Диэлектрики
Определение концентрации носителей заряда в диэлектриках - веществах, не проводящих электрический ток. Влияние температуры, давления и напряженности поля на активные диэлектрики. Свойства электретов и жидких кристаллов. Материалы твердотельных лазеров.
Рубрика | Физика и энергетика |
Вид | реферат |
Язык | русский |
Дата добавления | 21.07.2013 |
Размер файла | 824,2 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Тем не менее, суперионные проводники на основе окислов редкоземельных металлов активно используются в технике. На их основе делают высокотемпературные датчики температур, а также анализаторы газов. Поскольку основными носителями заряда в таких материалах являются ионы кислорода, то сопротивление зависит не только от температуры, но и от парциального давления кислорода в окружающей среде.
Рисунок 11 Схема ячейки памяти
Помимо изготовления датчиков, суперионные проводники можно использовать для изготовления других технических устройств: ячеек памяти, конденсаторов сверхбольшой емкости - ионисторов, аккумуляторов и др.
Для изготовления ячеек памяти в расплав суперионного проводника помещают два угольных электрода, причем на один из электродов предварительно напыляют металл, ионы которого являются носителями заряда в суперионном проводнике. В рассмотренном примере на один электрод нанесено серебро, а суперионным проводником является иодид серебра. При приложении положительного потенциала на электрод с нанесенным серебром, серебро начинает растворяться, ионы серебра переходят в суперионный проводник, и переносятся на другой электрод. После того как слой серебра перенесется на другой электрод, ток через ячейку прекратится. Для возобновления тока необходимо поменять полярность электродов.
Если на электроды не наносить слой металла, то при приложении электрического поля подвижные ионы смещаются от одного из электродов, и в суперионном проводнике появляется запирающий слой. Иначе говоря, ячейка превратилась в конденсатор. Емкость конденсатора пропорциональна поверхности электродов и диэлектрической проницаемости и обратно пропорциональна расстоянию между электродами или толщине запирающего слоя. Поскольку поверхность одного из электродов можно сделать очень большой, используя в качестве электрода активированный уголь, толщина запирающего слоя невелика - 30-40 межатомных расстояний, а величина диэлектрической проницаемости ионных соединений достаточно велика, то емкость полученных конденсаторов достигает очень больших величин, при этом размеры конденсатора достаточно малы. Ионистор с рабочем напряжением 30 В и емкостью в 1 фараду по размерам напоминает ириску.
В литературе описана конструкция аккумулятора использующего в качестве электролита суперионный проводник - оксид алюминия, легированный натрием, носителями заряда в этом материале являются ионы натрия. Аккумулятор представляет собой чашу из оксида алюминия, в которую налит расплавленный натрий. Сама чаша помещена в расплав полисульфида натрия. По сути дела расплавы натрия и полисульфида натрия являются жидкими электродами, а оксид алюминия твердым электролитом. При приложении к расплаву натрия положительного потенциала, ионы натрия проходят через электролит и пересыщают полисульфид натрия. Зарядка такого аккумулятора может производиться до тех пор пока весь расплав натрия не перейдет в полисульфид, иначе говоря, у такого аккумулятора очень высокая емкость.
Материалы твердотельных лазеров
Диапазон работы современных твердотельных лазеров охватывает ультрафиолетовую, видимую и ближайшую инфракрасную области спектра.
Материалы, предназначенные для изготовления лазеров, должны иметь вполне определенный набор энергетических уровней. Наиболее удобно использовать четырехуровневую квантовую систему. Индуцированное излучение происходит при переходах в активных атомах с уровня W2 на уровень W1. Накачка системы энергией обеспечивает переход W0W3. Время жизни электрона на энергетическом уровне W3 должно быть малым, а время жизни на уровне W2 достаточно большим. Энергетический уровень W1 должен быть, по возможности, минимальным.
Рисунок 12. Четырехуровневая квантовая система лазерных материалов.
Таким образом, достаточно жестко определенный набор разрешенных энергетических уровней определяет возможность применения материала для активных элементов лазеров. Важнейшими из этих требований являются:
Наличие интенсивных, резких линий флуоресценции с квантовым выходом, близким к единице.
