Кореляції структури, динамічної та променевої стійкостей широкозонних некристалічних напівпровідників

У розділі 5 приведено результати досліджень РФС, Оже, ВІМС та КР спектрів плівок на основі стекол системи GexAsyS1-x-y. Узагальнено дані про процес формування плівок із парової фази с-As2S3, який здійснюється із кластерних потоків, де в паровій фазі присутні багатоатомні кластери (As2S3)n (n=1-10). Підкреслено специфічність структурних досліджень тонких і надтонких плівок методами коливної спектроскопії. При використанні одноканальних спектральних приладів, розсіювальний об'єм плівок з геометричною товщиною менше 1000 нм є недостатній для реєстрації КР сигналу. Аналізуються співвідношення, в яких показано, що створення інтерференційної структури ХСН-SiO2-Al дозволяє в декілька разів підвищити інтенсивність розсіяного світла і просунутися при структурних дослідженнях в товщинний інтервал 0.2- 0.6 мкм. Геометричні розміри XCН в світовому резонаторі при мінімальному відбиванні залежать від показника заломлення плівки ХСН і оптичної товщини буферного діелектричного шару SiO2. Як приклад, розглянуто підсилення в 5 разів інтенсивності розсіяного світла в а-As2S3, включеної в потрійну інтерференційну структуру. Проведена структурна інтерпретація КР спектру, одержаної вакуумтермічним осадженням із відкритого човника,плівки геометричною товщиною 600 нм. Структура ближнього порядку в одержаній плівці, в основному, формується с.о. AsS3/2, AsS4/2, As3/3, S8, Sn. Апробована методика в подальшому використана для проведення структурних досліджень плівок на основі стекол системи Ge-As-S.

За даними аналізу Оже- і КР спектрів плівок а-GeS2 одержаних дискретним термічним випаровуванням у вакуумі при температурі випаровувача 1150 К слідує що, високотемпературна технологія одержання плівок приводить до виникнення протяжної перехідної області значних розмірів (біля 30 нм) із зміненим складом по відношенню до центральної частини плівки. На залежностях від товщини РФС і КР спектрів плівок на основі c-GeS2 виявлено збільшення вмісту германію в перехідній області і утворення с.о. SGe3/3. Це приводить до закономірного зростання рівня поглинання в перехідній області і зменшення порогу лазерного пробою плівок а-GeS2 товщиною 80 нм, де товщина перехідної області складає біля 40% її геометричної товщини. У цілому КР спектри товстих плівок а-GeS2 (d=800 нм) подібні до КР спектрів с-GeS2, одержаного при загартуванні розплаву від 1373 К. Наявність в матриці структури плівки с.о. SGe3/3 свідчить про збагачення конденсату германієм. Формуванні шару з мікрогетерогенною структурою, генетично зв'язаною з складом парової фази при високих температурах. Можливість збіднення в плівці легколетучої компоненти на початковій стадії росту плівок передбачає теоретичний аналіз процесу дискретного осадження. Однак неоднорідність конденсату по складу тут очікувалася в межах декількох моношарів. Роль температури випаровувача на процеси дисоціації матеріалу при дискретному термічному випаровуванні підтверджують результати аналізу профілю плівок a-As2S3, де температуру випаровувача можна понизити майже вдвічі до 700-800 К, в порівнянні з умовами осадження плівок a-GeS2 Для а-As2S3 на ВІМС профілях розміри перехідної області при дискретному і звичайному термічному осадженні із відкритого човника складають не більше 3.0 нм. Однак, структура плівок одержаних простим термічним осадження із відкритого човника є мікронеоднорідна. Променева стійкість мікронеоднорідних плівок на скляних підкладинках становить Рпр. = 30 МВт/cм2. Для плівок а-As2S3, одержаних дискретним термічним випаровуванням, значення Рпр. = 60 МВт/cм2 , а коливні спектри таких плівок подібні до спектрів об'ємних стекол, одержаних при помірних швидкостях охолодження розплаву. Для плівок типу GeS2 товщиною 80-300 нм на підкладинці NaCl, теплопровідність якої майже на порядок вища від скляної, виявлено дифузійний відвід тепла в підкладинку і зростання променевої стійкості до 250 МВт/см2. Роль дифузії тепла в підкладинку NaCl стає незначною при геометричній товщині плівки 800 нм і променева стійкість плівок на підкладинках із скла і NaCl - вирівнюються. Далі розглянуто вплив величини середнього координаційного числа на зміну розмірів перехідної області вздовж розрізу As2S3-GeS2, Для плівок цього розрізу із вмістом 30, 70 мол % As2S3 спільним є наявність збагаченої германієм і миш'яком перехідної області плівка-підкладинка, розміри якої зростають через необхідність підвищення температури випаровувача, що викликано ростом температури розм'якшення вихідних стекол і ,зв'язаного з цим, збільшення степені дисоціації с.о. скла при дискретному методі осадження. При високотемпературних методах одержання плівок збагачених германієм композицій, виникає необхідність враховувати фракціонування, зміни складу і структури по профілю плівки, що веде до її оптичної неоднорідності і відмінностей в фізичних властивостях від об'ємного скла.

