням кераміки нами були запропоновані ЕЛІ з можливістю випромінювання в обидві сторони від підкладки, причому колір свічення може бути різним. Даний ЕЛІ може працювати на постійній напрузі при використанні відбиваючих металевих шарів як електродних.

Розроблені різні конструкції багатоколірних ЕЛІ з метою забезпечення найкращих умов змішування кольорів з урахуванням різної їх яскравості і можливості незалежного управління кольорами.

Для запропонованих різних типів електролюмінесцентних випромінювачів розроблена технологія виготовлення і створені макетні зразки індикаторів.

Описано конструкції розроблених нами знакосинтезуючих індикаторів і технології їх виготовлення. Одним з таких знакосинтезуючих індикаторів є індикатор з ключовим комутуючим елементом, що управляє шинами, розташованими із зворотного боку керамічної підкладки. З боку ЕЛІ структури електродом є суцільний прозорий електропровідний шар. Різновидами такого індикатора, виконаного для підвищення контрастності зображення, є індикатор з крізним вікном в діелектриці і індикатор з темним полем. Описується також технологія виготовлення і конструкції шести різних знакосинтезуючих індикаторів, що відрізняються один від одного деякими конструктивними елементами і способами формування рисунка. Приведені дані по вимірюванню їх надійносних і світлотехнічних характеристик.

Описані конструкції і технологія виготовлення розроблених матричних ЕЛІ на активній керамічній підкладці. Одним з найцікавіших є створення матричного ЕЛІ з низьковольтним управлінням. Для цього були введені додаткові растри діелектричних і металевих шарів, що повторюють форму растру електродів, розташованих на протилежній від ЕЛМ структури стороні керамічної підкладки.

Для збільшення контрастності і виключення підсвічування був розроблений матричний ЕЛІ з додатковим шаром вирівнюючого діелектрика, який був розташований між растром металевого концентратора. Розглянута конструкція і технологія виготовлення цього індикатора.

Розглянуті варіанти створення монохромних і кольорових матричних ЕЛІ, у яких електролюмінесцентна структура розташована в поглибленнях керамічної підкладки, а також технологія їх виготовлення. Описані запропоновані конструкції багатоколірних матричних ЕЛІ з послідовним і планарним розташуванням електролюмінесцентних шарів і технологія їх виготовлення. Відзначено їх особливості і переваги кожного типу індикаторів.

Для усіх типів матричних ЕЛІ приведені основні надійносні і світлотехнічні параметри.

Розглянута технологія виготовлення матричного монохромного ЕЛІ з використанням лазерного скрайбування для створення растру верхніх електродів. Матричний ЕЛІ такого типу відрізняється простотою виготовлення і підвищеним контрастом зображення.

Описана запропонована конструкція і технологія виготовлення збірного матричного ЕЛІ. Такий індикатор збирається методом пайки із стандартних модульних матричних індикаторів. При цьому забезпечується практично безшовне стикування. Цей тип ЕЛІ є надзвичайно перспективним.

Дослідження, проведені на виготовлених макетних зразках матричних ЕЛІ усіх типів, показали високу надійність одержаних індикаторів і перспективність цього напряму в створенні ЕЛІ.

Розглянуто створені ЕЛІ на гнучкій основі. Були розроблені плівкові і порошкові ЕЛІ на гнучкій основі. Як підкладка були використані органічні плівки лавсан, тетрафторетилен, а також металева фольга. Особливістю плівкових ЕЛІ на гнучкій основі є використання лавсанових плівок з прозорим електродом і виведення випромінювання в обидві сторони індикатора. Якщо один з електродів - металевий, що відбиває, яскравість випромінювання підвищується. ЕЛІ такої конструкції відрізняються малою надійністю навіть при використанні як діелектрика керамічних плівок. Більший інтерес становлять створені нами порошкові ЕЛІ змінного типу на гнучкій підкладці. Особливостями таких індикаторів було використання порошкового прозорого електропровідного шару, шару з керамічного порошку, використання як підкладки алюмінієвої фольги і герметизації структури багатошаровими органічними плівками з тетрафторетилену з його профілізацією. Ці ЕЛІ відрізняються високою яскравістю (500 ч 1200 кд/м²) при напрузі 100 ч 150 В і частоті 400 ч 800 Гц. Термін служби таких індикаторів складав 5 ч 10 тисяч годин.

