Технологічно успадковані стани кристалів AIIBVI

Запропоновано спосіб перетворення спектрів п'єзорезонансів в „штрих-код” НДС кристала (рис.4б), який при використанні сканера надає нові можливості в паспортизації зразків (оптичних елементів, детекторів тощо) і їх моніторингу при експлуатації. Показано, що кількість основних та побічних коливань, співвідношення їх амплітуд і частотний інтервал між ними, характер розподілу по спектру основних коливань і структура побічних, а також характер оптико-поляризаційних топограм пружних коливань інтегративно відображають особливості НДС кристалів A^IIB^VI.

У п'ятому розділі приведено результати дослідження впливу перезарядки складних метастабільних центрів кристалів A^IIB^VI, що обумовлена інтенсивним фотозбудженням, на характер перебудови великомасштабних внутрішніх полів.

Шляхом аналізу результатів дослідження спектрів стаціонарного фотовідгуку спеціально не легованих зразків ZnS_1-хSe_х встановлено, що СН визначають: а) нові смуги в спектрі фотопровідності; б) релаксаційний характер фотовідгуку; в) особливості оптичного гасіння; г) спільні „мотиви” в інфрачервоній (ІЧ) області (положення максимумів ІЧ-фотопровідності,

анізотропію спектру фотопровідності). В основі вказаних особливостей лежить залежність енергетичного положення деяких метастабільних центрів та їх зарядового стану від пружного поля, в якому вони знаходяться. Це підтверджується характером зміни спектрів фотопровідності структурно найбільш досконалих і оптично ізотропних нитковидних кристалів ZnSe під дією пластичної деформації, а також розвинутою ІЧ-фоточутливістю механічно напружених зразків.

Збільшення напруженості зовнішнього електричного поля, що прикладене до пластично деформованих кристалів чи текстурованих полікристалів селеніду цинку, супроводжується електростимульованою ІЧ-фотопровідністю, що полягає в суттєвому розширенні спектру ІЧ-чутливості і появі нових смуг з максимумами 1,25 i 1,45 мкм. Такі ж зміни стану метастабільних центрів можуть бути викликані гідростатичним стисненням даних кристалів до тиску 4?10² МПа. Поява нових смуг фотопровідності очевидно пов'язана зі зміною зарядового стану асоціативних центрів, тобто переходом їх в інший МС. Отже, зарядовий стан таких метастабільних центрів може бути своєрідним індикатором внутрішніх полів СН кристала.

Перезарядку метастабільних центрів можна здійснити інтенсивним монохроматичним підсвічуванням, яке переводить кристал в індукований стан. Він характеризується залежністю величини і спектру оптичного гасіння від напруженості електричного поля та його орієнтації відносно напрямку [111], а також від одноосного тиску. Перетворення ІЧ-гасіння в ІЧ-стимульовану фотопровідність з ростом напруженості зовнішнього електричного поля в напрямку [111], що спостерігалось на кристалах селеніду цинку, легованих магнієм, підтверджує важливу роль пружної і електричної гетерогенності в формуванні МС та в їх переході в інший стан під дією зовнішніх чинників. Зокрема, перезарядку метастабільних центрів в таких кристалах селеніду цинку можна здійснити комбінованим інтенсивним монохроматичним підсвічуванням з областей фотолюмінісценції і фотопровідності. Вона супроводжується ростом фотопровідності на два-три порядки в областях випромінювання чи збудження фотолюмінісценції. При цьому сенсибілізуються нові смуги фотопровідності. Встановлено подібність температурних залежностей коефіцієнта сенсибілізації фотопровідності й інтенсивності випромінювання люмінесценції, а також вплив на них одноосного тиску. Все це вказує на те, що один і той же асоціативний центр в залежності від зарядового стану може виконувати роль центра люмінесценції чи центра фоточутливості, тобто знаходитись в різних метастабільних станах.

Великогабаритним кристалам A^IIB^VI, текстурованим полікристалам, оптичній кераміці в певному інтервалі температур притаманна частотна залежність діелектричного відгуку по закону 1/f. Особливості відгуку найбільш багатогранно проявляються в твердих розчинах ZnS_1-хSe_х, в яких густина двовимірних дефектів структури закономірно змінюється з ростом х. Так, в зразках з високою густиною СН в частотній залежності діелектричної проникності виявлена область дисперсії релаксаційного типу, глибина якої збільшується при зростанні інтенсивності свiтла з областi фоточутливостi. Аналiз залежностей е'(f) i е"(f), представлених у вигляді діаграм Коул-Коула, показав, що область сильної дисперсії е^/ пов'язана з існуванням неперервного розподілу релаксаторiв по частотах. Глибина дисперсiї (е_о-е_?)/е_о i найбiльш ймовiрний час релаксацiї ф=1/2f₀, де f₀ - частота максимуму, є індивідуальними характеристиками кристала. Як показав аналіз отриманих результатів в рамках релаксаційної моделі, розподіл релаксаторів по частотах характеризує великомасштабнi флуктуацiї потенцiалу. Вони змінюються пiд дiєю чинникiв, які викликають самоузгоджену перебудову полів СН. Це підтверджується аналізом дiаграм Коул-Коула, якi отримані при прикладенні одноосного тиску чи електричного зміщення. Припущення про те, що комплексна діелектрична проникність кожного зразка зі злитка, що виміряна на частоті, де d^2//df²=0, інтегративно відображає його МС, підтверджується закономірним характером розподілу сукупності точок ?^*, що відображають стан всіх зразків зі злитка, в межах сектора фазової площини. Так, МС зразків, що виготовлені з периферійних областей злитку, як правило, характеризується більшим модулем

