Шари просторового заряду в газорозрядних пучково-плазмових системах
Дослідження механізмів утворення, стійкості та динаміки поверхневих шарів просторового заряду. Встановлення фізичних закономірностей генерації і прискорення пучків заряджених частин. Методи зміни параметрів шарів для їх іонізації і біполярного потоку.
| Рубрика | Физика и энергетика |
| Вид | автореферат |
| Язык | украинский |
| Дата добавления | 27.02.2014 |
| Размер файла | 70,6 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
У п'ятому розділі наведено результати експериментальних і теоретичних досліджень динаміки формування і просторової стабілізації сильних подвійних шарів та електричних полів у міжелектродному проміжку газорозрядних пучково-плазмових систем за допомогою неоднорідності перерізу розрядного проміжку та просторово неоднорідних магнітних полів, особливостей газорозрядних процесів і формування потоків заряджених частинок у таких системах.
У підрозділі 5.1 подано результати експериментальних і теоретичних досліджень динаміки формування потужнострумового пучка іонів в електричному полі подвійного шару, стабілізованого неоднорідністю перерізу розрядного проміжку (пункт 5.1.1) і просторовою інверсією магнітного поля (пункт 5.2.2) в об'ємі імпульсного прямого розряду низького тиску.
Доведено, що в газорозрядних пучково-плазмових системах можлива просторова стабілізація сильних подвійних шарів та їхнє використання як віртуальних електродів іонно-оптичних систем. При цьому потужно-струмовий імпульсний прямий розряд низького тиску зі звуженням роз-рядного проміжку або з реверсивним магнітним полем є проста і ефективна система для формування потужних пучків заряджених частинок. Той факт, що на подвійному шарі відбувається спад практично всієї, прикладеної до розрядного проміжку напруги, забезпечує велике значення коефіцієнта трансформації енергії зовнішнього електричного поля в енергію формованих пучків заряджених частинок. Наведено динаміку утворення сильного подвійного електричного шару в об'ємі пучково-плазмового розряду з просторовою інверсією магнітного поля.
Також показано, що утворення густої плазми в катодній та анодній областях розрядного проміжку забезпечується пучково-плазмовою взаємодією. Оптимальні умови для генерації іонного пучка створюються у випадку формування густої плазми в катодній області розрядного проміжку.
У цьому випадку забезпечується ефективна зарядова нейтралізація іонного пучка. Густина струму іонного пучка відповідає Бомовській густині струму плазми в анодній області розрядного проміжку. При екстракції з розрядного проміжку тільки іонного пучка, можливо корисне використання енергії, вкладеної в електронний пучок, для випарення матеріалу анода й здобуття пучків іонів різноманітних твердих і тугоплавких матеріалів.
Для систем із просторовою стабілізацією сильних подвійних шарів реверсивним магнітним полем запропоновано феноменологічну модель формування і руйнування шарів.
У підрозділі 5.2 викладено результати досліджень формування потоків заряджених частинок за рахунок керування просторовим розподілом електричних полів у плазмовому об'ємі за допомогою неоднорідних маг-нітних полів. У пункті 5.2.1 розглянуто особливості формування потоків заряджених частинок у розряді Пенінга з просторово неоднорідним маг-нітним полем. У пункті 5.2.2 розглянуто фокусування плазмових потоків неоднорідним магнітним полем у пучково-плазмових технологічних системах.
Визначено, що при відсутності умов для утворення сильних подвійних шарів, розподілом електричних полів у плазмовому об'ємі пучково-плазмових систем для фокусування потоків заряджених частинок можливо керувати за допомогою неоднорідного магнітного поля, що дозволяє підвищити їхню струмову ефективність. У припущенні больцманівського розподілу електронної густини (при , потенціал ) здобуто вираз для просторового розподілу електричного потенціалу у вигляді:
,
де - показник адіабати;
і - температури, обумовлені повздовжніми і поперечними швидкостями електронів, відповідно;
- максимальне магнітне поле по осі розряду.