ВИСНОВКИ

В дисертаційній роботі вирішено науково-технічну проблему розробки фізико-технологічних основ створення тонкоплівкових електролюмінісцентних індикаторів широкого спектру випромінювання з оптичними та електрофізичними характеристиками, що дають можливість відображати інформацію з телевізійною частотою, забезпечуючи при цьому тривале збереження заданих експлуатаційних характеристик та надійність роботи.

1. Запропоновано квантово-хімічну модель люмінесцюючого центру (кластера), який містить іони РЗЕ в решітці широкозонної матриці. Запропоновано та апробовано метод моделювання люмінесценції іонів РЗЕ в широкозонних оксидних, сульфідних та оксисульфідних матрицях. Розраховано енергетичні спектри інтенсивності смуг люмінесценції від типу матриці, складу, симетрії та геометрії кластера. Встановлені основні закономірності в зміні інтенсивності смуг в спектрі люмінесценції і в залежності від типу спів легуючої домішки, іонного та ковалентного радіусів ліганда та міжатомної відстані матриці, напруженості електричного поля в діапазоні 10³-3Ч10⁶ В/см. Показано, що працюють два механізми збудження центру свічення, причому в області «сильних» полів переважає інтенсивність «синіх» смуг люмінесценції.

2. Показано, що число ліній в спектрі люмінесценції кластерів з РЗЕ та їх інтенсивність збільшується в складних оксидних та оксисульфідних матрицях РЗЕ. Експериментально підтверджені розрахункові залежності, одержані при моделюванні люмінесценції кластерів з іонами РЗЕ. В сульфідних матрицях CaS і SrS, легованих Eu та Ce, виявлено ІЧ-стимульовану фотолюмінесценцію.

3. Проведені дослідження плівок ZnS та ZnO, легованих Cu і Ga, дали можливість встановити особливості механізму люмінесценції, їх зв'язок з кристалічною структурою плівки. Розроблена технологія легування цих плівок дала можливість створити високо яскраві катодо- та електролімінофори зеленого та голубого кольорів свічення. Легуванням плівок ZnS - Ho, Er були одержані електролюмінофори із зміною спектра випромінювання від жовтого до зеленого і білого, від оранжевого до білого при зміні напруги збудження, а на основі плівок CdF₂ - Sm, Er люмінофори з широкою інтенсивною смугою в синій області спектра змінюється при підвищенні температури від от 77 до 300 К. Дослідження фото-, електро- та катодолюмінесценції цих матеріалів дало можливість встановити природу центрів та механізм випромінювальної рекомбінації в них.

4. Розроблені хімічна та плазмохімічна технології одержання плівок карбіду кремнію на іншорідних підкладках великої площі. Хімічно осаджені плівки -SiC з підвищенням температури переходять від аморфної до полікристалічної фази, причому випромінювальна рекомбінація відбувається через донорно-акцепторні пари та екситонні рівні. Плазмохімічне осадження дає змогу одержувати аморфні плівки -SiC, випромінювальна рекомбінація яких зумовлена наявністю зв'язків C-H та Si-H. Показана можливість створення світлодіодних структур як на одержаних плівках SiC, так і на структурах GaN/SiC.

5. На метал-діелектрик-напівпровідник-діелектрик-метал структурах електролюмінесцентних індикаторів (ЕЛІ) на основі ZnS:Mn досліджені процеси деградації їх характеристик в процесі роботи. Встановлено, що термічний відпал структури ЕЛІ, який проводять з метою активації домішок, зниження порогу запалювання та збільшення ефективної яскравості, призводить до зростання деградаційної залежності вольт-яскравісних характеристик (ВЯХ). З урахуванням цього розроблена низькотемпературна технологія одержання структур ЕЛІ без деградаційно-стабілізаційного зсуву ВЯХ в часі. Проведені дослідження характеристик ЕЛІ на основі ZnO_x:Tb показали значне збільшення яскравості та ефективності люмінесценції при тривалому (понад 1,5 року) зберіганні, що пов'язано з повільністю процесів дифузії в матеріалі люмінесцентної структури та її взаємодії з киснем.