У шостому розділі розглянуті особливості концентраційного профілю елементів локальної координації атомів та структурної релаксації в широкозонних некристалічних плівках іншого класу - a-Si1-xNx:H, для одержання яких використана низькотемпературна технологія отримання, що базувалась на стандартній методиці високочастотного плазмохімічного розкладу суміші [SiH4+NH3+H2]. Температура підкладинок, тиск в реакторі та питома потужність в процесі осадження складала відповідно 590 К, 50 Па і 0.3 Вт/см2. Азотування плівок a-Si:H здійснювалось з газової фази шляхом добавки NH3 в реакційну суміш. Товщина плівок складала 700-800 нм. Плівки осаджувались на кремнієву підкладку з орієнтацією [111]. Використовувались зразки, які були отримані в Московському інституті електронної техніки: технічному університеті, Росія. Для висококоординованих плівок a-Si1-xNx:H (3.8<z<4) виявлено значне зменшення розмірів перехідної області, у порівнянні з тими, що спостерігалися в плівках типу a-GeS2. В плівках a-Si1-xNx:H від х=0 до х= 0.15, по даним вимірювань ВІМС профілів, величина перехідної області не змінюється і складає не більше 3.0 нм. В матриці структури таких плівок з ростом х крім зв'язків Si-Si і Si-H починають формуватися більш енергетично стійкі зв'язки Si-N і N-H. Край поглинання плівок з ростом зв'язків Si-N зміщується в фіолетову частину спектру, а показник заломлення при l = 1100 нм зменшується від 3.4 (х=0) до 2.2 (х=0.15 ). При х=0.02 старіння плівок в природних умовах на протязі 4-х років приводить до кристалізації з виділенням кристалічного кремнію. При 0.02 <x<0.15 наявність азоту стабілізує аморфний стан плівок.

На основі використання профілечутливих методів Оже-, РФС, ВІМС, КР- спектроскопії та багатокутової еліпсометрії запропонована модель структури плівок на основі стекол системи Ge-As-S і a-Si1-xNx:H. В шарувато-неоднорідному наближенні модель структури плівок широкозонних некристалічних напівпровідників включає в себе приповерхневу область товщиною до 5 нм, центральну частину плівки, і перехідну область плівка-підкладка товщиною від 1.0 до 30. нм. Найменше значення розмірів перехідної області d3<3 нм виявлено для термічно напилених плівок As2S3 з середньою координацією 2.4 і плазмохімічно осаджених плівок нітрованого гідрогенізованого аморфного кремнію 3.8< z<4. Найбільше значення розмірів перехідної області d = 30 нм виявлено при z= 2.66. Показники заломлення перехідної області при 2.66 <z< 2.72 змінюються від 2.6 до 2.4. Показник заломлення центральної частини плівки таких частково неоднорідних шарів складає 2.05 - 2.1.