Видно, що локалізація максимального потенціалу визначається просторовим положенням максимуму магнітного поля . Метод керування розподілом електричних полів у плазмовому об'ємі за допомогою неоднорідних магнітних полів застосовувався при розробці технологічних іонних джерел на основі розряду Пенінга та пучково-плазмового розряду для травлення й осадження тонкоплівочних покриттів, що дозволило збільшити їх струмову ефективність та однорідність іонної обробки виробів.
У шостому розділі вивчено особливості плазмової зарядової і струмової компенсації іонних пучків у просторі транспортування в процесах іонного розпилення мішеней. Наведено результати дослідження автогенерації заряджених частинок у просторі транспортування при проходженні іонним пучком області з поперечним і локально-неоднорідним квазіповздовжним магнітним полем за рахунок збудження додаткового несамостійного газового розряду магнетронного типу. Досліджено механізм розвитку і характеристики електростатичної нестійкості іонного пучка в поперечному магнітному полі катодної області холлівського прискорювача.
У підрозділі 6.1 розглянуто токову автокомпенсацію іонного пучка в поперечному магнітному полі холлівського прискорювача. Доведено, що при транспортуванні іонних пучків у поперечному магнітному полі до ізольованого колектора виникає автокомпенсація іонного пучка за рахунок збудження додаткового несамостійного газового розряду, який забезпечує нейтралізуючий електронний струм на оброблювану поверхню. На рис. 4 наведено залежність потенціалу ізольованого колектора при різних типах додаткового розряду.
В умовах низького тиску формується високовольтний розряд з анодним шаром у схрещених електричному і магнітному полях з досить невисокою швидкістю генерації заряджених частинок, а при підвищеному тиску відбувається перехід до високоефективного розряду магнетронного типу, що забезпечує практично повну струмову компенсацію іонного пучка. Побудовано феноменологічну модель плазмової компенсації іонного пучка в поперечному магнітному полі, згідно до якої потенціал ізольованого колектора з врахуванням ефекту автокомпенсації пучка іонів визначається з рівняння
Проведено порівняння результатів експериментальних досліджень автокомпенсації іонного пучка з теоретичними розрахунками, що дозволило удосконалити конструкцію холлівського прискорювача.
У підрозділі 6.2 розглядається генерація заряджених частинок при транспортуванні іонного пучка у квазіповздовжньому магнітному полі. Досліджено процеси та механізми генерації заряджених частинок у просторі транспортування при проходженні іонним пучком області з локально-неоднорідним квазіповздовжним магнітним полем у конфігурації електромагнітної пастки для електронів зформованої на периферії пучка. Виявлено, що в цій області при транспортуванні іонного пучка до діелектричної чи гальванично ізольованої мішені відбувається збудження несамостійного газового розряду під впливом високого потенціалу декомпенсованого іонного пучка.
У підрозділі 6.3 вивчено механізм розвитку і характеристики електростатичної нестійкості іонного пучка в просторі транспортування з поперечним магнітним полем. Досліджено електростатичну нестійкість скомпенсованого іонного пучка поблизу катода кільцевого холлівського прискорювача в просторі транспортування в області існування поперечного магнітного поля. Запропоновано модель формування і релаксації вірту-ального анода, в якій враховано ефект запізнювання в надходженні частинок, відбитих з області локалізації віртуального анода в зону розряду прискорювача.
У сьомому розділі експериментально і теоретично досліджено емісійні характеристики примежового шару, що виникає в пучково-плазмовій системі на межі плазма - поверхня при наявності вторинної емісії електронів під впливом електронного пучка. Вторинно-емісійний примежовий шар досліджено за допомогою пробного потоку термоелектронів, що інжектується з боку електрода-мішені. Для теоретичного опису примежового шару застосовано модель шару Ленгмюра з урахуванням присутності елект-ронного пучка. Також наведено приклади застосування результатів, які отримані у рамках даного розділу, зокрема, досліджено нову методику обробки діелектричних поверхнь у пучково-плазмових технологічних системах.