Залежності діелектричної проникності і коефіцієнта діелектричних втрат від довжини хвилі монохроматичного світла і мають відмінності, які стають більш виразними при збільшенні інтенсивності збудження Ф. Їх представлення на фазовій площині у вигляді діаграми було вперше запропоновано нами. Аналіз цих діаграм дозволяє виділити ділянки з дугоподібним, лінійним і петлеподібним характером зміни , тобто здійснити декомпозицію діаграм , що єднає їх з діаграмами Арганда. Типові діаграми різних кристалів відрізняються як виглядом (площею S, кількістю N дугоподібних та лінійних ділянок, їх довжиною L та кривиною R), так і розташуванням у фазовій площині. В діаграмі кожного зразка, як виявилось, найбільш цілісно проявляється його індивідуальність.

Спричинена дією на кристал фотозбудження самоузгоджена перебудова його взаємопов'язаних внутрішніх полів відображується в діаграмі . Припущення, що сукупність точок в області S, яку охоплює діаграма , є підмножиною енергетично дозволених індукованих станів, підтверджено експериментально. При фотозбудженні монохроматичним зондом шириною, меншою ніж 100 мкм, сусідніх ділянок кристала діаграми досить подібні по формі і охоплюють площі S₁ і S₂ (рис. 7).

При цьому площа перекриття діаграм ?S (заштрихована область на рис.7) змінюється з координатою Х складним чином. Це наводить на думку, що відношення площі перекриття діаграм ?S до їх середньої площі (S₁+S₂)/2 являє собою певний кореляційний параметр К=2?S/(S₁+S₂), який визначає частку „спільних” індукованих станів. Очевидно, параметр К характеризує ступінь взаємодії між певними сукупностями СН, про що свідчать петлевидні і уособлені ділянки діаграми , де Х - координата зонда (рис.8). Вони відображають залежності е^/(Х) і е^//(Х) в фазовій площині та особливі точки, які, як відомо, пов'язані з витоками та стоками (, де вектор поляризації, густина зв'язаних зарядів).

Таким чином, множина МС, що реалізуються в кожному злитку, визначається індивідуальними полями СН і зарядовим станом метастабільних центрів та інтегративно відображається комплексною діелектричною проникністю. Перезарядка центрів під дією фотозбудження, сильного електричного поля чи тиску супроводжується переходом кристала в індукований стан та самоузгодженою перебудовою внутрішніх пружного і електричного полів. При цьому змінюється взаємодія між центрами і їх енергетичне положення. Індивідуальність і взаємопов'язаність цих процесів в кристалі потребує пошуку нових засобів їх аналізу та відображення.

Шостий розділ присвячено теоретичному та експериментальному обґрунтуванню принципів системного підходу до дослідження метастабільних станів кристалів та розробці на його основі концептуальних засад дослідження технологічно успадкованих станів сполук A^IIB^VI.

Узагальнення результатів проведених досліджень привело до ряду важливих висновків. Виявилось, що, по перше, в зразках з великогабаритних злитків A^IIB^VI немає однозначної відповідності між типом і розподілом СН та функціональними властивостями. По друге, особливості функціональної поведінки кристалів в силових полях визначаються не тільки типом, масштабом та характером розподілу ансамблів двовимірних СН, а також їх механічним та електричним станом в кристалічній матриці. По третє, великомасштабні поля ансамблів СН обумовлюють в п'єзоелектричному кристалі область низькочастотної дисперсії комплексної діелектричної проникності , внаслідок чого множині зразків зі злитку можна поставити у відповідність множину значень е*, яка інтегративно відображає всі МС злитка. З іншого боку множина значень е* відображається певним сектором фазової площини {е^/,е^//}, що встановлює зв'язок просторових координат кожного зразка зі злитку з його образом в фазовій площині та дозволяє розглядати {е^/,е^//} як простір станів. Адже формування і еволюція кожного з множини МС злитка є реакцією кристала як системи на екстремальні умови росту, обробки чи експлуатації, що супроводжується перебудовою взаємозв'язків в системі, яка може бути відображена в просторі станів. Такий підхід відкриває шлях до вирішення взаємопов'язаних проблем дослідження технологічно успадкованих станів. Для цього використано принципи системного підходу до дослідження МС, що базується на новій моделі, інтегративних параметрах стану кристала як системи та характеристичних ознаках ансамблів СН. Запропоновано модель, в рамках якої злиток представляє собою кристалічну матрицю з вкрапленими в неї N функціональними елементами (ансамблями СН), які можуть знаходитись в n-станах (механічно і електрично вільному чи затисненому, частково затисненому), в кожному з яких вони виконують певні функції. Кожен МС зі злитку однозначно відображується певною підмножиною V індукованих станів. При силовому навантаженні кристала змінюється МС і відповідно кількість індукованих станів, тобто потужність підмножини ?V?. Для забезпечення взаємодоповнюваності та однозначності зміна стану системи „кристалічний злиток” визначається: 1) системно - шляхом визначення інтегративного параметра стану кожного зразка; 2) ентропійно - шляхом визначення відносної зміни кількості енергетично дозволених станів з врахуванням особливостей їх розподілу в просторі станів; 3) образно - шляхом відображення відношень між підмножинами індукованих станів в просторі станів за допомогою діаграм Венна. Адекватність моделі підтверджується результатами досліджень діелектричного відгуку кристалів A^IIB^VI. Так, послідовність індукованих монохроматичним зондом шириною 100 мкм дискретних станів в зразку CdZnTe, що відображає залежність діелектричних параметрів від координати Х оптичного зонда, в просторі станів {е^/,е^//} представляє собою N графічних образів різного характеру (див. рис. 8). Отже, за рахунок переходу від обмеженої кількості різнотипних взаємодоповнюючих оптичних, діелектричних, механічних теплових і інших параметрів кристала, до множини однотипних взаємопов'язаних параметрів W:= {е₁*, е₂*, ... , е_i*, ... , е_v*}, що характеризують всі МС злитку, можна отримати додаткову інформацію про індивідуальність кожного МС злитку.