Вплив перехідної області для випадку шарувато-неоднорідних плівок типу a-GeS2 проілюстровано шляхом моделювання спектральних характеристик інтерференційних структур з ступінчато-неоднорідним високозаломлюючим шаром. Зростання розмірів перехідного шару в чверть - або напівхвильовій плівці на скляній підкладинці приводить до зміни спектрального положення екстремумів та інтенсивності пропускання в екстремумах. Це особливо проявляється при виборі робочої довжини у видимій області спектру, коли вклад ступенчато-неоднорідної частини плівки у загальну оптичну товщину є значним.

У сьомому розділі розглянуті результати практичного використання тонких плівок на основі стекол системи Ge-As-S в якості проміжних шарів (ПШ) в порошкових електролюмінісцентних пристроях постійного струму (ПЕППС). При збудженні люмінофорного шару з халькогенідним ПШ постійним струмом ще деякий час відбувається збільшення світловіддачі (h) і після досягнення деякого максимального значення h поступово виходить на насичення з наступним зменшенням. Максимальне значення світловіддачі спостерігається при напрузі 75...80 В для збудження ПЕППС постійним струмом. Для різних проміжних шарів на основі стекол системи Ge-As-S значення світловіддачі суттєво відрізняється. Із збільшенням вмісту сірки в плівці збільшується і світловіддача. При збудженні ПЕППС без проміжного і з проміжними шарами на основі стекол розрізу As-GeS2 спостерігається значне збільшення стабільності свічення (час напівспаду яскравості збільшується в 2-6 разів) для ПЕППС з ПШ, яскравість свічення збільшується в 1.5...2 рази.

Проміжкові шари сильно кристалізаційних плівок GeS, GeS2 і As4S3 погіршують стабільність роботи електролюмінісцентних приладів, що виражається в порівняно швидкому зменшенні яскравості.

ОСНОВНІ РЕЗУЛЬТАТИ І ВИСНОВКИ

1.Виявлено, що при зростанні температури розплаву трисульфіду миш'яку від 870 до 1370 K і зростанні швидкості його гартування динамічна стійкість трисульфіду миш'яку виражена через пружні модулі, зменшується. Найкращі умови одержання с-As2S3 з максимальною динамічною і променевою стійкостями реалізуються при загартуванні розплаву від 870 К з швидкістю 1.5 К/с.

2.Для склоподібного дисульфіду германію послідовно з ростом температури розплаву від Тр1= 1173 К, vох,min=102 К/с; Тр2=1223 K, vох,min=102 К/с;3- Тр3=1323 К, vох,min=102 К/с, в розплаві відбувається дисоціація c.о. GeS4/2 і в КР спектрі одержаного в таких умовах скла с-GeS2, з'являються смуги, характерні для а-Ge і кристалічного к-GeS в поляризації ba+(ca). Коливальні смуги для цієї поляризації описані в геометричній моделі к-GeS, ближній порядок якого формується с.о. SGe3/3. Оптимальні умови синтезу с-GeS2 реалізуються при загартуванні від Тр1= 1173 К, vох,min=102 К/с.

3.Виявлено, що в бінарних стеклах AsyS1-y при зростанні середньої координації z=3y+2(1-y) спостерігається зсув НЧ максимуму в високочастотну область спектру від 19 см-1 (z= 2.1) до 26 см-1 (z=2.4), що супроводжується пониженням інтенсивності НЧ максимуму, немонотонним зменшенням розмірів ланцюжків (L) від 1.5 до 1.4 нм, відповідно в ланцюжковій моделі структури стекол. Мінімуму L при z=2.4 відповідає максимум динамічної стійкості. Виявлені координаційні зміни L і відповідний ріст пружних модулів стекол AsyS1-y до z=2.4 узгоджується з положеннями топологічно-кластерної (ТК) концепції про зростання динамічної стійкості матриці структури стекол внаслідок збільшення міжланцюгової взаємодії і зшивання одномірних кластерів в шарувато-ланцюгові при наближенні до складу As40S60, z=2.4, (перехід 1D-2D).