6. Проведені порівняльні дослідження характеристик ЕЛІ з тонкоплівковими та керамічними діелектриками дало можливість встановити, що введення в структуру ЕЛІ достатньо товстого керамічного діелектрика (40-500 мкм) з високою діелектричною проникністю (5Ч10³ ч 2Ч10⁴) дає змогу створити високонадійні, з великим (3-5 разів) запасом електричної міцності, індикатори, які за низкою параметрів (імпульсна яскравість, поріг запалювання, час нарощення хвилі яскравості, контрастності) значно переважають індикатори на скляних підкладках.

7. Розроблені модифікована кераміка на основі BaTiO₃ з домішками PbO, CeO₂, TiO₂, ZrO₂ з діелектричною проникністю 10⁴ та технологія її суміщення з конструкційною керамікою, що дало можливість створити механічно міцні ЕЛІ з розширеним температурним діапазоном, а використання на границях лімінісцентного шару фтормістких діелектриків - збільшити ефективність люмінесценції.

8. Розроблена невакумна технологія одержання електролюмінісцентних структур за MOCVD методом в проточній газотранспортній системі в безперервному режимі пошарового осадження, включаючи прозорі, діелектричні, електропровідні та електролюмінесцентні шари, причому останні леговані різноманітними домішками в процесі росту. Проведені дослідження одержаних плівок та структури в цілому.

9. Для створення різного роду порошкових і комбінованих електролімінесцентних індикаторів були досліджені порошки та плівки різних широкозонних матеріалів (CdS, CdS_xSe_1-x, In₂O₃, Ga₂O₃). Була розроблена технологія одержання нанорозмірних порошків оксидів Mn, Bi, Ga, Al, Fe, Zn, Cu, Y, Li, Ln. Показано, що при зміні технологічних режимів можна одержувати зерна розміром від 50 Е до 2 мкм. Проведені дослідження фазового складу порошка Ga₂O₃ показали наявність гексагональної та кубічної модифікації чистого Ga₂O₃.

10. Досліджені світлотехнічні електричні характеристики різних типів структур ЕЛІ з керамічним діелектриком. Встановлено, що використання тільки одного керамічного шару дає можливість одержати електрично надійні високо яскраві структури, однак призводить до асиметрії хвиль яскравості і порівняно високих діелектричних втрат, через що на границях люмінесцентного шару необхідно розташовувати тонкі (0,05 мкм) діелектричні шари, що підвищує ефективність, яскравість і крутизну ВЯХ ЕЛІ.

11. В ЕЛІ з керамічним діелектриком та люмінесцентним шаром на основі SiO_x:Tb було виявлено залежність спектру світлення від температури термообробки: до 800⁰С - зелене випромінювання, а понад 900⁰С - голубе випромінювання яскравістю відповідно 300 і 20 кд/м². Кріт того, спостерігалась інтенсивна електролімінесценція в ультрафіолетовій області спектра (380 нм), що дає змогу створити гібридний повнокольоровий електролюмінісцентний пристрій при поєднанні електролюмінісцентного шару SiO_x:Tb та ефективних плівкових фотолюмінофорів.

12. Визначено можливості використання різних методик контролю шаруватої структури ЕЛІ. Для контролю плівок і структур запропоновано модернізований метод телевізійної мікроскопії та мікро спектрофотометрії з комп'ютерною обробкою. Розроблено метод контролю якості структури ЕЛІ, який поєднує електротренування з відбраковкою ЕЛІ. Проаналізовано типи та причини відмов та запропоновано метод прогнозування надійності ЕЛІ в залежності від матеріалу та виду структури індикатора, умов збудження та експлуатації.

13. Виявлено вплив ультразвукового діяння на прискорення стабілізаційних процесів. Виявлені та досліджені нові явища - акусто-електролюмінесценція в низько польовій області ВЯХ ЕЛІ та ефект акустичної пам'яті. Розроблено метод визначення параметрів електронних станів на границі розділу електролюмінісцентний шар-діелектрик з застосуванням ультразвукової обробки.