В рамках системного підходу і прийнятої моделі визначено принципи вибору системного параметра та тестового впливу F_і і відповідного циклу, які забезпечують відслідковування перебудови системи „кристалічний злиток” при її навантаженні та розвантаженні дискретною послідовністю F={F_1, F₂, F₃ ...}. Встановлено, що для кристалів A^IIB^VI системним параметром є е*, а інформативними є наступні цикли: термопружний, фотоелектричний, електричний. Представлення цих циклів у вигляді діаграм е*(F_і) з різних точок зору відображає характер самоузгодженої перебудови взаємозв'язків системи „кристалічний злиток”.

Для подальшого аналізу одержаних результатів формується база даних. Її утворюють: а) сукупність значень діелектричних параметрів для пронумерованих зразків злитку, що інтегративно відображає множину метастабільних станів W:={е*_1т, е*_2т, е*_3т, ..., е*_kт}, реалізованих при рості в даному злитку; б) сукупності діелектричних відгуків на тестові впливи, які відображають підмножини індукованих при тестовому впливові F_і (Т, л, Ф та ін.) станів V:={е*_1F, е*_2F, ... ,е*_kF}; в) нові підмножини, що отримані шляхом операцій на підмножинами індукованих станів. Встановлено, що графічне представлення множини діелектричних відгуків в просторі {е^/,е^//} дозволяє розглядати дискретні послідовності е*(F_і) як певні траєкторії станів, які найбільш цілісно відображують функціональну індивідуальність кожного зразка під дією зовнішніх чинників.

На цій основі розроблено концептуальні засади дослідження технологічно успадкованих станів кристалів A^IIB^VI шляхом одержання, аналізу та відображення сукупності діелектричних відгуків на тестові впливи. Ці відгуки є підмножинами індукованих станів кристала, які інтегративно відображають функціональні особливості реального кристала. При порівнянні двох МС кристала такі операції над підмножинами індукованих станів V₁ і V₂ як сума V₁V₂ (їх об'єднання), добуток V₁₁V₂ (їх перетин), різниця V₁\V₂ і симетрична різниця V₁V₂ утворюють нові підмножини. Графічна ілюстрація цих підмножин за допомогою діаграм Венна дозволяє порівнювати стани кристала. В просторі станів кожний МС зразка A^IIB^VI відображається певними е*_1т і підмножиною індукованих тестовим впливом F станів V₁:={е*_1F, е*_2F, ..., е*_kF}, потужність V₁ якої може бути представлена площею в просторі станів, що охоплена діаграмою ( F). Наприклад, стан монокристала ZnSe можна відобразити підмножиною V₁ фотоіндукованих станів, або . При підсвічуванні кристал переходить в новий стан, що характеризується іншою підмножиною фотоіндукованих станів V₂ і потужністю V₂ та відповідною діаграмою

Операції над цими підмножинами, що представлені у вигляді діаграм Венна в просторі станів (рис. 9 б-д), формують нові підмножини. Потужність кожної з них має певний зміст (кількість спільних, енергетично дозволених, нових станів тощо). Ще більшу значимість для системного аналізу результатів досліджень мають інтегративні параметри МС кристала, що визначаються через операцію R відношення двох нових підмножин у вигляді:

W₁= (V₁V₂) R (V₁V₂), (5)

W₂= (V₁ \ V₂ ) R (V₁V₂), (6)

W₃= (V₁? V₂) R (V₁V₂). (7)

W₄ = (V₁ \ V₂ ) R (V₁V₂), (8)

Параметри W₁, W₂, W₃ та інші інтегративно відображають стан кристала як системи та надають широкі можливості для цілісного аналізу якісних і кількісних змін в кристалі (заготовці, оптичному елементі тощо) при силовому навантаженні чи обробці, а також дозволяють функціонально порівнювати і класифікувати успадковані стани зразків зі злитку A^IIB^VI.

