Электрофизические свойства ультра-тонких плёнок кремния на изоляторе, сформированных методом ионной имплантации и водородного переноса
Механизм анодного окисления кремния. Влияние толщины плёнки на её электрофизические свойства. Создание структур "кремний на изоляторе", измерение методом эллипсометрии. Исследование электрофизических свойств структур в условиях анодного окисления.
| Рубрика | Физика и энергетика |
| Вид | дипломная работа |
| Язык | русский |
| Дата добавления | 15.10.2013 |
| Размер файла | 594,0 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
14. Invar Aberg, Cait Ni Chleiring, Judy L. Hoyt. Ultrathin-body strained-Si and SiGe heterostructure-on-insulator MOSFETs. IEEE Trans. Electron Devices, Vol. 53, №5, P. 1021-1029
15. В. П. Попов, И. Е. Тысченко. Способ изготовления структуры кремний на изоляторе. Патент РФ №2217842 (Бюл. №33, 27.11. 2003).
16. Попов В.П., Антонова А.И., Французов А.А., Сафронов Л.Н., Феофанов Г.Н., Наумова О.В., Киланов Д.В. Свойства структур и приборов на кремний на изоляторе. Физика и техника полупроводников. Том 35. Вып. 9. Стр 1075-1083.
17. И.Е. Тысченко, М. Фёльсков, А.Г. Черков, В.П. Попов. Поведение германия, имплантированного в SiO2 вблизи границы сращивания структуры кремний на изоляторе. Физика и техника полупроводников. Том 41. Вып. 3. Стр 301-306.
18. А.В. Ржанов, К.К. Свиташев, А.И. Семененко, А.В. Семененко, В.К. Соколов, Основы эллипсометрии, «Наука», Новосибирск, 1979.
19. М.И. Абаев «Метод эллипсометрического анализа неоднородных и многослойных структур», в сборнике: «Эллипсометрия - метод исследования поверхности», «Наука», Новосибирск, 1983г., с 7-9 (под редакцией А.В. Ржанова).
20. P.W. Li, W.M. Liao, S.W. Lin, P.S. Chen, S.C. Lu, and M.-J. Tsai, Formation of atomic-scale germanium quantum dots by selective oxidation of SiGe/Si-on-insulation, Appl. Phys. Lett.,V 83, №22, P 4628-4630.
Размещено на Allbest.ru
Подобные документы
Механизм анодного окисления кремния. Влияние толщины пленки, сформированной методом ионной имплантации и водородного переноса, на ее электрофизические свойства. Электрофизические свойства структур "кремний на изоляторе" в условиях анодного окисления.
дипломная работа [327,8 K], добавлен 29.09.2013Электрофизические свойства полупроводников. Значение механических и электрических свойств материалов микропроцессора. Параметры работы микропроцессора. Выращивание диоксида кремния и создание проводящих областей. Тестирование, изготовление корпуса.
презентация [80,1 K], добавлен 30.04.2015Возможность формирования различных структур в стандартных пластинах монокристаллического кремния с использованием дефектов, создаваемых имплантацией водорода или гелия. Поперечная проводимость сформированных структур. Системы нанотрубок в кремнии.
реферат [6,4 M], добавлен 25.06.2010Создание технических средств метрологического обеспечения контроля качества полупроводниковых материалов. Анализ установки по измерению удельного электрического сопротивления четырехзондовым методом. Измерение сопротивления кремния монокристаллического.
дипломная работа [1,2 M], добавлен 24.07.2012Исследование физических свойств тонких плёнок Cu, полученных методом отжига интерметаллических слоёв Cu-In-Ga в комбинированной атмосфере паров серы и селена в потоке инертного газа. Анализ и оценка преимуществ данного метода перед ему подобными.
реферат [2,0 M], добавлен 25.06.2010Исследование направлений использования метода ионного легирования углеродных наноструктур. Характеристика ионной имплантации и её применения в технологии СБИС. Расчет профиля распределения примеси при ионной имплантации бора различных энергий в кремний.
реферат [556,8 K], добавлен 18.05.2011Изучение свойств карбида кремния. Понятие омического контакта. Разработка и оптимизация технологии воспроизводимого получения омических контактов к карбиду кремния n- и р-типа проводимости на основе выявления факторов, влияющих на его формирование.
курсовая работа [165,7 K], добавлен 10.05.2014Значение и использование монокристаллического кремния при производстве солнечных элементов повышенной эффективности. Природа и механизм возникновения дефектов для пар железо-бор в составе элементов при различных условиях эксплуатации и освещения.
реферат [104,0 K], добавлен 23.10.2012Получение и люминесцентные свойства легированного эрбием монокристаллического кремния. Влияние дефектов и примесей на интенсивность сигнала фотолюминесценции ионно-имплантированных слоев. Безизлучательная передача возбуждений между оптическими центрами.
дипломная работа [1,2 M], добавлен 06.01.2016Электрофизические свойства полупроводников. Структура полупроводниковых кристаллов. Элементы зонной теории твердого тела. Микроструктурные исследования влияния электронного облучения на электрофизические характеристики полупроводниковых приборов.
курсовая работа [1,0 M], добавлен 18.09.2015