У підрозділі 7.1 досліджено вторинно-емісійний приелектродний подвійний електричний шар у пучково-плазмовій системі. Доведено, що у пучково-плазмовій системі біля поверхні електрода можливе формування перехідного шару спаду потенціалу. Цей шар є подвійним електричним шаром: біля поверхні електрода концентрація електронів перевищує концентрацію позитивних іонів за рахунок вторинної емісії під дією бомбардування поверхні електрода потоками заряджених частинок, а біля межі шар - плазма концентрація іонів перевищує концентрацію електронів. Поблизу поверхні електрода формується електричний потенційний бар'єр величиною порядку середньої енергії вторинних електронів, який обмежує емісійний потік у плазму. Утворення приелектродного вторинно-емісійного подвійного шару відбувається в режимі транспортування компенсованого електронного пучка при невеликих концентраціях плазми. А в режимах з підвищеною концентрацією плазми за рахунок пучково-плазмового розряду або за рахунок іонізації вторинними електронами чи відбитими електронами пучка обмеження емісії з електрода відсутнє, ос-кільки подвійний електричний шар зникає і перетворюється в іонний шар об'ємного заряду.
У підрозділі 7.2 наведено експериментальні дослідження примежового шару в пучково-плазмовій системі біля електрично ізольованої по-верхні. Доведено, що у випадку електрично ізольованого чи діелектричного електрода-мішені у діапазоні енергій електронного пучка, при яких (де - коефіцієнт вторинної електронно-електронної емісії матеріалу поверхні), поблизу поверхні утворюється примежовий шар, який формують електрони пучка, що відчувають сповільнення в гальмуючому електричному полі, яке виникає при зарядці мішені електронним пучком. У шарі, що виникає, спад потенціалу, величина якого визначається енергією електронів пучка , відбувається прискорення іонів плазми до поверхні до енергій , тобто енергія електронного пучка перетворюється в енергію іонного потоку на поверхню. У діапазоні енергій електронного пучка, коли коефіцієнт вторинної електронно-електронної емісії , обмеження вторинної емісії електронів з поверхні відсутнє і біля поверхні утворюється слабкий подвійний електричний шар, який формується вторинно-емісійними електронами. Енергія електронів, що бомбардують поверхню відповідає енергії пучка , а енергія іонів , де - температура електронів плазми пучково-плазмового розряду. Таким чином, для пучково-плазмових систем з ізольованим підложкотримачем - струмоприймачем пучка в залежності від енергії електронного пучка існують два технологічних режими обробки поверхні зарядженими частинками: режим з обмеженням вторинної емісії та формуванням іонного потоку на мішень (іонний режим) і режим, коли електронний пучок бомбардує поверхню мішені, а вторинна емісія електронів присутня (електронний режим). Виявлено, що змінюючи за допомогою генератора з невеликою глибиною модуляції енергію пучка електронів, можна здобути стрибкоподібний перехід з режиму в режим, коли іонна обробка чергується з нагріванням поверхні електронами. На цій основі запропоновано методику обробки поверхні твердих тіл у пучково-плазмових системах, яка застосовувалася в технологічних процесах нанесення і травлення тонких функціональних і декоративних покриттів.
У висновках наведено основні результати, здобуті в дисертаційній роботі.
ВИСНОВКИ
У дисертаційній роботі наведені результати комплексних дос-ліджень процесів взаємодії потоків заряджених частинок і електромагнітних полів із шарами просторового заряду в газорозрядних пучково-плазмових системах, виявлені нові фізичні закономірності в процесах генерації, прискорення і транспортування пучків заряджених частинок і розв'язана наукова проблема розробки методів локальної зміни параметрів шарів з метою керування іонізаційними процесами і характеристиками біполярного руху потоків заряджених частинок. Експериментальні дос-лідження цих явищ проведені за допомогою традиційних для фізики плазми і газового розряду й апробованих діагностичних методів. Результати досліджень фізичних процесів у шарах просторового заряду газорозрядних пучково-плазмових систем і розроблені методи керування цими процесами дають змогу підвищити ефективність генерації, прискорення і транспортування пучків заряджених частинок, дають основу для розробки сучасного обладнання для пучкової і плазмової обробки і реалізації з його допомогою нових високоефективних технологічних процесів.