14. Встановлено температурні границі термічної обробки пьєзокерамік на повітрі і у вакуумі, граничні напруженості електричного поля, при яких може відбутись електромеханічний пробій структури ЕЛІ та розроблені сполуки для хімічної обробки керамік на основі BaTiO₃.

15. Вперше розроблено конструкції та технології виготовлення низки електролюмінісцентних індикаторів з використанням активних керамічних підкладок з високою діелектричною проникністю, в тому числі випромінювачі монохромні та кольорові, з одно- та двостороннім підключенням джерела живлення, низьковольтні, комбіновані (постійного та змінного струму), щілинні високої яскравості; знакосинтезуючі індикатори зі змінною та постійною інформацією, контрастні, монохромні та кольорові, з низьковольтним керуванням, виготовлені без використання літографії, планарні багатошарові, модульні, які дають можливість створювати збірний екран з безшовним сполученням.

16. Розроблені ЕЛІ на гнучких підкладинках: плівкові та порошкові. Показано, що найбільш надійними індикаторами в гнучкому виконанні є порошкові ЕЛІ. Розроблено прозорі електроди на основі порошків оксидів металів In, Ga, Sn, Zn та технологія одержання високодисперсних порошків оксидів металів та керамік для даних індикаторів.

СПИСОК ОСНОВНИХ ПУБЛІКАЦІЙ ЗА ТЕМОЮ ДИСЕРТАЦІЇ

1. Родионов В.Е. Электролюминесцентные индикаторы с керамическим диэлектриком Киев, 2010, 228с.

2. Родионов В.Е. «Электролюминесцентные индикаторы. Люминесценция широкозонних материалов», Киев, 2010, 166с.

3. Родионов В.Е. «Электролюминесцентные индикаторы. Электролюминесцентные пленки и структуры», Киев, 2010, 416с.

4. Родионов В.Е. «Электролюминесцентные индикаторы. Химические методы получения пленок и структур», Киев, 2010, 118с.

5. Lee S.W. Silicon carbide defects and luminescence centers in current heated 6H-SiC / S.W. Lee, S.I. Vlaskina, V.I. Vlaskin, I.V. Zaharchenko, V.A. Gubanov, G.N. Mishinova, G.S. Svechnikov, V.E. Rodionov, S.A. Podlasov // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics.- 2010.- V.13, N 1.- P. 24-29.

6. Rodionov V.E., Fabrication and properties of ZnO:Cu and ZnO:Ag thin films/ V.E. Rodionov, V.S. Khomchenko, T.B. Kryshtab, A.K. Savin // Super lattices and Microstructures.- 2007.- V.42.- P.94-98.

7. Vlaskin V.I. Flexible electroluminescent displays /V.I. Vlaskin, S.I. Vlaskina, O.Yu. Koval, V.E. Rodionov, G.S. Svechnikov // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics.- 2007.- V.10, N2.- P.16-20.

8. Vlaskin V.I. Boron, aluminum, nitrogen, oxygen impurities in silicon carbide/ V.I. Vlaskin, S.I. Vlaskina, O.Yu. Koval, V.E. Rodionov, G.S. Svechnikov // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics.- 2007.- V.10, N2.- P.21-25.

9. Родионов В.Е. Электро- и фотолюминесценция соединений на основе легированного сульфида цинка в диапазоне 500-700 нм / В.Е. Родионов, Ю.Ю. Бачериков, Н.В. Кицюк, С.В. Оптасюк, А.А. Стадник, Е.Г. Реутова // Журнал прикладной спектроскопии.- 2005.- В.72, №1.- С.90-93.

10. Родионов В.Е. Исследование особенностей проявления нелинейных свойств сегнетоэлектрической керамики в тонкопленочных электролюминесцентных структурах / В.Е. Родионов, В.Г. Бойко, Н.С. Заяц // Оптоэлектроника и п/п техника.- 2003.- №38.- С.105-107.

11. Rodionov V.E. Electroluminescent ZnS-Cu films made by metal-organic chemical vapor deposition and thermodiffusion / V.E. Rodionov, V.S. Khomchenko // Semiconductor Science Technology.- 2003.- V.18.- P.512-515.