У сьомому розділі наведено результати досліджень шляхів використання системного підходу для розробки ефективних способів технологічних обробок великогабаритних кристалів. Показано, що на розвинутих в роботі методологічних засадах можна визначити функціональну подібність зразків зі злитку при дії зовнішнього чинника F. Дійсно, МС двох зразків однозначно задаються двома підмножинами індукованих станів V₁:={е*_1F, е*_{2F ,} ...е*_kF} і V₂:={е*_1F, е*_2F,...е*_kF}, що охоплюють в просторі станів області S₁ і S₂ відповідно. Тому в даному випадку інтегративний параметр W₁ (відношення перетину підмножин (V₁V₂), до їх об'єднання (V₁V₂)) відображає функціональну подібність МС цих зразків. Параметр W₁ було використано для встановлення послідовності причинно-наслідково пов'язаних МС зразків злитку, що утворюють в просторі станів певну траєкторію, яка свідчить, що на процес формування кожного МС суттєво впливають особливості пластичної деформації. Показано, що обмеженій області простору станів можна поставити у відповідність множину МС з певною придатністю до технологічних обробок. У рамках запропонованої концепції можна класифікувати всі зразки зі злитку за критеріями: а) функціонально придатний; б) умовно функціонально придатний (потребує обробки); в) функціонально непридатний.

Відомо, що основною проблемою післякристалізаційної обробки кристалів A^IIB^VI є неефективність термічних і інших видів обробки злитків, а також неоднозначність отримуваних результатів. У роботі показано, що це пов'язано з відмінністю успадкованих станів різних частин злитку. Результати, що одержані в рамках розвинутого підходу, свідчать про те, що для системного вирішення проблеми кристалічні заготовки необхідно розділити на класи. Адже технологічна обробка кристалів при зовнішньому впливі F_i - це закономірна зміна стану кристала через послідовність індукованих станів, яка звичайно є системним процесом і може бути проаналізована та описана в рамках системних уявлень і моделей. Так, діаграма відображує деяку послідовність точок , тобто підмножину індукованих зовнішнім впливом F_і дискретних станів кристала, яка в просторі станів представляє собою певну траєкторію. Сукупність підмножин індукованих станів, отриманих при різних впливах F_i, відображує енергетично дозволені стани:

Саме тому напрямок зміни індукованих дією технологічних чинників F_і станів в просторі {^/,е^//} дозволяє прогнозувати можливі результати обробок. Отже, стає очевидною необхідність кожний злиток розділяти на заготовки (зразки) і класифікувати їх за параметром функціональної подібності станів W₁, формуючи таким чином групи зразків, і для кожної групи встановлювати свої види, параметри та режими обробок. Ефективність такого підходу підтвердили результати пошукових досліджень.

Характер зміни МС кристала при силових навантаженнях однозначно визначається його успадкованим НДС, про що свідчать результати акустичної обробки. Так, експериментально встановлено, що зміна стану кристала може бути досягнута шляхом акустичної обробки, яка представляє собою збудження в зразку сильних резонансних коливань певного типу. При досягненні амплітудою коливань деякого порогового значення відбувається незворотна перебудова внутрішніх механічних полів і, як наслідок, зміна НДС зразка. Вона супроводжується зміною положення точки в просторі станів, зміною потужності підмножин індукованих станів, а також зміною спектра п'єзорезонансів, що дозволяє контролювати обробку та прогнозувати її результати. Збільшення ефективності обробки може бути досягнуто збудженням сильних коливань електричним полем спеціальної конфігурації (квадрупольним, дипольним і іншими), а також обробкою при температурі, яка відповідає максимуму діелектричних втрат. Послідовна зміна станів при циклічній акустичній обробці кристала представляє собою в просторі станів траєкторію взаємопов'язаних станів, кожному з яких відповідає нова підмножина індукованих станів.

Показано, що запропоновані параметри стану кристала W₁, W₂ і W₃ (6-9) надають можливість відслідковувати зміну стану кристалів при обробці чи експлуатації їх в жорстких умовах. Зокрема, незворотність зміни МС кристала при акустичній обробці оцінювалась за допомогою інтегративного параметра стану кристала W₃.

В роботі показано, що для кристалів A^IIB^VI більш ефективною є комбінована обробка, при якій два і більше чинники, одночасно діючи на різні підсистеми кристала, обумовлюють нові для даного класу зразків зі злитка траєкторії індукованих станів. Така обробка формує особливості фотоелектричних, оптичних і інших властивостей кристалів. На основі цих досліджень розроблено 5 оригінальних способів управління спектральною чутливістю детекторів випромінювання. Показано перспективу створення багатофункціональних детекторів випромінювання і оптичних елементів на основі кристалів A^IIB^VI з яскраво вираженою технологічною спадковістю.