Основні наукові висновки дисертаційної роботи:
1. Проведено дослідження макроскопічної стійкості і динаміки анодного шару розряду низького тиску в сильному поперечному магнітному полі, які довели, що при інжекції первинних електронів у катодну область розряд є нестійким. Розрядний струм має імпульсний характер і забезпечується періодичним проходженням розрядного проміжку елект-ронним згустком (шаром). Кількість електронів у шарі визначається по-точним значенням спаду електричного потенціалу на просторовому заряді шару, а швидкість - класичною рухливістю електронів поперек магнітного поля. Електронний шар, що рухається, є нестаціонарним джерелом електронів та іонів, що ідуть на катод розрядної системи. Нестійкість приводить до сильної модуляції параметрів розряду і появі особливостей на стаціо-нарних струмових характеристиках. Запропоновано феноменологічну модель для опису нестійкості розряду, проведено порівняння теоретичних розрахунків з експериментальними результатами.
2. Експериментально і теоретично доведено, що локальну зміну густини електронів в анодному шарі можна здійснити за допомогою неоднорідного магнітного поля. Запропоновано методику локальної зміни параметрів стаціонарного анодного шару і керування формою функції розподілу іонів за енергіями за допомогою профільованого магнітного поля. Доведено, що для підвищення енергетичної ефективності холлівських джерел іонів потрібно застосовувати неоднорідне магнітне поле з максимальною напруженістю на анодній межі шару, що дає змогу здобути переважну генерацію іонів поблизу анодної межі шару.
3. Доведено, що взаємодія дрейфового електронного потоку в анодному шарі пучково-плазмових систем холлівського типу з власними чи зовнішніми високочастотними електричними полями приводить до ло-кальної зміни рухливості та густини електронів, зменшенню швидкості генерації іонів. При збудженні ВЧ-хвилі навколо точки гідродинамічного резонансу спостерігається ефект вихрового руху електронів і змінюється масштаб переносу електронів поперек магнітного поля. Аномальний без-зіткневий перенос приводить до зменшення густини електронів у цій зоні й зменшенню швидкості іонізації, і, як наслідок, до зменшення кількості іонів з відповідною енергією, що спостерігається як “провал” в функції розподілу іонів за енергіями. Локалізація зони аномального переносу електронів і деформації форми функції розподілу іонів за енергіями визначаються такими параметрами ВЧ-поля, як частота і довжина хвилі, а просторовий (енергетичний) масштаб - широм швидкості й амплітудою ВЧ-поля. Ефект аномального переносу електронів і, як наслідок, зменшення густини електронів і швидкості іонізації в цій області є особливо суттєвим при низьких тисках.
4. У тліючих розрядах з поперечним магнітним полем утворення негативного об'ємного заряду поблизу катода стає можливим завдяки осциляціям електронів у магнітному полі й інжекції іонного пучка з анодного шару. Утворення в катодній області подвійного електричного шару (іонний заряд - на межі катодного шару і позитивного стовпа, електронний заряд - поблизу поверхні катода) або тільки іонного просторового заряду істотно впливає на розрядні характеристики і стійкість газорозрядних пучково-плазмових систем до пробоїв.