12. Родионов В.Е. Моделирование люминесценции комплексов самария в сульфидных и оксидных матрицах / В.Е. Родионов, А.А. Золотовский // Вопросы атомной науки и техники.- 2003.- №3.- С.170-172.

13. Родионов В.Е. Моделирование механизмов электролюминесценции в сульфиде цинка, легированного тулием / В.Е. Родионов, А.А. Золотовский // Вестник Харьковского Национального университета.- 2002.- В.6.- С.168-172.

14. Родионов В.Е. Структура, свойства и механизм электролюминесценции пленок ZnS:Cu, полученных химическим методом / В.Е. Родионов, В.С. Хомченко, Л.В. Завьялова // ЖТФ.- 2002.- Т.72, В.8.- С.44-48.

15. Родионов В.Е. Обоснование выбора диэлектрических слоев для электролюминесцентных конденсаторных структур / В.Е. Родионов, В.Г. Бойко, Н.С. Заяц // Физика полупроводников, квантовая электроника и оптоэлектроника.- 2001.- №36.- С.214-219.

16. Родионов В.Е., Хомченко В.С., Криштаб Т.Г. Электролюминесцирующие пленки ZnS:Cu, Ga / В.Е. Родионов, В.С. Хомченко, Т.Г. Криштаб // Thin Solid Films.- 2001.- V.392.- P.50-52.

17. Родионов В.Е. Фото- и рентгенолюминесценция ZnSe/ В.Е. Родионов, В.Я. Дегода, Б.Р. Кияк, В.С. Манжура, А.И. Проскура // Неорганические материалы.- 2000.- Т.36, №4.- С.1-4.

18. Родионов В.Е. Люминесцирующие пленки ZnS, Cu, получаемые методом химического осаждения / В.Е. Родионов, С.В. Свечников, Л.В. Завьялова // ФТП.-2000.- Т.34, В.10.- С.1178-1182.

19. Родионов В.Е. Низковольтная низкотемпературная электролюминесценция тонких пленок CdF₂:Re / В.Е. Родионов, В.С. Хомченко, З.Л. Денисова, // ЖПС.-1999.- В.1, Т.66.- С.127-132.

20. Rodionov V.E. Improvement of characteristics with storage time effect in emissions of the electroluminescence thin ZnS-Ln films / V.E. Rodionov, V.S. Khomchenko, L.I. Veligura // Advanced Display Technology.- 1997.- P.106-110.

21. Родионов В.Е. Технологические особенности создания электролюминесцентных индикаторов на керамической подложке / В.Е. Родионов, В.Г. Бойко, А.Ф. Кравченко // Оптоэлектроника и п/п техника.- 1996.- В.30, С.145-150.

22. Родионов В.Е., Бачериков Ю.Ю., Бойко В.Г. Фотолюминесценция тонких пленок Y₂O_3-xS_x:Tb⁺³/ В.Е. Родионов, Ю.Ю. Бачериков, В.Г. Бойко // УФЖ.- 1995.- T.40, №10.- C.1065-1067.

23. Петров В.В. Возможность использования окислов, активированных редкоземельными ионами, в качестве слоев ЭЛИ / В.В. Петров, В.И. Зименко, В.Г. Кравец, В.Е. Родионов // ЖТФ.- 1994.- T.64, В.10.- С.112-117.

24. Родионов В.Е. Получение пиролитических пленок оксида индия, легированных самарием / В.Е. Родионов, М.Я. Рахлин, А.К. Савин, Т.С. Соколова // Изв. Российской АН. Сер. Неорг, матер.- 1992.- T.28, № 4.- С.800-804.

25. Родионов В.Е. Состав и структура термически получаемого порошка оксида галлия / В.Е. Родионов, И.А. Башмаков, Ю.В. Калиниченко, В.В. Платон // Изв. АН СССР, серия «Неорганические материалы».- 1992.- T.28, №3.- C.554-557.

