Проектирование и испытание фототранзистора
Физическая и техническая основы оптоэлектроники, ее функциональное назначение. Принцип устройства плоскостного транзистора. Работа полупроводниковых приемников с использованием фотоэффекта. Параметры фототранзисторов, их виды, конструкции, параметры.
| Рубрика | Физика и энергетика |
| Предмет | Оптоэлектроника |
| Вид | реферат |
| Язык | русский |
| Прислал(а) | суня |
| Дата добавления | 16.10.2014 |
| Размер файла | 72,7 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Подобные документы
Принцип действия биполярного транзистора. Его статические характеристики и эксплуатационные параметры. Температурные и частотные свойства транзистора. Эквивалентные схемы полевых транзисторов. Схематическое изображение ПТ с изолированным затвором.
лекция [460,9 K], добавлен 15.03.2009Изучение структуры и особенностей дрейфового транзистора. Физические процессы, происходящие в его базе при низком уровне инжекции и при больших плотностях тока. Влияние неравномерного распределения примесей в базе на параметры дрейфового транзистора.
курсовая работа [727,8 K], добавлен 25.09.2010Устройство и принцип действия биполярного транзистора, униполярного транзистора. Силовые полупроводниковые приборы, основные требования, предъявляемые к ним. Характеристика динисторов и транзисторов. Параметры предельных режимов работы транзисторов.
лекция [424,0 K], добавлен 14.11.2008Понятие и функциональное назначение биполярного транзистора как полупроводникового прибора с двумя близкорасположенными электронно-дырочными переходами. Анализ входных и выходных характеристик транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером и базой.
лабораторная работа [1,3 M], добавлен 12.05.2016Характеристика сущности резисторов, которые предназначены для перераспределения и регулирования электрической энергии между элементами схемы. Классификация, конструкции и параметры резисторов, характеризующие их эксплуатационные возможности применения.
реферат [409,2 K], добавлен 10.01.2011Дефекты реальных кристаллов, принцип работы биполярных транзисторов. Искажение кристаллической решетки в твердых растворах внедрения и замещения. Поверхностные явления в полупроводниках. Параметры транзистора и коэффициент передачи тока эмиттера.
контрольная работа [2,9 M], добавлен 22.10.2009Теория фотоэффекта. Спектральные характеристики фотокатода. Работа выхода. Распределение электронов в металле. Селективный фотоэффект. Квантомеханическая теория фотоэффекта. Применение. Основные закономерности фотоэффекта.
реферат [217,0 K], добавлен 17.02.2003Макс Планк как основоположник квантовой физики. Исследование фотоэффекта Столетовым. Максимальная кинетическая энергия фотоэлектронов. Определение массы фотона. Применение явления фотоэффекта в автоматизации станков на заводах, солнечных батареях.
презентация [159,8 K], добавлен 02.04.2012История открытия фотоэффекта. Схема установки, задачи и выводы Столетова. Основные законы, красная граница, применение фотоэффекта. Вакуумный фотоэлемент, фоторезисторы, вентильные фотоэлементы. Источники для бытовых и производственных нужд.
презентация [1,4 M], добавлен 10.05.2011Классификация и конструкции электросчетчиков. Общий вид трехфазного электронного счетчика CE 302. Назначение и описание средства измерений; требования безопасности. Технические параметры: устройство и работа счетчика, проверка и текущий ремонт прибора.
курсовая работа [578,7 K], добавлен 06.02.2014