5. Перехід із тліючого розряду в дуговий у плазмовому діоді проходить через стадію утворення подвійного шару просторового заряду, який рухається, на фронті плазми катодних плям і генерацію потужних елект-ронних та іонних пучків, що приводять до збільшення генерації заряджених частинок в об'ємі газорозрядної системи, що потрібно для переходу до дугового розряду, обмеженому зовнішніми параметрами ланцюгу. Дуговий розряд у поперечному магнітному полі має свої особливості. При великих магнітних полях і малих струмах катодні плями утворюються на поверхні мішені в області магнітної пастки магнетрона, тобто дуговий розряд відбувається в поперечному магнітному полі. При збільшенні розрядного струму структура плазмового стовпа змінюється, тому що конфігурація магнітного поля втрачає утримуючі властивості, а дуговий розряд переходить з розряду з поперечним магнітним полем у розряд із квазіповздовжнім магнітним полем.
6. У потужнострумовому імпульсному прямому розряді низького тиску зі звуженням розрядного проміжку або з реверсивним магнітним полем можлива просторова стабілізація сильних подвійних шарів і їхнє застосування як віртуальних електродів іонно-оптичних систем. Утворення подвійного шару забезпечує велике значення коефіцієнта трансформації енергії зовнішнього електричного поля в енергію формованих пучків за-ряджених частинок. Також доведено, що утворення густої плазми в катодній і анодній областях розрядного проміжку забезпечується пучково-плазмовою взаємодією. Густина струму іонного пучка відповідає Бомовській густині струму плазми в анодній області розрядного проміжку. При екстракції з розрядного проміжку тільки іонного пучка можливо корисне використання енергії, вкладеної в електронний пучок, для випарення матеріалу анода й здобуття пучків іонів різноманітних твердих і тугоплавких матеріалів. Для систем з реверсивним магнітним полем запропоновано феноменологічну модель формування і руйнування сильного подвійного шару.
7. При відсутності умов для утворення сильних подвійних шарів розподілом електричних полів у плазмовому об'ємі пучково-плазмових систем для фокусування потоків заряджених частинок можливо керувати за допомогою неоднорідного магнітного поля. Цей метод застосовувався при розробці технологічних іонних джерел на основі розряду Пенінга і пучково-плазмового розряду для травлення й осадження тонкоплівочних покриттів, що дало змогу збільшити їхню струмову ефективність і одно- рідність іонної обробки виробів.
8. При транспортуванні іонних пучків у поперечному магнітному полі до ізольованого колектора виникає автокомпенсація іонного пучка за рахунок збудження додаткового несамостійного газового розряду, що забезпечує нейтралізуючий електронний струм на оброблювану поверхню. При цьому в умовах низького тиску формується високовольтний розряд з анодним шаром у схрещених електричному і магнітному полях з досить невисокою швидкістю генерації заряджених частинок, а при підвищеному тиску відбувається перехід до високоефективного розряду магнетронного типу, що забезпечує практично повну струмову компенсацію іонного пучка. Побудовано феноменологічну модель плазмової компенсації іонного пучка в поперечному магнітному полі.
9. Досліджено процеси і механізми генерації заряджених частинок у просторі транспортування при проходженні іонним пучком області з ло-кально-неоднорідним квазіповздовжнім магнітним полем. Виявлено, що в цій області при транспортуванні іонного пучка до діелектричної чи гальванично ізольованої мішені відбувається збудження несамостійного газового розряду під впливом високого потенціалу декомпенсованого іонного пучка. Застосування неоднорідних локальних повздовжніх магнітних полів у просторі транспортування іонного пучка дає змогу трансформувати частину енергії іонного пучка на генерацію заряджених частинок, які забезпечують зарядову і струмову нейтралізацію пучка. Запропонована електромагнітна система є новим типом газорозрядного нейтралізатора іонних пучків.
10. Досліджено електростатичну нестійкість скомпенсованого іонного пучка біля катода кільцевого холлівського прискорювача в просторі транспортування в області існування поперечного магнітного поля. Запропоновано модель формування і релаксації віртуального анода, у якій враховано ефект запізнювання в надходженні частинок, відбитих з області локалізації віртуального анода в зону розряду прискорювача. На основі цієї моделі розраховано часові характеристики і форма коливань потенціалу віртуального анода. Здобуті результати дали змогу пояснити сильну модуляцію струму іонного пучка, деформацію розрядних характеристик іонного джерела, зарядову декомпенсацію пучка і його розфокусування.