4.Зміна складу As40S60 в бік збагачення миш'яком (As42S58, z=2.42) призводить до росту інтенсивності НЧ коливань і зростання розмірів ланцюжкових кластерів. При z>2.4 одночасно з ростом L спостерігається зменшення пружних модулів і відхилення від теоретично передбачуваної ТК концепцією росту пружних модулів згідно з закономірністю CL~ (z-2.4)3/2. Виявлене розрихлення матриці структури стекол AsyS1-y при z > 2.4 супроводжується утворенням нових с.о. As2S4/2 і As3/3 .

5.Виявлено подібність локальної структури об'ємного скла с-As22S78 і розгалужених халькогенідних кластерів As6S9 (L~1,2 нм) в порах цеолітної матриці Х з широкими вікнами. Фільтруюча роль менших розмірів вікон цеоліту типу А ніж в Х проявляється в обмеженні впровадження в пори із парової фази сірки в формі S8 і кластерів, геометричні розміри яких перевершують розміри вікна цеоліту А. У КР спектрах цеолітної матриці А- As22S78 з меншими за розміром вікнами, ніж в Х, спостерігається високочастотне зміщення максимуму валентних коливань впроваджених кластерів у порівнянні з максимумом коливань n1(А)=342 см-1 пірамід AsS3/2. Теоретично показано, що таке зміщення властиве для коливного спектру ізольованих ланцюжкових кластерів As2S3 і As2S5.

6.Для широкозонних напівпровідникових стекол GexAsyS100-x-y виявлено відмінності в формуванні ближнього порядку і у фізичних властивостей при різному способі зміни складу або z= 4x+3y+2(100-x-y) в межах z=2.4-2.83. При зміні складу вздовж різних розрізів спостерігається пряма залежність між структурою, динамічною і променевою стійкостями. При різному способі зміни складу середня координація z не визначає одні і ті ж самі властивості, структуру ближнього порядку і розміри областей структурної кореляції для ізокоординаційних стекол. Виявлено, що при z>2.64 в стеклах GexAsyS1-x-y починається ріст пружних модулів, а в матриці структури стекол, збагачених германієм, утворюються с.о. SGe3/3 з потрійною координацією сірки по германію і навпаки. Зміна координації Ge і S вказує про обмеженість застосування правила розрахунку середньої координації в межах всієї області склоутворення потрійних стекол по адитивному співвідношенню z=4x+3y+2(1-x-y) для збагачених германієм композицій.

7.При термічному розпорошенні об'ємного скла с-As2S3 (As40S60) із відкритого випаровувача (Tвип.=673 К), товщинна залежність структури ближнього порядку осаджених на непідігріту підкладинку плівок тісно пов'язана зі складом кластерного пучка. Ближній порядок у термоосаджених плівках формується с.о. AsS3/2, As2S4/2, As3/3, S8, Sn, і є подібний до структури ближнього порядку скла, одержаного різким гартуванням розплаву зі швидкістю 102 К/с від 1173 К. Розміри перехідної області між плівкою a-As2S3 і підкладинкою Si або SiO2 <3.0 нм. Зміна середньої координації від 2.4 до 2.66 (еволюції складу від As2S3 до GeS2 ) при дискретному осадженні плівок призводить до розширення розмірів перехідної області до 30.0 нм при z=2.66. Експериментальні дані про розміри перехідної області на порядок вищі за відповідні теоретичні оцінки неоднорідності на межі розділу плівка-підкладинка. Склад перехідної області збагачений германієм в порівнянні з центральною частиною плівки. Структура ближнього порядку плівок а-GeS2 формується тетраедрами GeS4/2, зв'язаними як по ребру, так і вершинами. У матриці структури центральної частини плівки в незначній кількості присутні с.о. SGe3/3. Структура центральної частини плівки подібна до структури с-GeS2, одержаного загартуванням розплаву від 1273 К зі швидкістю гартування 102 К/с.

8.Для висококоординованих плівок 3.8<z<4 на основі нітрованого гідрогенізованого кремнію a-Si1-xNx:H, одержаних плазмохімічним осадженням, розміри перехідної області < 3.0 нм. З ростом вмісту азоту, в матриці структури плівок зростає доля зв'язків Si-N, N-H і зменшується число зв'язків Si-Si і Si-H.