Таким чином, розвинуті в роботі підхід і концептуальні засади дослідження метастабільних та індукованих станів злитку, їх експериментальне обґрунтування, а також розроблені способи дослідження і формування на їх основі бази даних, її системного аналізу та представлення, забезпечують цілеспрямований пошук шляхів підвищення ефективності різних видів термічної, променевої, радіаційної та механічної обробки, а також надають можливість прогнозувати функціональну поведінку матеріалів в екстремальних умовах.

ОСНОВНІ РЕЗУЛЬТАТИ ТА ВИСНОВКИ

У дисертації викладено вирішення наукової проблеми виявлення та дослідження успадкованих станів кристалів A^IIB^VI. Теоретичне узагальнення досягнуто в рамках розвинутого в роботі системного підходу та концептуальних засад, що визначають шляхи отримання, обробки, представлення та аналізу сукупностей діелектричних відгуків, які відображають множину успадкованих станів, реалізованих у кристалічному злитку. На підставі узагальнення результатів дослідження в рамках розробленої системної моделі створено ряд способів післякристалізаційної обробки кристалів, які базуються на класифікації кристалічних заготовок по функціональній подібності та встановленні для кожного класу оптимальних режимів обробки. Все це підвищує технологічність даних кристалів, сприяє розширенню областей їх застосування та створює перспективу пошуку нових шляхів вдосконалення технологій росту і обробки інших кристалів.

Основні результати роботи полягають у наступному:

1. Встановлено, що променева та електрична міцність оптичних і електрооптичних елементів на основі кристалічного ZnSe визначається сформованим при рості та післякристалізаційних технологічних обробках метастабільним станом кристала. Розроблено ряд взаємодоповнюючих способів виявлення та візуалізації областей оптичних елементів і датчиків випромінювання, що відрізняються тепловими, діелектричними і акустичними характеристиками.

2. Розроблено ряд взаємодоповнюючих способів визначення типу і розподілу двовимірних структурних неоднорідностей кристала, що породжені особливостями поліморфного перетворення вюрцит-сфалерит, в основу яких покладено послідовне використання оригінальних і модифікованих способів поляризації кристала, хіміко-механічної обробки, одержання тіньових і оптико-поляризаційних картин до і після дії зовнішніх чинників та їх цифрову обробку.

3. На основі модифікованого тіньового методу розроблено оригінальну методику відображення напружено-деформованого стану зразків в формі куба чи диска у вигляді аксонометричних тіньових картин, що візуалізують просторову неоднорідність оптичних параметрів кристала, спричинену термопластичною деформацією.

4. Визначено особливості спектрів п'єзорезонансів та оптико-поляризаційних топограм власних коливань кристалів A^IIB^VI, що обумовлені структурними неоднорідностями, механічні поля яких формують певний напружено-деформований стан кристала, та запропоновано новий спосіб відображення спектра у вигляді штрих-коду стану кристала, використання якого дозволяє порівнювати кристалічні об'єкти з еталоном та здійснювати моніторинг при їх експлуатації в екстремальних умовах.

5. Систематизовано особливості фотовідгуку в постійному і змінному електричних полях кристалів A^IIB^VI, що обумовлені метастабільними центрами і показано, що перезарядка цих центрів під дією фотозбудження супроводжується самоузгодженою перебудовою внутрішніх полів, яка однозначно характеризується сукупністю діелектричних відгуків на відповідні тестові впливи та відображається підмножиною фотоіндукованих станів.

6. Шляхом використання принципів системного підходу до визначення метастабільних станів , що реалізовані в кристалічному злитку, розроблено концептуальні засади виявлення та дослідження успадкованих метастабільних і індукованих станів кристалів A^IIB^VI, які сформовані відповідно внутрішніми та зовнішніми чинниками.

7. Для системного аналізу бази даних, яку отримано шляхом дослідження діелектричних відгуків кристалів A^IIB^VI на тестові впливи, запропоновано нові інтегративні параметри стану кристала, що дозволяють здійснити якісний і кількісний аналіз змін в кристалічному об'єкті (заготовці, оптичному елементі тощо) при силовому навантаженні чи обробці, а також визначено характеристичні ознаки ансамблів двовимірних неоднорідностей (витоків, стоків внутрішніх полів тощо).

8. На підставі узагальнення результатів дослідження, що досягнуте в рамках системного підходу до дослідження метастабільних станів, запропоновано спосіб класифікації кристалів A^IIB^VI по функціональній подібності, який може бути використаний для контролю якості кристалічних зразків та підвищення ефективності термічної, променевої, радіаційної та механічної обробки.

9. На основі концептуальних засад дослідження успадкованих станів кристалів розроблено спосіб контролю незворотних змін стану оптичних елементів при силових навантаженнях, що базується на аналізі змін інтегративних параметрів стану кристала, які цілісно відображають характер перебудови полів структурних неоднорідностей.

10. Розроблено новий спосіб післякристалізаційної обробки кристалів, який полягає в збудженні сильних електромеханічних коливань електричним полем спеціальної конфігурації (квадрупольним, дипольним і іншими), що призводить до незворотної зміни напружено-деформованого стану кристалів A^IIB^VI.

