Тунелювання в багатобар'єрних та несиметричних надпровідникових структурах
Виявлення можливих ефектів просторової кореляції фаз та синхронізації джозефсонівських переходів в багатобар'єрних пристроях. Вплив нерівноважних та теплових ефектів на характеристики багатобар'єрних пристроїв. Специфіка несиметричних переходів.
| Рубрика | Физика и энергетика |
| Вид | автореферат |
| Язык | украинский |
| Дата добавления | 23.02.2014 |
| Размер файла | 77,6 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
[8] Gamble F.R., DiSalvo F.J., Klemm R.A., and Geballe T.H. Superconductivity in layered structure organometalic crystals // Science. 1970. Vol. 168. P. 568-570.
[9] Булаевский Л. Н. Сверхпроводимость и электронные свойства слоистых соединений // УФН. 1975. Т. 116. № 7. С. 449-483.
[10] Bechgaard K., Jacobsen C. S., Mortensen K., Pedersen J. H., and Thorup N. The properties of five highly conducting salts: (TMTSF)2X,X=PF6?, ASF6?, SbF6?, BF4?, and NO3?, derived from tetramethyltetraselenafulvalene (TMTSF) // Solid St. Commun. 1980. Vol. 33. No. 11. P. 1119-1125.
[11] Bulaevskii L. N. Organic layered superconductors // Adv. Phys. 1988. Vol. 37. No. 4. P. 443-470.
[12] Lawrence W. E., Doniach S. Theory of layer structure superconductors // Proc. of the 12th International Conference on Low Temperature Physics. Kyoto: Academic Press of Japan.. 1971. p. 361-364.
[13] Yang Q. S., Falco C. M., and Schuller I. K. Tunneling studies of a metallic superlattice // Phys. Rev. B. 1983. Vol. 27. No. 6. P. 3867-3870.
[14] van Gelder A. P. Energy gaps in the excitation spectrum of a superconductor // Phys. Rev. 1969. Vol. 181. No. 2. P. 787-788.
[15] Kleiner, R., Steinmeyer, F., Kunkel, G., Mueller, P. Intrinsic Josephson effects in Bi2Sr2CaCu2O8 single crystals // Phys. Rev. Lett. 1992. V. 68. No.15. P. 2394-2397.
[16] Schlenga, K., Hechtfischer, G., Kleiner, R., Walkenhorst, W., Mueller, P., Johnson, H. L., Veth, M., Brodkorb, W., Steinbeiss, E. Subgap structures in intrinsic junctions of Tl2Ba2Ca2Cu3O10+? and Bi2Sr2CaCu2O8+? // Phys. Rev. Lett. 1992. V. 76. No.26. P. 4943-4946.
[17] Kleiner, R., Mueller, P. Intrinsic Josephson effects in high-Tc superconductors // Phys. Rev. B 1994. V. 49. No.2. P.1327-1341.
[18] Ling, D. C., Yong, Grace, Chen, J. T., Wenger, L. E. Experimental evidence for intraand inter-unit-cell Josephson junctions in a YBa2Cu3O7-? single crystal // Phys. Rev. Lett. 1995. V. 75. No.10. P. 2011-2014.
[19] Kivshar Yu. S., Soboleva T. K. Supersolitons in layered Josephson structures // Phys. Rev. 1990. Vol. B42. No.4. P. 2655-2658.
[20] Sakai S., Bodin P., Pedersen N. F. Fluxons in thin-film superconductor-insulator superlattices // J. Appl. Phys. 1993. Vol. 73. No. 5. P. 2411-2418.
[21] Ustinov A. V., Kohlstedt H., Cirillo M., Pedersen N. F., Hallmanns G., Heiden C. Coupled Fluxon modes in long Nb/AlOx/Nb stacked Josephson junction // Phys. Rev. 1993. Vol. B 48. No. 14. P. 10614-10617,
[22] Sakai S., Ustinov A. V., Kohlstedt H., Petraglia A., Pedersen N. F. Theory and experiment on electromagnetic-wave-propogation velocities in stacked superconducting tunnel structures // Phys. Rev. 1994. Vol. B50. No. 17. P. 12905-12914,
[23] Monaco R., Polcari A., Capogna L. Investigation on the properties and the applications of vertically stacked Josephson tunnel junctions // J. Appl. Phys. 1995. Vol. 78. No. 5. P. 3278-3286.
[24] Kleiner R. Two-dimensional resonant modes in stacked Josephson junctions // Phys. Rev. 1994. Vol. B50. No. 10. P. 6919-6922.