Наличие достаточно широких полос активного поглощения в области поглощения источника накачки.
Отсутствие потерь на частоте рабочего перехода.
Особый интерес представляют ионные парамагнитные диэлектрики с шириной запрещенной зоны в несколько электрон-вольт, легированные ионами переходных металлов. Ионы переходных металлов являются активаторами матрицы. К матрице предъявляются следующие требования.
Матрица не должна иметь собственного или примесного поглощения в области лазерного излучения и поглощения в области излучения источника накачки.
Матрица должна обладать высокой теплопроводностью, фотохимической и механической стойкостью.
Структура матрицы должна допускать введение заданного активатора. То есть в случае кристаллических материалов ионные радиусы активаторов должны быть близки к ионным радиусам ионов матрицы. При необходимости должна иметься возможность компенсировать искажения решетки матрицы.
Перечисленным свойствам удовлетворяют матрицы на основе оксидов, фторидов различных элементов.
Кристаллические материалы лазеров
Рубин
Одним из важнейших материалов лазерной техники является рубин - кристалл окиси алюминия, легированный хромом. При содержании хрома в рубине около 0,03 % возникает розовый спектр, при 0,5 % - красный, а при 8 % и более - зеленый (последнее обстоятельство обычно связывают с изменением параметра решетки окиси алюминия). В лазерной технике обычно используют бледно-розовый рубин с содержанием хрома 0,05 %. Кристаллы рубина обладают высокой химической стойкостью. Рубин хорошо растворяется в бисульфите калия при температуре, превышающей 450 С, и в буре при температуре, превышающей 800 С. При температуре 1000 С возможна химическая полировка рубина в буре.
Гранаты
Применение гранатов в современной квантовой электронике объясняется удачным сочетанием оптических, теплофизических и механических свойств. Наибольшее распространение получил иттрийалюминевый гранат Y3Al5O12, легированный неодимом. Кристалл иттрийалюминиевого граната оптически изотропен и имеет кубическую решетку. Элементарная ячейка содержит восемь молекул Y3Al5O12. Наиболее часто иттрийалюминевый гранат легируют неодимом в концентрации 1-3 %. Редкоземельные элементы с меньшими атомными номерами входят в решетку труднее, с большими - легче. Это обстоятельство легко объяснимо, поскольку рост порядкового номера элемента приводит к уменьшению размера его иона.
Вследствие существенного различия в ионных радиусах иттрия и неодима, при легировании происходит искажение кристаллической решетки и пояление оптической неоднородности, которая особенно заметна при неоднородном распределении неодима в кристалле. Для достижения более однородного распределения легирующего элемента в кристалле и уменьшения внутренних напряжений применяют малые скорости роста кристаллов (1 мм/час). Кроме того, синтезированные кристаллы подвергают длительному отжигу при температуре 1500 С.
Лазеры на основе иттрийалюминиевого граната могут работать в режиме непрерывной генерации с выходной мощностью, равной нескольким сотням ватт; в частотном режиме с частотой повторения импульсов от единиц герц до мегагерц и в режиме единичных импульсов с импульсной мощностью равной десяткам мегаватт.
К недостаткам иттрийалюминиевого граната относится низкий коэффициент вхождения ионов неодима, что затрудняет получение кристаллов больших размеров с равномерным распределением неодима. Поэтому проводится поиск других сред со структурой граната. Одним из наиболее перспективных материалов является галлиевый гранат, а также редкоземельные галлиевые гранаты.
Редкоземельные галлиевые гранаты имеют меньшую температуру плавления, а следовательно, более технологичны. Больший параметр решетки позволяет осуществлять равномерное введение неодима. Близость ионов галлия и хрома позволяет легировать их хромом. Последнее обстоятельство особенно важно, поскольку позволяет осуществлять перенастраиваемую генерацию на электронно-колебательных переходах хрома при комнатной температуре.