9.У шарувато-неоднорідному наближенні модель структури плівок широкозонних некристалічних напівпровідників включає в себе приповерхневу область товщиною до 5 нм, центральну частину плівки, і перехідну область плівка-підкладинка товщиною від 1.0 до 30. нм. Найменше значення розмірів перехідної області d3< 3 нм, виявлено для термічно осаджених плівок As2S3 з середньою координацією 2.4 і плазмохімічно осаджених плівок нітрованого гідрогенізованого аморфного кремнію 3.8<z<4. Найбільше значення розмірів перехідної області виявлено при z=2.66. Показники заломлення перехідної області при 2.66 <z< 2.72 змінюються від 2.6 до 2.4. Показник заломлення центральної частини плівки a- GeS2 складає 2.05. Наявність перехідного шару збільшує оптичну товщину високозаломлюючої плівки і із збільшенням розмірів перехідного шару зменшує інтенсивність пропускання в екстремумах, зміщуючи їх положення в порівнянні з ідеальним випадком різких меж між шарами і між плівками. Найбільш відчутні трансформації в спектрах виявлено при d3= 30 нм і виборі довжині хвилі інтерференційної структури l0 в видимій або ближній ІЧ області спектру.

10.Променева міцність розрихленої мікронеоднорідної плівки а-As2S3, одержаної шляхом випаровування скла із відкритого човника і конденсацією кластерного пучка на непідігрітій підкладинці складає 30 МВт/см2. Таку ж променеву стійкістю мають об'ємні стекла, одержані при загартуванні від 1073 К з швидкістю 102 К/с. Для плівок а-GeS2 товщиною 80 нм променева міцність в два рази нижча, ніж для плівок товщиною800 нм. Товщинна залежність променевої міцності відображає шарувато-неоднорідну структуру плівки, наявність в перехідній області високопоглинаючих центрів на основі збагачених германієм с.о. SGe3/3. Зростання ступеня зв'язності матриці структури плівок на основі с-GeS2 з товщиною і з добавками As узгоджується з тепловою моделлю пробою прозорих діелектриків.

11.При введенні в As2S3 до 20 мол.% GeS2 променева міцність, як і динамічна стійкість стекол зростає, а лінійні і двофотонні втрати зменшуються. Така ж ситуація спостерігається і при введенні в GeS2 до 20 мол. As2S3. В проміжних складах променева міцність падає, а лінійні і двофотонні втрати зростають. Введення Ge2S3 в As2S3 приводить до зменшення променевої стійкості і зростання однофотонних втрат і корелює із змінами динамічної стійкості стекол. Введення в GeS2 до 7 мол.% As сприяє утворенню перехресних зв'язків, передбачуваних моделлю структурного фазового переходу в стеклах при z= 2.67, незначному зростанню динамічної і променевої міцності стекол, зменшенню лінійних і двофотонних втрат. В стеклах Asx (GeS2)100-x при х> 7 ширина забороненої зони, променева міцність і динамічна стійкість падають, а лінійні і двохфотонні втрати зростають. Введення As в Ge2S3 до 10 мол. % призводить до різкого зменшення динамічної і променевої стійкості потрійних стекол. При х > 10 мол. % і переважному формуванні матриці структури стекол с.о. SGe3/3, динамічна стійкість стекол зростає, край власного поглинання зсувається в червону область спектру, понижуючи пороги лазерного пробою і збільшуючи лінійні і нелінійні втрати.

12.При введенні в структуру SnO2-XСН-ZnS(Mn,Cu)-Al проміжних шарів (ПШ) ХСН на основі As-GeS2 яскравість свічення зростає в 1.5...2 рази; проміжні шари сильно кристалізаційних плівок GeS, GeS2 і As4S3 погіршують стабільність роботи електролюмінісцентних приладів, що виражається в порівняно швидкому зменшенні яскравості. Проміжні шари на основі стекол типу ИКС зменшують відбивну здатність робочої поверхні ПЕППС у 1.4 - 1.5 раз, що приводить до збільшення контрасту зображення від 9 (без ПШ) до 13.2.