Розроблені системний підхід, концептуальні засади дослідження успадкованих станів кристалів A^IIB^VI, засоби системного аналізу та відображення його результатів, мають універсальний характер і можуть бути використані для дослідження інших матеріалів, а також впливу на них силових навантажень різної природи. Запропоновані способи обробки, аналізу і представлення бази даних, що сформована на основі результатів дослідження діелектричного відгуку кристалів на тестові впливи, дозволяють прогнозувати зміну їх метастабільних станів при силових навантаженнях.

ОСНОВНІ РЕЗУЛЬТАТИ ДИСЕРТАЦІЇ ОПУБЛІКОВАНО В РОБОТАХ

1. Gavrikova I.G., Migal V.P., Rvachev A.L. Photocarrier Sing Inversion under the Influence of Thermal Treatment, Phys. Stat. Sol.(a).-1975.- №30.- K95-К97.

2. Мигаль В.П., Рвачев А.Л., Шолкина М.В. Влияние границы вюрцит-сфалерит на электрофизические свойства кристаллов //ФТП.-1976.-№ 10. С. 1945-1948.

3. Артамонов В.В., Валах М.Я., Лисица М.Н., Мигаль В.П. Особенности локальных колебаний примеси в кристалле ZnSe:Mg //ФТТ.-1976. - № 5.С. 234-239.

4. Gavrikova I.G., Migal V.P., Rvachev A.L. Optical Sensitization of the Photoconductivity Bands // Phys. Stat. Sol.(a).-1976.- №37.- K21-K24.

5. Гаврикова И.Г., Мигаль В.П., Рвачев А.Л., Чигаркова Р.В. Оптическое гашение фотопроводимости в структуре цинковая обманка-вюрцит-цинковая обманка //Физика, Изв. Вузов.-1976.- №10. С.10-34.

6. Мигаль В.П., Рвачев А.Л., Шолкина М.В. Низкочастотные фотоосциляции в монокристаллах селенида цинка, содержащих границы вюрцит-сфалерит // Письма в ЖТФ.-1978.- т.4.- № 14. С. 836-840.

7. Мигаль В.П., Рвачев А.Л., Михайловская Т.С. Влияние электростатического поля на подвижности дислокаций в монокристаллах селенида цинка //ФТТ.- 1981. - № 7. С. 23-25.

8. Мигаль В.П., Рвачев А.Л., Чугай О.Н. Релаксационная поляризация в кристаллах ZnSi_-xSe_x при фотовозбуждении //ФТП.-1985.- т.19.- №8. С.1517-1519.

9. Мигаль В.П., Ульянов В.А., Чугай О.Н. Тепловое расширение поликристаллов селенида цинка //Оптико-механическая промышленность.-1988.- № 3. С. 24-26.

10. Загоруйко Ю.А., Комарь В.К., Мигаль В.П., Чугай О.Н. Измерители проходящей мощности и модуляторы лазерного излучения из монокристаллов селенида цинка // Известия РАН.-1993.-т.57.-№12.- С.180-182.

11. Комарь В.К., Мигаль В.П., Чугай О.Н. Аномалии теплопроводности кристаллов селенида цинка, содержащих двумерные дефекты структуры // Письма в ЖТФ. -1993. - т.19, вып.1. - с.47-51

12. Загоруйко Ю.А., Комарь В.К., Мигаль В.П., Чугай О.Н. Фотопроводимость кристаллов селенида цинка в постоянном и переменном электрических полях //Функциональные материалы.-1994.-№2. С.124-126.

13. J.A. Zagoruiko, V.K. Komar, V.P. Migal. Lazer radiation power and modulator bused on zinc selenide single crystal //Proceedinga SPIE, Vil.2257.-1995-p.228-229.

14. Комарь В.К., Корниенко В.А., Мигаль В.П., Файнер М.Ш., Чугай О.Н, Собственные колебания пъезоэлементов из объемных кристаллов селенида цинка //Письма в ЖТФ.-1994.- т.20, №10.С. 71-75.

15. Загоруйко Ю.А., Комарь В.К., Мигаль В.П., Чугай О.Н. Pелаксационная поляризация в кристаллах селенида цинка при фотовозбуждении //ФТП- 1995. - т.29, вып.6. - С.1065-1069.

16. Загоруйко Ю.А., Комарь В.К., Мигаль В.П., Чугай О.Н. Обратимые и необратимые изменения диэлектрических свойств кристаллов ZnSe, вызванные излучением СО₂-лазера // ФТП. - 1996. - т.30, №6. - с.1046-1049.

17. A.S. Gerasimenko, V.K. Komar, V.P. Migal and O.N. Chugai. Hereditary acoustic properties of zinc selenide crystals grown from melt //Functional Materials.- 1997.-v. 4, №3. Р.392-395.

18. V.P. Migal. Study of macroscopic ordering of polycrystalline ZnSe by natural elastic vibrations method //Functional Materials. -1998.-v.5-№2.- Р.188-190.

19. В.П. Мигаль, М.А. Ром, О.Н. Чугай. Пьезоэлектрические текстуры поликристаллов селенида цинка //Журнал технической физики.-1999.- т.69, вып.2.-С.141-143.

