Дослідження механізмів дифузії імплантованих домішок в шаруватих структурах на основі кремнію в умовах нерівноважної концентрації точкових дефектів

Рубрика	Физика и энергетика
Вид	автореферат
Язык	украинский
Дата добавления	05.08.2014
Размер файла	42,6 K

Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже

Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.

Подобные документы

• Топологічна оцінка ймовірності утворення власних точкових дефектів в кристалах А VI В VI зі структурою NaCI

  Основні фізико-хімічні властивості NaCI, різновиди та порядок розробки кристалохімічних моделей атомних дефектів. Побудування топологічних матриць, визначення числа Вінера модельованих дефектів, за якими можна визначити стабільність даної системи.
  
  дипломная работа [1,0 M], добавлен 14.08.2008
  

• Стаціонарні та рівномірно-обертові конфігурації точкових вихорів

  Теорія вихрових рухів та закономірності динаміки точкових вихорів на необмеженій площині в ідеальній нев’язкій рідині. Вплив кількості точкових вихорів однакової інтенсивності на розташування і стійкість стаціонарних та рівномірно-обертових конфігурацій.
  
  автореферат [50,5 K], добавлен 16.06.2009
  

• Вивчення процесів дифузії при спіканні кристалічних тіл

  Дифузія-поширення речовини в якому-небудь середовищі в напрямку зменшення її концентрації, обумовлене тепловим рухом іонів, атомів, молекул, більших часток. Пояснення причин дифузії законами термодинаміки. Звязок дифузійних процесів зі зміною ентропії.
  
  практическая работа [152,9 K], добавлен 17.10.2008
  

• Метод підсилення пасивації дефектів напівпровідників

  Визначення методу підсилення пасивації дефектів для покращення оптичних та електричних властивостей напівпровідників. Точкові дефекти в напівпровідниках та їх деформація. Дифузія дефектів та підсилення пасивації дефектів воднем за допомогою ультразвуку.
  
  курсовая работа [312,3 K], добавлен 06.11.2015
  

• Дослідження особливостей залежності заряду перемикання від прямого струму для епітаксіальних p-i-n структур різних типів та розмірів

  Загальні відомості, вольт-амперна характеристика, p-i-n структури, фізичний механізм та заряд перемикання напівпровідникового діода. Особливості та експерименти по визначенню заряду перемикання сплавних, точкових, дифузійних та епітаксіальних діодів.
  
  дипломная работа [863,1 K], добавлен 16.12.2009
  

• Халькогеніди свинцю і сполуки на їх основі

  Система Pb-S. Константи рівноваги квазіхімічних реакцій утворення власних атомних дефектів Френзеля у кристалах Pb-S. Константи рівноваги квазіхімічних реакцій утворення власних атомних дефектів у халькогенідах свинцю на основі експериментальних даних.
  
  дипломная работа [1,4 M], добавлен 09.06.2008
  

• Основні методи нанесення епітаксіальних шарів напівпровідника

  Фізичні основи процесу епітаксія, механізм осадження кремнію з газової фази. Конструкції установок для одержання епітаксійних шарів кремнію. Характеристика, обладнання молекулярно-променевої епітаксії. Легування, гетероепітаксія кремнію на фосфіді галію.
  
  курсовая работа [2,6 M], добавлен 29.10.2010
  

• Технологічні основи електроніки розрахунок дифузійного діоду

  Розрахунок дифузійного p-n переходу. Визначення коефіцієнта дифузії та градієнта концентрацій. Графік розподілу концентрації домішкових атомів у напівпровіднику від глибини залягання шару. Розрахунок вольт-амперної характеристики отриманого переходу.
  
  курсовая работа [675,8 K], добавлен 18.12.2014
  

• Алгоритм Кеннета-Джексона для опису фазових перетворень у бінарних сплавах. Опис дифузії

  Поняття про фазовий перехід в термодинаміці. Дифузійні процеси в бінарних сплавах. Вільна енергія Гіббса для твердого розчину. Моделювання у середовищі програмування Delphi за допомогою алгоритму Кеннета-Джексона. Фазова діаграма регулярного розчину.
  
  курсовая работа [2,2 M], добавлен 03.05.2011
  

• Оптичні характеристики фотоелектричних перетворювачів на основі кремнію

  Види оптичних втрат фотоелектричних перетворювачів. Спектральні характеристики кремнієвих ФЕП. Відображення в інфрачервоній області спектру ФЕП на основі кремнію. Вимір коефіцієнта відбиття абсолютним методом. Характеристика фотометра відбиття ФО-1.
  