[25] Auvill P. R., Ketterson J. B. Propagation and generation of Josephson rediation in superconductor/insulator superlattices // J. Appl. Phys. 1987. Vol. 61. No.5. P. 1957-1966.
[26] Rippert E. D., Song S. N., Ketterson J. B., Maglic S. R., Lomatch S., Thomas C., Cheida M. A., Ulmer M. P. A multilayered approach to superconducting tunnel junction X-ray detectors // proc. of an ESA Symposium on photon Detectors for Space Instrumentation. Nordwijk, The Netherlands. 1992. P. 361-363.
[27] Hedbabny H.-J., Rogalla H. Properties of stacked NbN tunnel junctions // IEEE Trans. Magn. 1989. Vol. MAG-25. No.2. P. 1131-1134.
[28] Blamire M. G., Somekh R. E., Morris G. W., Evetts J. E. Characteristics of vertically-stacked planar tunnel junctions structures // IEEE Trans. MAG. -1989. Vol. MAG-25. No.2. P. 1135-1138.
[29] Pedersen N.F., Ustinov A.V. Fluxons in Josephson transmission lines: new developments // Supercond. Sci. Technol. 1995. Vol. 8. No. 6. P. 389-401.
[30] Гогадзе Г. А., Косевич А. М. Квантовые состояния и квази-локальные состояния SINIS структур // ФНТ. 1998. Том 24. №8. С. 716-725.
[31] Гвоздиков В. М. Эффект Джозефсона в слоистых сверхпроводниках // ФНТ. 1988. Т. 14. № 1. С. 15-23.
[32] Kuplevakhsky S.V., Naduev A.V., Naydenov S.V. Current-carrying states in superconductor/insulator and superconductor/semiconductor superlattices in the mesoscopic regime // Superlattices and Microstructures. 1999. V. 25. No. 5/6. P. 819-828.
[33] Imry Y. Introduction to mesoscopic physics. New York, Oxford: Oxford University Press, 1997. 234 p.
[34] Feynman R.P. Feynman Lectures on Computation // Ed. A. J. G. Hey, R. W. Allen, Reading, Massachusetts: Addison-Wisley, 1996. 303 p.
[35] Likharev K.K., Semenov V. K. RSFQ logic/memory family: a new Josephson-junction technology for sub-teraherz-clock-frequency digital systems // IEEE Trans. Appl. Supercond. 1991. Vol. 1. No.1. P. 3-28.
[36] Kupriyanov M. Yu., Brinkman A., Golubov A. A., Siegel M., Rogalla H. Double-barrier Josephson structures as the novel elements for superconducting large-scale integrated circuits // Physica C. 1999. Vol. 326-327. P. 16-45.
[37] Basavaiah S., Broom R. F. Characteristics of in-line Josephson tunneling gates // IEEE Trans. Magn. 1975. Vol. MAG-11. No. 2. P. 759-762.
[38] Jillie D. W., Lukens J. E., Kao Y. H., and Dolan G. J. Observation of voltage locking and other interactions in coupled microbridge Josephson junctions // Phys. Lett. 1976. Vol. 55 A.No. 6. P. 381-382.
[39] Коваленко, А. С. О взаимодействии последовательно соединенных джозефсоновских переходов, разделенных малой сверхпроводящей гранулой // Письма в ЖТФ. 1976. Т. 2. Вып. 15. С. 715-719.
[40] Ngai K. L. Interaction of ac Josephson currents with surface plasmons in thin superconducting films // Phys. Rev. 1969. V. 182. No. 2. P. 555-568.
[41] Ustinov, A. V., Kohlstedt, H., Heiden, C. Possible phase locking of vertically stacked Josephson flux-flow oscillators // Appl. Phys. Lett. 1994. Vol. 65. No.11. P. 1457-1459.
[42] Barbara P., Ustinov A., Costabile G. Experimental study of the interaction between fluxon arrays in stacked Josephson junctions // Phys. Lett. A. 1994. Vol. 191. Nos. 5,6. P. 443-448.
[43] Лихарев К. К. Введение в динамику джозефсоновских переходов // М.: Наука, 1985. 320 c.
[44] Carapella, G., Costabile, G., De Luca, R., Pace, S., Polcari, A., Soriano, C. Josephson equations for the simplest superconducting multilayer system // Physica C. 1996. Vol. 259. No. 3-4. P. 349-355.