Кристаллы вольфраматов и молибдатов
Вольфраматы и молибдаты двухвалентных и одновалентных металлов относятся к структурному типу шеелитов. Их активизируют редкоземельными элементами, в основном, неодимом. Большой набор соединений такого типа дает возможность менять состав материала в больших пределах. В настоящее время промышленных материалов лазеров на основе вольфраматов и молибдатов сравнительно мало, однако большое количество исследований этих материалов свидетельствует об их перспективности.
Стекла
Наряду с кристаллами, в лазерной технике широко используются стекла, активированные редкоземельными элементами. К преимуществам стекол как лазерных материалов относятся:
Технологичность, простота изготовления изделий больших размеров.
Дешевизна сырья и возможность массового производства изделий с заданными и хорошо воспроизводимыми свойствами.
Высокая оптическая однородность образцов различных размеров.
Изотропность свойств и однородность состава.
В то же время, по сравнению с кристаллами, стекла обладают недостатками, такими как:
Низкая теплопроводность.
Высокий коэффициент термического расширения.
Сравнительно слабая фотохимическая стойкость.
Ограниченная область прозрачности.
Сравнение свойств кристаллов и стекол показывает, что эти материалы удачно дополняют друг друга.
Стекла классифицируют по основе - стеклообразующему элементу, а также по содержанию модификаторов. Если основой стекла является кварц (SiO2), то стекло называют силикатным. В том случае, когда основой стекла является борный ангидрид, стекло называют боратным. Если основой стекла является фторид бериллия, стекло называют фторбериллатным. Стекла с большим содержанием оксида свинца называют свинцовыми.
Технология получения лазерных стекол отличается высокими требованиями к чистоте исходных компонентов. Лазерные стекла обычно варят в платиновых тиглях, используя высокочастотный нагрев. После варки и получения изделий, изделия подвергают длительному отжигу для снятия внутренних напряжений.
Некоторые характеристики материалов твердотельных лазеров приведены в таблице 2.
Таблица 2. Наиболее распространенные материалы твердотельных лазеров и их характеристики
Материал активной среды |
Матрица |
Активатор |
Длина волны, мкм |
КПД, % |
Режим генерации |
|
Рубин |
Al2O3 |
Cr3+ |
0,694 |
1 |
Импульсный |
|
Иттрийалюминевый гранат с неодимом |
Y3Al5O12 |
Nd3+ |
1,06 |
4 |
Непрерывный |
|
Стекло с неодимом |
Стекло |
Nd3+ |
1,06 |
8 |
Импульсный |
|
Стекло с эрбием |
Фосфатное стекло |
Er3+ |
1,54 |
3 |
Импульсный |
|
Алюминат иттрия с неодимом |
YalO3 |
Nd3+ |
1,06 |
1 |
Непрерывный |
|
Натрий-лантан-молибдат с неодимом |
NaLa(MoO4)2 |
Nd3+ |
1,06 |
2,5 |
Импульсный |
|
Флюорит кальция с диспрозием |
CaF |
Dy2+ |
2,36 |
2 |
Импульсный |
|
Гадолиний-скандий-галлиевый гранат с хромом |
Gd3Sc2Ga3O12 |
Cr3+ |
0,7 - 0,9 |
- |
Лазер с перенастраиваемой длиной волны |
|
Гадолиний-скандий-галлиевый гранат с неодимом |
Gd3Sc2Ga3O12 |
Nd3+ |
1,06 |
3,5 |
Импульсный |
Список литературы
1. Блинов Л.М. Электро- и магнитооптика жидких кристаллов. - М.: Наука, 1978.-384 с.
2. Богородицкий Н.П., Таирова Д.А., Сорокин В.С. Роль свободных носителей заряда в образовании электретного состояния в поликристаллических диэлектриках // ФТТ. - 1964. - Т.6, вып.8. - С.2301-2306.
3. Борисова М.Э., Койков С.Н. Электретный эффект в диэлектриках//Известия вузов. Физика. - 1979. - №1. - С.74-89.
4. Вербицкая Т.Н. Вариконды. Л., Госэнергоиздат, 1957. - 64 с.
5. Гороховацкий Ю.А., Основы термо-деполяризационного анализа. - Наука, 1981. - 173 с.