ОСНОВІ РЕЗУЛЬТАТИ ДИСЕРТАЦІЇ ОПУБЛІКОВАНІ В РОБОТАХ

1.Nemkristalyos szilard anyagok szerkezete es spectroszkopiai vizsgalata / I., Beszeda, T. Hadhazy, S.Kokenyesi, V. Mitsa // - O Mogyar Tudomanyos Akademia, Uzhgorod: Patent, 1994. - 102 p. (Структура і спектроскопічні дослідження некристалічних твердих тіл / Беседа І., Годьгазі Т., Кікінеші О., Міца В./ - Угорською мовою. Угорська академія наук.Ужгород: Патент, 1994. -102 с. ), монографія.

2.Mitsa V. Structural changes in GeS2 - based glasses with a small arsenic content/ Functional Materials. - 1999. Vol. 6,N 3. - P. 525- 529

3.Mitsa V.M., Fejsa I.I. Raman spectra of chalcogenides implanted into pores of zeolites// Journal of Molecular Structure. -1997. - Vol.410-411. -P.263-265.

4.Gerasimov V.V., Mitsa V.M. Raman spectra of a-Si1-xNx:H following natural ageing// Journal of Molecular Structure. -1997. - Vol.410-411. - P. 245-247.

5.Герасимов В.В., Мица В.М. Структура и концентрационный профиль элементов пленок Asx(GeS2)1-x при дискретном вакуумном напылении// Вакуумная техника и технология. -1997. -Т.7, № 1. - С.46-49.

6.Gerasimov V.V., Mitsa V.M. Concentration profiles of elements and structure of a-Si1-xNx:H films// Fizika A. - 1997. -Vol.6, N 2. - P.61-66.

7.Fejsa I.I., Mitsa V.M., Bletskan D.I. Raman spectra of X-GeS zeolite matrices and structure of As-Ge2S3 glasses// Journal of Molecular Structure. -1999. - Vol.480-481. - P.695-697.

8.Mаtaleshko N.I., Mitsa V.M., Kikineshi O.O. Vibrational spectra and structural studies of Hg-As-S glasses// Fizika A. - 1999. -Vol.8, N 1. - P. 17-24.

9.Calculation of the vibrational spectra of arsenic sulfide clusters/ F.Billes, V.Mitsa, I. Fejes, N.Mateleshko, I.Fejsa. Journal Molecular Structure-1999. Vol.513. - P. 109-115.

10.Photoluminescence in GexAsyS1-x-y glasses by varying the average coordination number / V.M.Mitsa, Yu.Yu.Babinets, Yu.B.Gvardionov, I.B.Yermolovich.// J. of Non-Crystalline Solids. -1991. - Vol.137-138. - P. 959-962.

11.Fejesh I., Billesh F., Mitsa V. A theoretical study of effect on the vibrational spectrum of the stepwise by selenium substitution in arsenic pentasulfide// Journal of Molecular Structure. -2000. - Vol.531. -P. 407-414.

12.Spectral dimensions and free volume in AsxS1-x glasses /Mateleshko N., Veres M., Mitsa V., Melnichenko T., Rosola I.// Physics and Chemistry of Solid State (Ukraine). -2000. -Vol.1, N 2. - P.241-244.

13. Miца В.М., Химинець В.В. Динамічна стійкість і розміри ланцюгових кластерів в широкозонних некристалічних напівпровідниках // Вісник Ужгородського національного університету. Серія фізична. - 2000.- Вип.6 - С.211-220.

14.Gerasimov V.V., Mitsa V.M., Babinets Yu.Yu. Optical tomography of ChVS thin films whil studing by interference enhanced Raman spectroscopy method // Fren. J. Anal. Chem.- 1996. - Vol.355. - P.404-405.

15.Прочностные характеристики тонкопленочных покрытий Ge-As-S и Ge-As-S-J /Онопко В.В., Мица В.М., Фирцак Ю.Ю., Довгошей Н.И., Митровций И.М. // Физическая электроника. - 1981. -Вып.20. - С.57-63.