[45] Blamire M.G., Kirk E.C.G., Evetts J.E., and Klapwijk T.M. Extreme critical-temperature enhancement of Al by tunneling in Nb/AlOx/Al/AlOx/Nb tunnel junctions // Phys. Rev. Lett. 1991. Vol. 66. No.2. P. 220-223.
[46] Кулик И.О. К теории резонансних явлений при сверхпроводящем туннелировании // ЖТФ. 1967. Т. 37. Вып. 1. С. 157-165.
[47] Lambert C. J., Raimondi R. Phase-coherent transport in hybrid superconducting nanostructures // J. Phys.: Condens. Matter. 1998. Vol. 10. No. 5. P. 901-941.
[48] Klapwijk T.M. Mesoscopic superconductor-semiconductor heterostructures // Physica B 1994. Vol. 197. Nos. 1-4. P. 481-499.
[49] Андреев А. Ф. Электронный спектр промежуточного состояния сверхпроводников // ЖЭТФ. 1965. Т. 49. В. 2. С. 655-660.
[50] Keay B.J., Allen S. J., Galan J., Kaminski J. P., Campman K. L., Gossard A. C., Bhattacharya U., Rodwell M. J. W. Photon-assisted electric field domains and multiphoton-assisted tunneling in semiconductor superlattices // Phys. Rev. Lett. 1995. Vol. 75. No. 22. P. 4098-4101.
[51] Shaternik V.E., Matjushkin A.E. Single-particle proximity effect between superconductors through a tunnel barrier // Physica B. 1993. Vol. 190. Nos. 2-3. P. 241-246.
[52] Албегова И.Х., Бородай Б.И., Янсон И.К., Дмитренко И.М. О форме I-V характеристик сверхпроводящих туннельных переходов // ЖТФ. 1969. Т. ХХХIX. Вып. 5. С. 911-917.
Список публікацій за темою дисертації
A1. Невирковец И.П. Вольт-амперные характеристики многослойных туннельных структур с большой прозрачностью туннельных барьеров // Письма в ЖЭТФ. 1990. T. 51. Вып. 1. C. 50-53.
A2. Nevirkovets I.P. Some features of I-V curves of vertically stacked tunnel junctions // Physica B. 1992. Vol. 176. Nos. 1&2. P. 148-150.
A3. Nevirkovets I.P., Kohlstedt H., Heiden C. Properties of multilayered Nb-based tunnel structures prepared with the whole-wafer process // Cryogenics. 1992. Vol. 32. Sup. P. 583-586.
A4. Kohlstedt H., Hallmanns G., Nevirkovets I. P., Guggi D., Heiden C. Preparation and properties of Nb/Al-AlOx/Nb multilayers // IEEE Trans. Appl. Supercond. 1993. Vol. 3. No. 1. P. 2197-2201.
A5. Nevirkovets I.P., Kohlstedt H., Hallmans G., Heiden C. Properties of multilayered Nb-based tunnel structures prepared with the whole-wafer process // Supercond. Sci. Technol.1993. Vol. 6. No. 2. P. 146-149.
A6. Nevirkovets I.P., Strizhko L.P., Poladich A.V. Photon-assisted tunneling in stacked tunnel structures by millimeter wave irradiation // Physica B. 1994. Vol. 194-196. Feb. II. P. 2395-2396.
A7. Nevirkovets I.P., Blamire M.G., Evetts J.E. Transition from single junction to double junction behaviour in SISIS-type Nb-based devices // Phys. Lett. A. 1994. Vol. 187. No. 1. P. 119-126.
A8. Nevirkovets I.P., Blamire M.G., Evetts J.E. Three-terminal Josephson device with direct bias-current controlled phase difference // IEEE Trans. Appl. Supercond. 1995. Vol. 5. No. 2. P. 3106 3108.
A9. Nevirkovets I.P. Fabrication and dc characteristics of vertically stacked SIS-type structures for use as low-temperature detectors // Supercond. Sci. Technol. 1995. Vol. 8. No. 7. P. 575-578.
A10. Невирковец И.П., Бламайер М.Г., Иветтс Дж.Е. Наблюдение экстремального увеличения сверхпроводящих свойств среднего слоя Nb/Al в двухбарьерных туннельных структурах // ФНТ. 1995. Т. 21. Вып.12. С. 1258 1260.
A11. Nevirkovets I.P., Blamire M.G., Evetts J.E. Properties of strongly coupled stacked Josephson junctions // Inst. Phys. Conf. Ser. No. 148. 1995. Vol. 2. P. 1439 1442.