26. Rodionov V.E. Modelling of Thulium ion luminescence in Zinc Sulphide / V.E. Rodionov, M.Ya. Rakhlin, A.A. Zolotovski // Phys. Stat. Sol. (b).- 1992.- V.173, N2.- P.733-738.

27. Бережинский Л.И. Синее свечение вплавных p-n-переходов на основе SiC / Л.И. Бережинский, С.И. Власкина, В.Е. Родионов // УФЖ.- 1992.- T.37, В.4.- С.565-569.

28. Родионов В.Е. Некоторые свойства пленок оксида цинка, полученных пиролитическим методом / В.Е. Родионов, М.Я. Рахлин, Б.С. Атдаев, Е.В. Мирошниченко // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.- 1992.- В.23.- C.74-78.

29. Vlaskina S.I. Influence of deposition parameters on the properties of Sic films/ S.I. Vlaskina, V.E. Rodionov, S.V. Svechnikov // Materials Science and Engineering. - 1992.- V.11.- P.67-68.

30. Родионов В.Е. Современное состояние разработки и производства тонкопленочных электролюминесцентных экранов // Авиационное оборудование.- 1991.- В.6.- 16с.

31. Rodionov V.E. Properties of SiC on Si substrate obtained using plasmo-chemical method./ V.E. Rodionov, S.I. Vlaskina, L.I. Berezhinsky // Phys. Stat. Sol (a).- 1991.- V.124.- P.171-176.

32. Бережинский Л.И. Фотолюминесценция, состав и микроструктура пленок кубического карбида кремния, выращенного на кремниевых положках / Л.И. Бережинский, С.И. Власкина, Ю.В. Калиниченко, В.Е. Родионов // УФЖ.- 1991.- T.36, №4.- C.513-516.

33. Родионов В.Е. Электролюминесценция тонкопленочных МДНДМ структур с фторсодержащими и оксидными диэлектриками / В.Е. Родионов, Ю.Г. Сухарев, В.С. Миронов // Письма в ЖТФ.- 1991.- T.17, №3.- C.50-53.

34. Петров В.В. «Фотолюминесцентная запись информации» / В.В. Петров, В.И. Зименко, В.Е. Родионов // Доклады АН Украины.- 1991.- №10.- C.78-82.

35. Родионов В.Е. Исследование волн яркости тонкопленочных электролюминесцентных структур с керамическим диэлектриком / В.Е. Родионов, В.Г. Бойко, К.В. Скоморохов // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 1991.- N19.- C.37-41.

36. Власкина С.И. Эпитаксиальные пленки нитрида галлия на сапфире: Электрические и оптические свойства / С.И. Власкина, А.Ю. Дыбань, Н.В. Кицюк, В.Е. Родионов // Поверхность.- 1991.- T.9, N1.- С.40-44.

37. Бережинский Л.И. Пленки карбида кремния, полученные плазмохимическим осаждением / Л.И. Бережинский, С.И. Власкина, В.Е. Родионов // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.- 1990.- В.17.- С.46-51.

38. Родионов В.Е. Прогнозирование внезапных отказов тонкопленочных ЭЛИ с использованием моделированного пробоя его структуры / В.Е. Родионов, А.И. Вольневич, В.В. Новиков, Ю.С. Тимошенко // Ученые записки Тартуского государственного университета.- 1990.- №908.- С.101-108.

39. Berezhinsky L.I. On the possibility of obtaining the crystalline phase in amorphous films of silicon carbide on silicon at low temperatures / L.I. Berezhinsky, S.I. Vlaskina, G.I. Lyaschenko, V.E. Rodionov // Phys. Stat. Sol. (A).- 1990.- V.121, N1.- P.193.

40. Rodionov V.E. Effect of ultrasound oscillation on electroluminescent properties of MISIM structures / A.D. Belyaev, V.E. Rodionov, N.S. Chernaya // Phys. Stat. Sol. (A).- 1990.- V.118.- P.327-331.

41. Бережинский Л.И. Фотолюминесценция пленок аморфного карбида кремния / Л.И. Бережинский, С.И. Власкина, М.П. Лисица, В.Е. Родионов // Журнал прикладной спектроскопии.- 1990.- T.53, №3. - C.47-52.