16.Оптические свойства и химическая связь в стеклах разреза As2S3-GeS2/ Росола И.И., Пуга П.П., Мица В.М., Чепур Д.В., Химинец В.В., Герасименко В.С. //Украинский физический журнал. -1981. -Т.26, № 10. -С.1665-1669.

17.Структурные особенности гиротропных кристаллов халькогенидов ртути / В.Н.Довгошей, В.М. Мица., М.И.Головей, В.С. Герасименко // Украинский физический журнал. - 1985. - Т.30,№ 11. - С.303-305.

18.Нелинейное поглощение света и локальная координация атомов в стеклах As-GeS2 /Бабинец Ю.Ю., Власенко Ю.В., Лисица М.П., Мица В.М., Пинзеник В.П., Фекешгази И.В. // Квантовая электроника (Москва). - 1988. - Т.15.№ 10. - С.2040-2042.

19.Повышение интенсивности КР спектров в пленках ХСП с настраивающим диэлектрическим слоем / Ю.Ю. Бабинец, Н.И. Довгошей, В.М. Мица, В.П. Свитлинец // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 1989.- №15. - С.79-81.

20.Оптические свойства лучестойких интерференционных слоев As2S3-GeS2 и многослойных структур на их основе/ Бабинец Ю.Ю., Довгошей Н.И., Мица В.М., Свитлинец В.П. Фекешгази И.В. // Квантовая электроника (Киев).- 1989. - Вып.36. - С.74-78.

21.Рентгеноэлектронные спектры и локальная координация атомов в пленках AsxGeS2/ Бабинец Ю.Ю., Миленин В.В., Мица В.М., Нестеренко Б.А., Наумовец А.А., Горкун О.Ю. // Украинский физический журнал. - 1990.- Т.35, №4.- С.615-617.

22.КР и Оже спектры волноводных и лучестойких слоев на основе многокомпонентных стекол /Бабинец Ю.Ю., Гвардионов Ю.Б., Мица В.М., Кеслер Л.Г.// Квантовая электроника (Киев). - 1990. - Вып.38. - С.94-96.

23.Толщинная зависимость КР спектров и лучевой прочности в широкозонных халькогенидных полупроводниках/ Ю.Ю. Бабинец, Ю.В.Власенко, В.М. Мица, И.В. Фекешгази // Украинский физический журанал. - 1992. - Т.37, № 2. - С.357-360.

24.Электролюминесцентный индикатор: А.с.1570640. СССР / Мица В.М., Золотун Н.Я., Сердюк А.М., Химинец О.В., Довгошей Н.И., Химинец В.В., Бобонич П.П., Лимбах А.Е., Надоши Т.И.. - №4289749; Заявлено 24.07.87.

25.Способ контроля герметичности оболочек электрических устройств: А.с. 1683397.СССР. С.И.Сикора, А.Е.Лимбах, Т.И.Надоши, В.М.Мица, С.В.Свечников, В.Е.Родионов.- № 4724375/28. Заявлено 26.07.89.

26.Защитное покрытие для гигроскопических оптических елементов инфракрасной области: А.с.596070. СССР / Н.И.Довгошей, Ю.Ю.Фирцак, Н.Ю.Баран, В.М.Мица. - №2401291; Заявлено 13.09.76.

27.Способ получения оптических покрытий на основе многокомпонентных соединений: А.с.1506930.СССР / Свитлинец В.П., Качер И.Э., Мица В.М., Довгошей Н.И., Бобонич П.П., Бабинец Ю.Ю.. - №4072981; Заявлено 17.02.86.

28.Электролюминесцентное устройство: А.с. 1816188 А1.СССР/ С.И.Сикора,В.М.Мица,Т.И.Надоши, Л.Т.Горбачев.- № 4754175; Заявлено 11.09.89.

29.Электролюминесцентный индикатор: А.с.1752167. СССР / Мица В.М., Свечников С.В., Довгошей Н.И., Родионов В.Е., Товт С.З., Бабинец Ю.Ю.- ?4762408; Заявлено 27.11.89.