A12. Nevirkovets I.P., Doderer T., Laub A., Blamire M.G., Evetts J.E. Investigation of DC Josephson current distribution in double-barrier three-terminal devices with a thin middle superconducting layer // J. Appl. Phys. 1996. Vol. 80. No. 4. P. 2321-2326.
A13. Невирковец И.П., Поляков А.Н., Пилько Г.В., Рюмшин В.В. Особенности вольт-амперных характеристик асимметричных сверхпровдящих туннельных переходов, наблюдаемые при измерениях в режиме “источника напряжения” // ФНТ. 1996. Т. 22. № 10. С. 1122-1126.
A14. Nevirkovets I.P. Properties of superconducting Nb/Al/Nb/Al-AlOx-Al-AlOx-Al/Nb/Al/Nb tunnel junctions // Czechoslovak Journal of Physics. 1996. Vol. 46. Sup. Part 2. P. 647-648.
A15. Nevirkovets I.P. Modification of current-voltage characteristics of double-barrier tunnel junctions under influence of quasiparticle extraction // Phys. Rev. B. 1997. Vol. 56. No. 2. P. 832-837.
A16. Nevirkovets I.P. Slow electromagnetic waves in asymmetric SISIS` junctions // Physica C. 1997. Vol. 288. No.3,4. P. 167-172.
A17. Nevirkovets I.P., Evetts J.E., Blamire M.G., Barber Z.H., Goldobin E. Investigation of the coupling between the outer electrodes in the superconducting double-barrier devices // Physics Letters A. 1997. Vol. 232. Nos. 3,4. P. 299-304.
A18. Nevirkovets I.P., Ustinov A.V., Goldobin E., Blamire M.G., Evetts J. E. Zero-field resonances in a double-barrier Josephson system with highly transmissive tunnel barriers // Inst. Phys. Conf. Ser. No 158. 1997. P. 547-550.
A19. Nevirkovets I.P. Coherent response of two nearly identical stacked Josephson junctions to mm wave irradiation // Appl. Supercond. 1998. Vol. 5. Nos. 7-12. P. 291-295.
A20. Nevirkovets I.P. Relaxation oscillations in asymmetric superconducting tunnel junctions and their possible application in sensitive elements of low temperature detectors // Supercond. Sci. Technol. 1998. Vol. 11. No.8. P. 711-715.
A21. Goldobin E., Kupriyanov M.Yu., Nevirkovets I.P., Ustinov A.V., Evetts J.E., Blamire M.G. Strong coupling effects in (Nb-Al-AlOx)2-Nb stacked Josephson junctions // Phys. Rev. B. 1998. Vol. 58. No. 22. P. 15078-15087.
A22. Nevirkovets I P., Shafranjuk S.E. Resonant Josephson tunneling in S-I-S?-I-S multilayered devices. Phys. Rev. B. 1999. Vol. 59. No.2. P. 1311-1317.
A23. Nevirkovets I.P, Ketterson J.B., Lomatch S. Anomalous critical current in double-barrier Nb/Al-AlOx-Al-AlOx-Nb devices // Appl. Phys. Lett. 1999. Vol. 74. No.11. P. 1624-1626.
A24. Nevirkovets I.P., Ketterson J.B., Shafranjuk S.E., and Lomatch S. Possible manifestation of Andreev bound states in double-barrier Nb/Al/AlOx/Al/AlOx/Nb tunnel junctions // Physics Letters A. 2000. Vol. 269. P. 238-244.
A25. Nevirkovets I.P., Ketterson J.B. Band structure observed in the current-voltage characteristics of SINININIS-type junctions // Письма в ЖЭТФ. 2000. Т. 71. № 8. С. 492-495.
A26. Nevirkovets I.P., Strizhko L.P., Poladich A.V. Some RF properties of stacked Nb/Al(Al/AlOx/Nb)n superconducting tunnel structures // Proc. of ISEC'93 (August 11-14, 1993, Boulder, Colorado, USA). P. 378-379.
A27. Nevirkovets I.P., Strizhko L.P. Preparation and microwave measurements of stacked Nb/(Al/AlOx/Nb)n superconducting tunnel structures // SPIE Proceedings. 1993. Vol. 2104. P. 261-262.
A28. Nevirkovets I.P., Blamire M.G., Evetts J.E. Cooperative behaviour and manifestation of dimensional crossover in SISIS-type Nb-based structures // SPIE Proceedings. 1994. Vol. 2157. P. 363-372.