20. Комарь В.К., Мигаль В.П., Чугай О.Н. Спектры собственных упругих колебаний кристаллов селенида цинка. // Неорган. материалы. - 1998.- т.34, N7. - С.1-4.

21. И.А. Клименко, В.П. Мигаль. Влияние акустической обработки на фотопроводимость кристаллов селенида цинка //Письма в ЖТФ.-1999.- Т.25, вып.24.- С.24-29.

22. I.A. Klimenko, V.K. Komar, V.P. Migal, D.P. Nalivaiko. Effect of two-dimensional structure defects on dielectric properties of CZT crystals // Functional Materials.- 2000.- Vol.7.- No 1.- P.52-55.

23. I.A. Klimenko, V.P. Migal. The photodielectric response of ZnSe crystals in a quadrupolar variable electric field // Functional Materials.- 2000.- Vol.7.- No 3.- P.398-401.

24. И.А. Клименко, В.К. Комарь, В.П. Мигаль, Д.П. Наливайко. Влияние упругих полей ростовых дефектов на фотодиэлектрический отклик кристаллов Cd_1-XZn_XTe // ФТП.- 2001.- Т.35, вып.2.- С.139-142.

25. И.А. Клименко, В.К. Комарь, В.П. Мигаль, Д.П. Наливайко. Релаксационный характер диэлектрического отклика кристаллов Cd_1-XZn_XTe, выращенных из расплава // ФТП.- 2001.- Т.35, вып.4.- С.403-405.

26. I.A. Klimenko, V.P. Migal. Treatment influence on the dielectric response of CdTe crystals // Functional Materials.- 2001.- Vol.8.- No 2.- P.152-153.

27. Komar V., Gektin A., Nalivaiko D., Klimenko I., Migal V., Panchuk O., Rybka A. Characterization of CdZnTe crystals grown by HPB method // Nuclear Instr. and Methods in Phys. Research (A). - 2001. - V.458, №1-2. - Р.113-122.

28. В.К.Комарь, В.П.Мигаль, Д.П.Наливайко, О.Н. Чугай. Диэлектрические свойства кристаллов Cd_1-XZn_XTe выращенных из расплава // Неорган. материалы. - 2001.- т.37, N5. - С.540-543.

29. Мигаль В.П. Неаддитивная фотопроводимость и индуцированные состояния кристаллов селенида цинка // ФТП.- 2001.- Т.35, вып.10. С.1188-1191.

30. И.А. Клименко, В.П. Мигаль, Обобщенный диэлектрический отклик кристаллов CdTe // ФТП.- 2002.- Т.36, вып.4. С.397-401.

31. Komar V.K. , Migal V.P. , Chugai O.N. , Puzikov V.M. , Nalivaiko D.P. and Grebenyuk N.N. Investigation of localized stated in cadmium zinc telluride crystals by scanning photodielectric spectroscopy. //Appl. Phys. Letters. - v.81.# 22. - 2002.

32. Гаврикова И.Г., Мигаль В.П., Михайловская Т.С., Рвачев А.Л. Преобразование ИК-гашения фотопроводимости в ИК-стимуляцию //Физика, Изв. Вузов.-1976.- №4. С. 149-149.

33. Мигаль В.П., Рвачев А.Л. ФЭС в монокристаллах селенида цинка //В кн. “Высокоомные полупроводники, фотоэлектреты и электрофотография”.-София, БНР.-1977. С.62-67.

34. Мигаль В.П., Рвачев А.Л., Шолкина М.В. Перспективы использования неоднородных полупроводников в микроэлектронике // Сборник статей “Пути повышения стабильности и надежности элементов и микросхем”.- НТО ПП им. С.И.Вавилова.- Рязань, 1982.-С.37-41.

35. Билинский Ю.М., Мигаль В.П., Чугай О.Н. Влияние фотовозбуждения на тепловое расширение халькогенидов цинка// В кн. “Методы и приборы для точных дилатометрических исследований материалов”.-ВНИИМ, Ленинград.-1988.-С.118-119.

36. Мигаль В.П., Чугай О.Н. Дилатометрические исследования монокристаллов селенида цинка // В кн. “Методы и приборы для точных дилатометрических исследований материалов”.-ВНИИМ, Ленинград.-1988.-С.120-121.

37. Способ определения остаточных напряжений в объекте: А.с. 1137294 СССР, МКИ G 01 B11/16/ Мигаль В.П., Рвачев А.Л., Науменко О.В., Чугай О.Н. (СССР) - № 3562610/25-28; Заявлено 05.03.83; Опубл. 30.01.85; Бюл. № 4.- с 4.

38. Способ определения однородности кристаллов: А.с. 1103666 СССР, МКИ G 01 J 5/50/ Лещенко Н.Е., Мигаль В.П., Ульянов В.А., Чугай О.Н. (СССР) - № 3566241/18-25; Заявлено 05.03.83. - 6 с.

39. Способ определения остаточных напряжений в объекте из диэлектрического материала: А.с. 1404799 СССР, МКИ G 01 B 7/16/ Егоров Ю.А., Мигаль В.П., Рвачев А.Л., Ульянов В.А., Чугай О.Н. (СССР) - № 3987271/25-28; Заявлено 05.12.85; Опубл.23.06.88; Бюл.№23. - 4 с.