  курсовая работа [3,6 M], добавлен 17.11.2015
  

• Дослідження екситонних станів у шаруватих напівпровідникових кристалах

  Кристалічна структура та фононний спектр шаруватих кристалів. Формування екситонних станів у кристалах. Безструмові збудження електронної системи. Екситони Френкеля та Ваньє-Мотта. Екситон - фононна взаємодія. Екситонний спектр в шаруватих кристалах.
  
  курсовая работа [914,3 K], добавлен 15.05.2015
  

• Фото-, електроно- і рентгенорезисти

  Розробка, виробництво виробів електронної техніки. Фоторезисти - складні полімерно-мономерні системи, у яких під дією випромінювання визначеного спектрального складу протікають фотохімічні процеси. Фоторезисти на основі поливинилциннамата і його похідних.
  
  курсовая работа [1008,6 K], добавлен 15.12.2008
  

• Водень в шаруватих матрицях

  Загальна характеристика шаруватих кристалів, здатність шаруватих напівпровідників до інтеркаляції катіонами лужних, лужноземельних металів, аніонами галогенів, а також органічними комплексами. Ітеркаляція та інтеркаляти: методи та характеристики процесу.
  
  реферат [200,7 K], добавлен 31.03.2010
  

• Колоїдні розчини

  Ознайомлення із поглинальною здатністю грунту. Зміст та особливості застосування методів конденсації, гідролізу, заміни розчинника, обмінного розкладу для одержання колоїдних розчинів. Розгляд понять броунівського руху, дифузії та осмотичного тиску.
  
  контрольная работа [314,9 K], добавлен 12.02.2011
  

• Кристалоквазіхімія дефектів. Фізико-хімічні властивості легованих кристалів телуриду кадмію

  Моделі структур в халькогенідах кадмію і цинку. Характеристика областей існування структур сфалериту і в’юрциту. Кристалічна структура і антиструктура в телуриді кадмію. Кристалоквазіхімічний аналіз. Процеси легування. Утворення твердих розчинів.
  
  дипломная работа [703,8 K], добавлен 14.08.2008
  

• Плоскі діелектричні хвилеводи для ТІ поляризації

  Змінне електромагнітне поле в однорідному середовищі та вакуумі. Поводження хвиль на границях розділу. Відбивна й пропускна здатність, кут Брюстера. Рівняння поширення хвиль у оптичному хвилеводі. Дисперсійні рівняння тришарового діелектричного хвилеводу.
  
  курсовая работа [289,9 K], добавлен 21.01.2011
  

• Визначення коефіціенту поверхневого натягу рідини

  Поверхневий натяг рідини та його коефіцієнт. Дослідження впливу на поверхневий натяг води розчинення в ній деяких речовин. В чому полягає явище змочування та незмочування, капілярні явища. Як залежить коефіцієнт поверхневого натягу від домішок.
  
  лабораторная работа [261,2 K], добавлен 20.09.2008
  

• Моделювання фотоелектричних перетворювачів

  Природа і спектральний склад сонячного світла, характер його прямого та непрямого енергетичного перетворення. Типи сонячних елементів на основі напівпровідникових матеріалів. Моделювання електричних характеристик сонячного елемента на основі кремнію.
  
  курсовая работа [2,3 M], добавлен 17.06.2014
  

• Зонна теорія електропровідності напівпровідників

  Вивчення зонної структури напівпровідників. Поділ речовин на метали, діелектрики та напівпровідники, встановлення їх основних електрофізичних характеристик. Введення поняття дірки, яка є певною мірою віртуальною частинкою. Вплив домішок на структуру.
  
  курсовая работа [1002,2 K], добавлен 24.06.2008
  

• Асимптотичний метод розв'язування сингулярно збурених крайових задач типу "конвекція-дифузія-масообмін"

  Розвиток асимптотичних методів в теорії диференціальних рівнянь. Асимптотичні методи розв’язання сингулярно збурених задач конвективної дифузії. Нелінійні моделі процесів типу "конвекція-дифузія-масообмін". Утворення речовини, що випадає в осад.
  
  курсовая работа [1,0 M], добавлен 23.04.2017
  

• главная
• рубрики
• по алфавиту
• вернуться в начало страницы
• вернуться к началу текста
• вернуться к подобным работам