30.Низковольтный электролюминесцентный индикатор: А.с.1459529. СССР / Молчан Л.А., Сердюк А.М., Мица В.М., Золотун Н.Я., Довгошей Н.И., Сикора С.И., Бобонич П.П., Лимбах А.Е., Надоши Т.И.. - ?4177744; Заявлено 11.11.86.

31.Concentration changes of non-linear properties of Ge-containing chalcogenide glasses /I.V. Fekeshgazi, K.May, V.Mitsa, Y.Vlasenko // Proc. SPIE. -1993. - Vol.1983. - P.834-836.

32.Diagnostic of glassy semiconductors by non-linear absorption methods/ I.V. Fekeshgazi, K.May, V.Mitsa, V.V.Roman// Proc. SPIE. - 1995.- Vol.2648. -P.257-259.

33.Optical absorbability in ternary Ge-As-S glasses and some possibility of its application /I.V.Fekeshgazi, K.V.May, V.M. Mitsa, A.I. Vakaruk// NATO ASI Series, 3. High Technology. - 1997. -Vol.36. - P. 243-248.

34.Розробка фізичних основ створення плоских електролюмінісцентних пристроїв відображення інформації С.І.Cікора, С.В.Свєчніков, В.М. Міца, Ф.Г. Ващук // Науковий вісник УжДІЕІП. - 1998. -№ 2. - С.65-74.

35.Mitsa V.M. Diagnostic of non-crystalline films by use interference of Raman signal in thin and super thin films// Proc. SPIE. - 1997. -Vol. 3359. - P.389-392.

36.Мица В.М. Колебательные спектры и структурные корреляции в бескислородных стеклообразных сплавах / - Сер. " Новое в науке и технике - студентам, учащимся, слушателям и преподавателям ".: Учеб. пособие под грифом Минвуза Украины. -Киев.: УМК ВО, 1992. - 56 с.

37.Мица В.М. Низкочастотные спектры и размеры упорядоченных фрагментов ХСП в модели цепочечного строения. // Cб. "Полупроводниковые материалы и устройства на их основе для оптоэлектроники. - Киев.: УМК ВО, 1991. - С. 27-34.

38.Miца В.М. Концентраційний профіль елементів і структура ближнього порядку в плівках нових напівпровідникових сплавів для електронної техніки на основі a-Si:H // Науковий вісник УжДІЕІП. - 1997 - № 1. - С.76-84.

39.Мица В.М. Контрастирующие и антибликовые покрытия на основе ХСП для плоских устройств отображения информации. // Сб. Трудов конференции " Применение халькогенидных стеклообразных полупроводников в оптоэлектронике ". - Кишинев. 1989. - С.64-65.

40.Мица В.М. Структурно-спектральные исследования пленок ХСП методом спектроскопии КР на интерференционных модах. // Труды Международной конференции " Некристаллические полупроводники -89". - 1989. Т.1. Ужгород. - С.52-54.

41.Мица В.М. ИК,КР спектры и структурные особенности стекол разрезов As-GeS2,Ge-As2S3, As2S3-GeS2 / Тезисы докладов XII Всесоюзного совещания “Применение колебательных спектров к исследованию неорганических и координационных соединений”. Минск. -20-22.09.1989. - С.77-78.

42.Мица В.М. Средний порядок и оптические свойства сложных халькогенидных стекол // Тезисы докладов III Всес. конф. " Материаловедение халькогенидных полупроводников". - Черновцы. -1991. Ч 2. - С. 79.

43.Mitsa V. Raman spectra and modelling of middle-range order dimensions in non-crystalline semiconductors. Тези доповідей Х111 Національної школи-семінару з міжнародною участю “ Спектроскопія молекул та кристалів”.-(Суми,20-26 квітня 1997 року).- С.103.

44.Mitsa V. Low frequency Raman spectra, sizes of fractals and longitudinal elastic modules in wide gap chalcogenide glassy semiconductors/ Book of abstracts XXIII European congress of molecular spectroscopy.-25-30 August.. Balatonfured. Hungary. ,1996. - P.410.

Размещено на Allbest.ru