42. Родионов В.Е. Получение диэлектрических слоев Ga₂O₃ и их электрические свойства / В.Е. Родионов, М.Я. Рахлин, В.П. Васильченко, Т.Г. Соколова // Электронная техника, серия «Материалы».- 1990.- №4.- C.27-32.

43. Rodionov V.E. Initial stages of the epitaxial silicon carbide film growth on silicon substrates/ V.E. Rodionov S.I. Vlaskina, L.I. Berezhinsky // Phys. Stat. Sol. (A).- 1989.- V.116, Issue 2.- P.169-172.

44. Родионов В.Е. Тонкопленочные электролюминесцентные «зеленые» излучатели с керамическим диэлектриком / В.Е. Родионов, В.Г. Бойко, М.Я. Рахлин // Письма в ЖТФ.- 1989.- T.15, B.17.- C.67-71.

45. Родионов В.Е. Акустолюминесценция в тонкопленочных структурах на основе ZnS:Mn / В.Е. Родионов, С.Ф. Терехова, Н.С. Черная // Письма в ЖТФ.- 1989.- T.15, В.3.- С.117-119.

46. Бережинский Л.И., Власкина С.И., Родионов В.Е. Структура и морфология поверхности пленок -SiC, полученных на кремниевых положках / Л.И. Бережинский, С.И. Власкина, В.Е. Родионов // Поверхность.- 1989.- №11.- C.82-85.

47. Родионов В.Е. Тонкопленочные электролюминесцентные «зеленые» излучатели с керамическим диэлектриком / В.Е. Родионов, В.Г. Бойко, М.Я. Рахлин // Письма в ЖТФ.- 1989.- T.15, №17.- C.67-71.

48. Бережинский Л.И. Начальные стадии роста эпитаксиальных пленок карбида кремния на кремниевых положках / Л.И. Бережинский, С.И. Власкина, В.Е. Родионов, С.В. Свечников, Х.A. Шамурадов // УФЖ.- 1989.- T.34, В.9.- C.1404-1409.

49. Berezhinsky L.I. Initial stages of the epitaxial silicon carbide film growth on silicon substrates / L.I. Berezhinsky, S.I. Vlaskina, V.E. Rodionov, H.A. Shamuratov // Phys. Stat. Sol. (A).- 1989.- V.116.- P.K169-K174.

50. Власкина С.И., Исследование дефектов в переходных областях гетероэпитаксиальных пленок / С.И. Власкина, В.Г. Сидякин, А.А. Красикова, В.Е.Родионов // Изв. АН СССР. Cерия «Неорганические материалы». - 1988. - № 8. - C.162-167.

51. Родионов В.Е., Исследование ВЯХ тонкопленочных электролюминесцентных структур с керамическим диэлектриком/ В.Е.Родионов, М.Я.Рахлин // Письма в ЖТФ. - 1988. - T. 14, № 23. - с.2144-2147.

52. Родионов В.Е. Электролюминесцентная тонкопленочная МДНДМ структура, осажденная химическим паро-фазным методом / В.Е. Родионов, М.Я. Рахлин, А.И. Дяденко // Письма в ЖТФ. - 1988. - T.14, Вып.18. - С.1648-1649.

53. Родионов В.Е. Исследование характеристики ЭЛИ с керамическим диэлектриком / В.Е. Родионов, М.Я. Рахлин // Письма в ЖТФ. - 1988. - T. 14, № 23. - C.2114-2117.

54. Родионов В.Е., Частотное усиление свечения электролюминесцентных МДНДМ структур на основе ZnS:Mn / В.Е. Родионов, В.В. Дякин, Н.С. Черная //Ученые записки ТГУ. Труды по электролюминесценции. - Тарту. - 1988. - № 830. - с. 93-97.

55. Родионов В.Е. Влияние ультразвуковых колебаний на параметры тонкопленочных электролюминесцентных структур / В.Е. Родионов, В.В. Дякин, В.С. Акульшин, В.Н. Лысенко // Электронная техника, сер. «Материалы». - 1988. - № 6.- с.31-36.

56. Васильченко В.П. Метод контроля качества тонкопленочных электролюминесцентных экранов / В.П. Васильченко, В.Е. Родионов, Ю.С. Тимошенко // Техника средств связи.- 1988.- №4.- С.65-71.