11. У пучково-плазмовій системі біля поверхні електрода-колектора пучка можливе формування подвійного електричного шару, який обмежує емісійний потік у плазму. Утворення приелектродного вторинно-емісійного подвійного шару відбувається в режимі транспортування компенсованого електронного пучка при невеликих концентраціях плазми. У режимах з підвищеною концентрацією плазми за рахунок пучково-плазмового розряду або за рахунок іонізації вторинними електронами або відбитими електронами пучка обмеження емісії з електрода відсутнє, подвійний електричний шар зникає і перетворюється в іонний шар об'ємного заряду. Знайдено умову утворення приелектродного вторинно-емісійного подвійного шару за допомогою моделі Ленгмюра з урахуванням електронного пучка. Доведено, що утворення такого шару приводить до обмеження емісії з електрода на значно більш низькому рівні, ніж у випадку, розглянутому Ленгмюром.
12. Для пучково-плазмових систем з ізольованою мішенню - струмоприймачем пучка - в залежності від енергії електронного пучка існують два технологічні режими обробки поверхні зарядженими частинками: режим з обмеженням вторинної емісії і формуванням іонного потоку на мішень (іонний режим) і режим, коли електронний пучок бомбардує поверхню мішені, а вторинна емісія електронів присутня (електронний режим). Змінюючи з невеликою глибиною модуляції енергію пучка електронів, можна здобути стрибкоподібний перехід з режиму в режим, коли іонна обробка чергується з нагріванням поверхні електронним пучком.
СПИСОК ОПУБЛІКОВАНИХ ПРАЦЬ ЗА ТЕМОЮ ДИСЕРТАЦІЇ
Бизюков А.А., Луценко Е.И., Середа Н.Д., Целуйко А.Ф. Сильноточный двойной слой на фронте плазмы катодных пятен // Письма в ЖТФ. - 1984. - Т. 10, № 22. - С. 1349-1353.
Бизюков А.А., Луценко Е.И., Середа Н.Д., Целуйко А.Ф. Исследование начальной стадии формирования пучково-плазменного разряда в плазменном диоде // УФЖ. - 1986. - Т. 31, №3. - С. 375-381.
Бизюков А.А., Середа Н.Д., Скрыпник А.А., Целуйко А.Ф., Юнаков Н.Н. Образование и динамика виртуального анода в ускорителе с анодным слоем // УФЖ. - 1991. -Т. 36, № 3. - С. 378-382.
Sleptsov V.V., Gylina V.I., Bizukov A.A., Khots G.E., Unakov N.N. Capabilities of plasma beam discharge for the formation of diamond-like carbon films // Diamond and Related Materials. - 1995. - №4. - P. 120-121.
Бизюков А.А., Середа К.Н., Середа Н.Д., Слепцов В.В., Перевозчиков Б.Н. Сильноточный импульсный источник ионов с испаряемым анодом // Приборы и техника эксперимента. - 1996 - №6 - С. 112-114.
Bizioukov A.A., Kashaba A.Y., Sereda K.N., Tseluyko A.Ph., Yunakov N.N. Multichannel source of synthesized ion-electron flow // Rev. Sci. Instrum. - 1996. - V. 67, No 12. - P. 4417-4119.
Bizyukov A.A., Kashaba A.Y., Sereda K.N. Gas-discharge neutralizer for ion-beam system // Rev. Sci. Instrum. - 1997. - V. 68, No 12. - P. 4415-4417.
Бизюков А.А., Кашаба А.Е., Середа К.Н., Целуйко А.Ф., Юнаков Н.Н. Автокомпенсация ионного пучка в ускорителе с анодным слоем // Письма в ЖТФ. - 1997. - Т. 23, №10. - С. 69-73.