A29. Nevirkovets I.P., Blamire M.G., Evetts J.E. Properties of tunnel junctions with spatially inhomogeneous electrodes // Fifth Int. Supercond. Electronics Conference, September 18-21, 1995 (Extended Abstracts). 1995.P. 207-209.
A30. Nevirkovets I.P. Switching device based on stacked Josephson tunnel junctions // Extended Abstarcts, The 5th International Workshop on High-temperature Superconducting Electron Devices (May 28-30, 1997, Matsuyama City, Japan). 1997. P. 149-152.
A31. Nevirkovets I.P, Ketterson J.B. Enhancement of the dc supercurrent in double-barrier Nb/Al-AlOx-Al-AlOx-Nb junctions // 7th Int. Superconductive Electronics Conference, June 21-25, 1999, Berkeley, CA, USA (Extended Abstracts). 1999. P. 232-234.
Анотації
Невірковець І.П. Тунелювання в багатобар'єрних та несиметричних надпровідникових структурах. - Рукопис.
Дисертація на здобуття наукового ступеня доктора фізико-математичних наук за спеціальністю 01.04.22 - надпровідність. - Інститут металофізики НАН України, Київ, 2000.
Дисертацію присвячено вивченню механізмів електронного переносу в багатобар'єрних та несиметричних тунельних переходах. Зокрема, виявлено ряд нових особливостей джозефсонівського тунелювання в множинних перeходах типу (SIS)n з n?2, де S - надпровідник, І - ізолятор. Встановлено, що переходи типу SINIS (де N - тонкий, порядку довжини когерентності, шар нормального металу або надпровідника із зменшеною енергетичною щілиною порівняно з S) є новим класом джозефсонівських переходів, в яких можливе когерентне тунелювання як при нульовій, так і при кінцевій напрузі. На основі проведених досліджень запропоновано нові (зокрема трьохвивідні) пристрої, що можуть знайти застосування в кріоелектроніці.
Ключові слова: надпровідність, тунельний ефект, ефект Джозефсона, андріївське відбивання, нерівноважна надпровідність, ефект близькості, релаксаційні осциляції
Невирковец И.П. Туннелирование в многобарьерных и несимметричных сверхпроводниковых структурах. - Рукопись.
Диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук по специальности 01.04.22 - сверхпроводимость. - Институт металлофизики НАН Украины, Киев, 2000.
Диссертация посвящена изучению механизмов електронного переноса в многобарьерных и несимметричных туннельних переходах. В частности, обнаружено ряд новых особенностей джозефсоновского туннелирования в множественных перeходах типа (SIS)n с n?2, где S - сверхпроводник, І - изолятор. Установлено, что переходы типа SINIS (где N - тонкий, порядка длины когерентности, слой нормального металла либо сверхпроводника с уменьшенной энергетической щелью по сравнению с S) является новым классом джозефсоновских переходов, в которых возможно когерентное туннелирование как при нулевом, так и при конечном напряжении. На базе проведенных исследований предложены новые (в частности, трёхвыводные) устройства, которые могут найти применение в криоэлектронике.
Ключевые слова: сверхпроводимость, туннельний эффект, эффект Джозефсона, андреевское отражение, неравновесная сверхпроводимость, эффект близости, релаксационные осцилляции
Nevirkovets I.P. Tunneling in multi-barrier and asymmetric superconducting structures. - Manuscript.
Thesis for a doctor's degree in physics and mathematics by speciality 01.04.22 - superconductivity. - The Institute for Metal Physics of the National Academy of Sciences of the Ukraine, Kyiv, 2000.
The dissertation is devoted to studying mechanisms of the electron transport in multi-barrier and asymmetric tunnel junctions.
It is shown that in a double-barrier SIS?IS device (here S and I are a superconductor and an insulator, respectively) with a thin (thinner than the London penetration depth) middle S? layer, even in the stationary state, there is a spatial correlation between phase differences characterizing separate junctions. Such a system can be characterized by an effective Josephson penetration depth, ?J, that can be considerably larger than ?J for separate junctions from the stack. As a result, the device as a whole (with a proper lateral size) may have considerably higher Josephson critical current than that for separate junctions.
If the thickness of the S? layer is of the same order as the coherence length in S, ?, and the transparency of the barriers is sufficiently high, then the SIS?IS device displays peculiar behavior of zero-field steps in magnetic field and fractional Shapiro steps under microwave radiation. These properties, together with a peculiar critical current vs. magnetic field dependence observed for a separate junction from the stack, suggest the possibility of unusual current-phase dependence in the system.