6. Губкин А.Н. Электреты. - М.: Наука, 1978. - 191 с.
7. Желудев И.С. Основы сегнетоэлектричества. - М.: Атомиздат, 1973. - 472 с.
8. Индикаторные устройства на жидких кристаллах. / Под ред. З.Ю. Готры. - М.: Советское радио, 1980. - 238 с.
9. Каминский А.А. Лазерные кристаллы. - М.: Наука, 1978. - 368 с.
10. Курчатов И.В. //Сегнетоэлектричество. - М.: Наука, 1982. - 392 с.
11. Лущейкин Г.А. Полимерные электреты. - М.: Химия, 1984. - 183 с.
12. Пихтин А.Н. Физические основы квантовой электроники и оптотроники. - М.: Высшая школа. 1983. - 305 с.
13. Прохоров А.М. Новое поколение твердотельных лазеров. /УФН. - 1986. - Т. 148, вып. 1. - С. 7-34.
14. Чистяков И.Г. Жидкие кристаллы. - М.: Наука, 1966. - 272 с.
Размещено на Allbest.ru
Подобные документы
Понятие и свойства полупроводника. Наклон энергетических зон в электрическом поле. Отступление от закона Ома. Влияние напряженности поля на подвижность носителей заряда. Влияние напряжённости поля на концентрацию заряда. Ударная ионизация. Эффект Ганна.
реферат [199,1 K], добавлен 14.04.2011Элементарный электрический заряд. Закон сохранения электрического заряда. Напряженность электрического поля. Напряженность поля точечного заряда. Линии напряженности силовые линии. Энергия взаимодействия системы зарядов. Циркуляция напряженности поля.
презентация [1,1 M], добавлен 23.10.2013Особенности газообразных и жидких, органических полимерных, слоистых диэлектриков, композиционных порошковых пластмасс, электроизоляционных лаков и компаундов, неорганических стекол и ситаллов, керамики. Их электрические свойства, область применения.
контрольная работа [24,5 K], добавлен 29.08.2010Диэлектрики – вещества, обладающие малой электропроводностью, их виды: газообразные, жидкие, твердые. Электропроводность диэлектриков; ее зависимость от строения, температуры, напряженности поля. Факторы, влияющие на рост диэлектрической проницаемости.
презентация [1,4 M], добавлен 28.07.2013Электрический заряд и закон его сохранения в физике, определение напряженности электрического поля. Поведение проводников и диэлектриков в электрическом поле. Свойства магнитного поля, движение заряда в нем. Ядерная модель атома и реакции с его участием.
контрольная работа [5,6 M], добавлен 14.12.2009Конструктивные особенности оптических резонаторов для твердотельных лазеров. Перспективы эффективного применения градиентных лазеров. Математические модели, демонстрирующие характер распределения мощности электромагнитного поля в лазерных кристаллах.
курсовая работа [3,2 M], добавлен 16.07.2013Определение модуля и направления скорости меньшей части снаряда. Нахождение проекции скорости осколков. Расчет напряженности поля точечного заряда. Построение сквозного графика зависимости напряженности электрического поля от расстояния для трех областей.
контрольная работа [205,5 K], добавлен 06.06.2013Экспериментальные методы измерения подвижности носителей зарядов в диэлектриках. Эффект переключения диэлектрических пленок в высокопроводящее состояние. Исследование подвижностей носителей заряда времяпролетным методом. Изготовление пленочных образцов.
дипломная работа [484,3 K], добавлен 13.10.2015Деление твердых тел на диэлектрики, проводники и полупроводники. Собственная и примесная проводимость полупроводниковых материалов. Исследование изменений сопротивления кристаллов германия и кремния при нагревании, определение энергии их активации.
лабораторная работа [120,4 K], добавлен 10.05.2016Определение жидких кристаллов, их сущность, история открытия, свойства, особенности, классификация и направления использования. Характеристика классов термотропных жидких кристаллов. Трансляционные степени свободы колончатых фаз или "жидких нитей".
реферат [16,9 K], добавлен 28.12.2009