57. Родионов В.Е. Анализ типов отказов тонкопленочных электролюминесцентных экранов в процессе их электротренировки / В.Е. Родионов, А.И. Апостолов, В.В. Новиков, Ю.С. Тимошенко // Техника средств связи.- 1988.- №4.- С.31-36.

58. Родионов В.Е. Влияние температуры отжига на сдвиг ВЯХ тонкопленочных ЭЛИ на основе ZnS:Mn / В.Е. Родионов, Ю.А. Цыркунов, В.М. Шарый // Ученые записки Тартуского государственного университета.- 1987.- №779- C.41-50.

59. Родионов В.Е. Получение тонкопленочных электролюминесцентных экранов и индикаторов методом химического паро-фазного осаждения / В.Е. Родионов, М.Я. Рахлин, М.Г. Любарская, Г.Ф. Тюленев // Авиационное оборудование.- 1987.- №2.- 23с.

60. Родионов В.Е. Исследование и разработка электролюминесцентных порошковых индикаторов на гибкой подложке / В.Е. Родионов, М.Г. Любарская, Г.Ф. Тюленев // Авиационное оборудование. Москва.- 1988.- N3.- C.76-89.

61. Родіонов В.Є. Гнучкий матричний плетений електролюмінесцентний екран, Патент України №63295А.- бюл.№1, 15.01.2004.

62. Родіонов В.Є. Гнучкий матричний тонкоплівковий плетений електролюмінесцентний екран, Патент України №63294А, бюл.№1, 15.01.2004.

63. Родіонов В.Є. Світлова гнучка нитка, Патент України №67907А, бюл.№7, 15.07.2004.

64. Родіонов В.Є. Гнучкий двохсторонній плетений матричний електролюмінесцентний екран, Патент України №63297А, бюл.№1, 15.01.2004.

65. Rodionov V.E. The Influence of Dopping Element on Structural and Luminescent characteristics of ZnS thin films / V.E. Rodionov, V.S. Khomchenko, T.B. Kryshtab, Y.A. Tzyrkunov // Material Science and Technology of Wide Band gap Semiconductors, ELSEVIER.- 2007.- P.651-656.

66. Rodionov V.E. Electroluminescence of the ZnS-Cu film with different co activator / V.E. Rodionov, V.S. Khomchenko, J. Stiles // Proc. Of the 12^th International Workshop on Inorganic and Organic Electroluminescence and International Conference on the Science and Technology of Emissive Displays and Lighting EL, Canada, Toronto, 2004, p.244-248.

67. Rodionov V.E. Electroluminescence properties and crystalline structure of thin ZnS:Cu, Ga films / V.E. Rodionov, V.S. Khomchenko, T.G. Kryshtab, I.V. Prokopenko // Material of 3^th International Conference for Microelectronics, Ireland.- 2000.- V.1.- P.267-270.

68. Rodionov V.E. Investigation of ZnS:Cu as a potential emitting layer for TFEL displays / V.E. Rodionov, L.I. Berezhinsky, V.S. Khomchenko // Ext. Abstracts the 5th International Conference of the Science and Technology of Display Phosphors, USA, 1999, p.93-97.

69. Rodionov V.E. Growth and characterization of ZnS:Cu thin films by MOCVD / V.E. Rodionov, L.I. Berezhinsky, V.S. Khomchenko // Proc. of the 7^th International Symposium Advanced Display Technology.- 1999.- P.130-138.

70. Rodionov V.E. Color coordinate control in ZnS-Ho TFEL using arriving voltage / V.E. Rodionov, V.S. Khomchenko, L.I. Veligura // Book of Extended Abstract the 3-d International Conference of the Science and Technology of Display Phosphors USA, 1997, p.179-183.

71. Rodionov V.E. Si_XO_1-X:Tb TFEL devices with BaTiO₃ ceramic insulating layer / V.E. Rodionov, V.S. Khomchenko, L.I. Veligura // Proc. Of the 6^th International Symposium, 1997, SID, p.126-129.

Размещено на Allbest.ru