A number of new properties were found for high-transparent SINIS devices (where N is a normal metal, or a superconductor with the transition temperature much lower than that in S; in the experiment, S was Nb and N was Al) with the thickness of the N layer of order of ?: anomalously high Josephson critical current, novel magnetic-field-sensitive subgap structure in current-voltage characteristics (CVC), gap-difference feature at a voltage ?/e, where ? is the energy gap of Nb, etc. The observed behavior implies that Andreev bound states are forming in the system and are responsible for coherent transport both at zero and finite voltage.
A novel band structure was found in multiple-barrier SINININIS devices. The structure persists up to energies higher than the total gap-sum energy for the device. The structure is sensitive to a weak applied magnetic field and therefore is due to coherent transport.
For asymmetric Sn-I-Pb voltage-biased junctions, it is found that a peculiar shape of the CVC in the region (?Pb-?Sn)/e<V<(?Pb+?Sn)/e with negative differential resistance is due to relaxation oscillations taking place between the two quasparticle branches in the CVC.
On the basis of the research carried out, new devices (in particular, three-terminal ones) have been proposed for cryoelectronics applications.
Key words: superconductivity, tunneling, Josephson effect, Andreev reflection, nonequilibrium superconductivity, proximity effect, relaxation oscillations
Размещено на Allbest.ru
Подобные документы
Складання схем заміщення прямої, зворотньої та нульової послідовностей і розрахунок опорів їх елементів. Розрахунок надперехідних і ударних струмів КЗ від енергосистеми. Побудова векторних діаграм струмів КЗ і напруг по місцю несиметричного КЗ.
курсовая работа [1,1 M], добавлен 07.02.2013Електромагнітні перехідні процеси у системах електропостачання, струми та напруги при симетричних та несиметричних коротких замиканнях у високовольтній мережі, струми замикання на землю в мережах з ізольованою нейтраллю. Векторні діаграми струмів.
курсовая работа [1,4 M], добавлен 12.07.2010Вибір основного електротехнічного обладнання схеми системи електропостачання. Розрахунок симетричних та несиметричних режимів коротких замикань. Побудова векторних діаграм струмів. Визначення струму замикання на землю в мережі з ізольованою нейтраллю.
курсовая работа [1,3 M], добавлен 21.08.2012Енергетична взаємодія системи перетворювального обладнання тягової підстанції постійного струму із системою зовнішнього електропостачання. Фізичне та комп’ютерне моделювання випрямлення електричної енергії у несиметричних режимах, зіставлення результатів.
дипломная работа [10,0 M], добавлен 18.05.2015Вивчення закономірностей тліючого розряду, термоелектронної емісії. Дослідження основних властивостей внутрішнього фотоефекту, впливу електричного поля на електропровідність напівпровідників. Експериментальне вивчення ємнісних властивостей p–n переходів.
учебное пособие [452,1 K], добавлен 30.03.2009Електрофізичні властивості напівпровідників та загальні відомості і основні типи напівпровідникових розмикачів струму. Промислові генератори імпульсів на основі ДДРВ й SOS-діодів, дрейфовий діод з різким відновленням, силові діоди на базі P-N переходів.
дипломная работа [254,4 K], добавлен 24.06.2008Стереоскопічна картинка та стереоефекти: анаглофічний, екліпсний, поляризаційний, растровий. Нові пристрої 3D: Prespecta, Depth Cube, Cheoptics360. Пристрої запису: Minoru 3D, FinePix Real 3D System, OmegaTable. Принцип дії поляризатора та голографії.
реферат [355,0 K], добавлен 04.01.2010Фазові перетворення та кристалічна структура металів. Загальний огляд фазових перетворень, стійкість вихідного стану. Фазово-структурні особливості в тонких плівках цирконію, особливості динаміки переходів. Розрахунок критичної товщини фазового переходу.
курсовая работа [3,9 M], добавлен 14.02.2010Фазові перетворення, кристалічна структура металів. Загальний огляд фазових перетворень. Стійкість вихідного стану. Фазово-структурні особливості в тонких плівках цирконію. Динаміка переходів цирконію, розрахунок критичної товщини фазового переходу.
курсовая работа [3,7 M], добавлен 02.02.2010Види магнітооптичних ефектів Керра. Особливості структурно-фазового стану одношарових плівок. Розмірні залежності магнітоопіру від товщини немагнітного прошарку. Дослідження кристалічної структури методом електронної мікроскопії та дифузійних процесів.
контрольная работа [1,5 M], добавлен 19.04.2016