40. Способ получения поликристаллов селенида цинка: А.с. 1342068 СССР, МКИ С 30 В 23/02, 29/48/ Билинский Ю.М., Мигаль В.П., Островский П.И. (СССР) - № 3979445/31-26; Заявлено 19.11.85.

41. Способ определения остаточных напряжений в объекте: А.с. 1360338 СССР, МКИ G 01 L 1/24/ Веселовский В.А., Лещенко Н.Е., Мигаль В.П., Чугай О.Н. (СССР) - № 4187832/24; Заявлено 19.01.87.

42. Способ определения остаточных напряжений в объекте: А.с. 1534341 СССР, МКИ G 01 L 3/24/ Комарь В.К., Мигаль В.П., Ульянов В.А., Чугай О.Н. (СССР) - № 4306095/24-10; Заявлено 14.09.87; Опубл. 07.01.90. Бюл. №1. - 4 с.

43. Способ определения однородности кристаллических объектов: А.с. 1507027 СССР, МКИ G 01 N 21/21/ Карпова А.П., Комарь В.К., Мигаль В.П., Чугай О.Н. (СССР) - № 4187860/24; Заявлено 02.02.87.

44. Способ определения остаточных напряжений в объектах из поликристаллических материалов: А.с. 1543258 СССР, МКИ G 01 L 1/24/ Комарь В.К., Мигаль В.П., Ульянов В.А., Чугай О.Н. (СССР) - Заявлено 31.08.87; Опубл. 15.02.90; Бюл.№ 6. - 4 с.

45. Способ обработки кристаллов A^IIB^VI: А.с. 1131392 СССР, МКИ М ОI 21/263/ Мигаль В.П., Стратиенко В.А., Михайловская Т.С. (СССР) -№ 3641755/24-25; Заявлено 29.07.83.

46. Способ определения остаточных напряжений в объектах: А.с. 1534341 СССР, МКИ G 01 L 3/24/ Комарь В.К., Мигаль В.П., Ульянов В.А., Чугай О.Н. (СССР) - № 4306095; Заявлено 14.09.87; Опубл. 7.01.90; Бюл. № 1. - 4 с.

47. Способ визуализации дефектов структуры в кристаллических объектах: А.с. 1721475 СССР, МКИ G 01 N 21/19/ Комарь В.К., Мигаль В.П., Ульянов В.А., Чугай О.Н. (СССР) - № 4618627/25; Заявлено 12.12.88; Опубл. 23.03.92; Бюл.№ 11. - 4 с.

48. Способ визуализации микронеоднородностей в кристаллах: А.с. 1770843 СССР, МКИ G 01 N 21/19/ Комарь В.К., Карпова А.П., Мигаль В.П., Терейковская О.Ф. (СССР) - №4823116/25; Заявлено 03.05.90; Опубл. 23.10.92; Бюл.№39. - 6 с.

49. Способ определения распределения неоднородностей структуры кристалла: А.с. 1772711 СССР, МКИ G 01 N 27/22/ Мигаль В.П., Ульянов В.А., Чугай О.Н. (СССР) - Заявлено 23.02.90; Опубл. 30.10.92; Бюл.№40. - 4 с.

50. Способ визуализации неоднородностей в кристаллических объектах: А.с. 1752061 Украина, МКИ G 01 N 21/19/ Мигаль В.П., Комарь В.К., Чугай О.Н. - Заявлено 05.06.90; Опубл. 23.03.92; Бюл. № 11; 1992.

51. Спосіб визначення залишкових напружень в п'єзоелектричних кристалах: Деклараційний патент на винахід 40763А Україна, МКІ G 01 N 21/23. Мигаль В.П. Чугай О.М., Клименко І.А. - Заявлено 27.07.99; Опубл. 15.08.2001; Бюл. №7.- 2 с.

52. Спосіб акустичної обробки п'єзоелектричних кристалічних матеріалів: Деклараційний патент на винахід 40800А Україна, МКІ H 01 L 21/23. Мигаль В.П., Клименко І.А. - Заявлено 25.04.2000; Опубл. 15.08.2001; Бюл. №7.- 2 с.

53. Мигаль В.П., Рвачев А.Л., Чугай О.Н. Исследование физических свойств селенида цинка для оптики мощных лазеров и поиск эффективных методов контроля ее лучевой стойкости // Рук. деп. в ВНТЦ.-№ 02860062890.-1985.

54. Глущенко Н.И., Загоруйко Ю.А., Мигаль В.П., Рвачев А.Л., Шолкина М.В. Электростимулированная ИК-проводимость, обусловленная термообработкой //ФТП.-1976.-№10. - С. 201. Рук. деп. в НИИ ”Электроника”. - № 3566/75.

55. Атрощенко Л.В., Мигаль В.П., Рвачев А.Л., Чугай О.Н. Аномальная поляризуемость в твердых растворах ZnS_i-xSe_x //ФТП.-1982 № 5.- Рук. деп в НИИ “Электроника”.-№ 9075/83.

Размещено на Allbest.ru