Бизюков А.А. Электростатическая неустойчивость ионного пучка в холловском ускорителе // Вісник Харківського університету. Серія фізична: Ядра, частинки, поля. - 1998. - №13/01. - С. 55-59.
Бизюков А.А., Бобков Вл.В., Рябчиков Д.Л., Рябчиков Н.Л., Целуйко А.Ф., Юнаков Н.Н. Вакуумно-плазменное нанесение покрытий на рулонные материалы // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Вакуум, чистые материалы, сверхпроводники. - 1998. - № 4(5), 5(6). - С. 93-96.
Бизюков А.А. Тонкая структура катодного слоя в разрядах с попе-речным магнитным полем // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Вакуум, чистые материалы, сверхпроводники. - 1998. - № 6(7), 7(8). - С. 142-144.
Bizyukov A.A., Bobkov Vl.V.,Kashaba A.Y., Sereda K.N., Tarasov I.K. Features of carbon coating deposition in beam plasma discharge // Problems of Atomic Science and Technology. Series: Plasma Physics. - 1999. - № 4(4). - P. 267-269.
Bizyukov A.A., Kashaba A.Y., Sereda K.N., Sereda N.D. Formation of ion beam in pulse discharge // Problems of Atomic Science and Technology. Series: Plasma Physics. - 1999. - № 3(3). - P. 209-211.
Bizyukov A.A., Kashaba A.Y., Sereda K.N. Secondary emissive double layer in beam-plasma system // IEEE Transactions on Plasma Science. - 1999. - V. 27, №1. - P. 159-163.
Bizyukov A.A., Bobkov Vl.V., Kashaba A.Y., Lapshin V.I., Tarasov I.K. Wave-induced transport in the discharge with transverse magnetic field // Journal of Technical Physics. - 1999. - Vol. XL, №1. - P. 241-244.
Бизюков А.А., Кашаба А.Е., Середа К.Н., Тарасов И.К., Слепцов В.В., Данцигер М. Импульсная магнетронная распылительная система // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Вакум, чистые материалы, сверхпроводники. - 1999. - Вып. 2(10). - С. 10-14.
Аболмасов С.Н., Бизюков А.А., Кашаба А.Е., Середа К.Н. Неустойчивость анодного слоя разряда в поперечном магнитном поле // Вісник Харківського університету. Серія фізична: Ядра, частинки, поля. - 1999. - Вип. 4, №463. - С. 55-59.
Abolmasov S.N., Bizyukov A.A., Kashaba A.Y., Sereda K.N. Study of mechanism of anode layer instability of the discarge in transverse magnetic field // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Плазменная электроника и новые методы ускорения (2). - 2000. - №1. - С. 97-101.
Bizyukov A.A., BobkovVl.V., Kashaba A.Y., Sereda K.N. Improvement of current efficiency of ion source based on Penning discharge // Problems of Atomic Science and Technology. Series: Plasma Physics (5). - 2000. - №3. - Р. 153-155.
Bizyukov A.A., Kashaba A.Y., Maslov V.I., Sereda K.N., Sereda N.D., Tarasov I.K., Abolmasov S.N. Ion beam formation in the field of double layer stabilized by spatial reversal of magnetic field // Plasma Devices and Operations. - 2000. - V. 8. - P. 147-166.
Bizyukov A.A., Kashaba A.Y., Sereda K.N., Sleptsov V.V., Danziger M., Phiodorov S. TiN coating etching from a surface of the instrument in beam-plasma system // Problems of Atomic Science and Technology. Series: Plasma Physics. - 1999. - № 6(6). - P. 163-165.
А.С. 1637598 СССР, МКИ H 01 L 21/263. Способ реактивного ионно-плазменного травления образцов / А.А. Бизюков, О.В. Лукашевич, Н.Д. Середа, А.Ф. Целуйко, В.В. Швентковский, Н.Н. Юнаков (СССР). - № 4620872/25; Заявл. 16.12.88; Опубл. 22.11.90, - 3с.
Пат. 2048600 РФ, МКИ 6 С 23 С 8/36. Способ получения углеродного покрытия / В.В. Слепцов (РФ), А.А. Бизюков (Украина). - № 93048535/02; Заявл. 19.10.93; Опубл. 20.11.95, Бюл. № 32. - 6с. ил.
Пат. 2161662 Российская Федерация, МКИ 7 С 23 С 14/34. Способ обработки поверхности твердого тела / В.В. Слепцов (РФ), А.А. Бизюков (Украина), М. Данцигер (ФРГ). - №99106815; Заявл. 29.03.99; Опубл. 10.01.01, Бюл. №1. - 9с.
Размещено на Allbest.ru
Подобные документы
Сутність і основні характерні властивості магнітного поля рухомого заряду. Тлумачення та дія сили Лоуренца в магнітному полі, характер руху заряджених частинок. Сутність і умови появи ефекту Холла. Явище електромагнітної індукції та його характеристики.
реферат [253,1 K], добавлен 06.04.2009Фізичні основи процесу епітаксія, механізм осадження кремнію з газової фази. Конструкції установок для одержання епітаксійних шарів кремнію. Характеристика, обладнання молекулярно-променевої епітаксії. Легування, гетероепітаксія кремнію на фосфіді галію.
курсовая работа [2,6 M], добавлен 29.10.2010Загальні відомості, вольт-амперна характеристика, p-i-n структури, фізичний механізм та заряд перемикання напівпровідникового діода. Особливості та експерименти по визначенню заряду перемикання сплавних, точкових, дифузійних та епітаксіальних діодів.
дипломная работа [863,1 K], добавлен 16.12.2009Електричний заряд. Закон збереження електричного заряду. Основні властивості електричних зарядів, дослідний шлях. Закон Кулона. Електричне поле і його напруженість. Принцип суперпозиції полів. Поле точкового заряду. Теорема Гаусса та її використання.
учебное пособие [273,4 K], добавлен 19.03.2009Явище електризації тіл і закон збереження заряду, взаємодії заряджених тіл і закон Кулона, електричного струму і закон Ома, теплової дії електричного струму і закон Ленца–Джоуля. Електричне коло і його елементи. Розрахункова схема електричного кола.
лекция [224,0 K], добавлен 25.02.2011Термічні параметри стану. Термодинамічний процес і його енергетичні характеристики. Встановлення закономірностей зміни параметрів стану робочого і виявлення особливостей перетворення енергії. Ізобарний, політропний процес і його узагальнююче значення.
контрольная работа [912,9 K], добавлен 12.08.2013Вивчення основних фізичних закономірностей, визначаючих властивості та параметри фототранзисторів, дослідження світлових характеристик цих приладів. Паспортні дані для фототранзистора ФТ-1К. Вимірювання струму через фототранзистор без світлофільтра.
лабораторная работа [1,3 M], добавлен 09.12.2010Характеристика робочого процесу в гідравлічній п'яті ротора багатоступеневого відцентрового насоса. Теоретичний математичний опис, з подальшим створенням математичної моделі розрахунку динамічних характеристик з можливістю зміни вхідних параметрів.
дипломная работа [2,3 M], добавлен 03.05.2014Застосування індуктивних нагромаджувачів, розрахунок параметрів. Процеси розмикання струму та генерації електронного пучка. Дослідження характеристик електронного прискорювача з плазмоерозійним розмикачем в залежності від індуктивності нагромаджувача.
дипломная работа [1,8 M], добавлен 22.09.2011Способи одержання плазми. Загальна характеристика та основні вимоги до плазмових джерел. Фізико-технічні завдання, що виникають при конструюванні плазмових джерел. Відмінні особливості та застосування плазмових джерел із замкненим дрейфом електронів.
дипломная работа [1,4 M], добавлен 20.03.2011
