Фотоприймачі з внутрішнім підсиленням

Зчитування в дисководі CD-ROM

При попаданні променя лазерного променя на виступ(на поверхні CD), він відбивається на детектор і проходить через призму, що відхиляє його насвітлочутливий діод. Якщо промінь потрапляє в ямку він розсіюється і лише мала частина випромінювання відбивається обернено і доходить до світлочутливого діода. На діоді світлові імпульси перетворяться в електричні, яскраве випромінювання перетвориться в нулі слабке в одиниці. У такий спосіб ямки сприймаються дисководом як логічні одиниці, а гладка поверхня як логічні нулі.

Цифрові фотоапарати.

"Серцем" будь-якого цифрового фотоапарата є світлочутлива матриця CCD (Charge Coupled Device, тобто ПЗС - прилад із зарядовим зв'язком). Звичайно в камерах використовується 1/3-дюймова CCD, що складається з елементів, що перетворюють світлові хвилі в електричні імпульси (Аналогово-цифровий перетворювач замінює електричні заряди цифровою інформацією). Кількість таких елементів коливається від 350000 у камерах із розрішенням 640х480 до 810000 і більш у камерах 1024х768. Самі матриці не є новим винаходом - вони зародились як устаткування для фізичних експериментів (зокрема у фізиці високих енергій), вони вже давно використовуються у відеокамерах.

Оптичне опрацювання інформації

Сенсоризація виробничої діяльності, тобто заміна органів чуття людини на датчики, повинна розглядатися в якості третьої промислової революції слідом за першими двома - машинно-енергетичної й інформаційно-комп'ютерної. Потреба в датчиках стрімко росте в зв'язку з бурхливим розвитком автоматизованих систем контролю і керування, впровадженням нових технологічних процесів, переходом до гнучких автоматизованих виробництв. Крім високих метрологічних характеристик датчики повинні мати високу надійність, довговічність, стабільність, малі габарити, масу і енергомісткість, сумісність з мікроелектронними пристроями опрацювання інформації при низкій трудомісткості виготовлення і невеликій вартості. Цим вимогам у максимальному обсязі задовольняють волоконно-оптичні датчики.

Волоконно-оптичні датчики. Перші спроби створення датчиків на основі оптичних волокон можна віднести до середини 1970-х років. Публікації про більш-менш прийнятні розробки й експериментальні зразки подібних датчиків з'явилися в другій половині 1970-х років. Проте рахується, що цей тип датчиків сформувався як один з напрямків техніки тільки на початку 1980-х років. Тоді ж з'явився і термін "волоконно-оптичні датчики" (optical fiber sensors). Таким чином, волоконно-оптичні датчики - дуже молода область техніки.

Фотоелектричні перетворювачі енергії (ФЕП)

Для живлення магістральних систем електропостачання і різноманітного устаткування широко використовуються ФЕП; вони призначені також для підзарядки бортових хімічних АБ (акум. батарей).Крім того, ФЕП знаходять застосування на наземних стаціонарних і пересувних об'єктах, наприклад, в ФЕП электромобілів. За допомогою ФЕП, розміщених на верхній поверхні крил, здійснене живлення приводного електродвигуна гвинта одномісного експериментального літака (США), що перелетів через протоку Ла-Манш.

На даний час найкраща область застосування ФЕП - штучні супутники Землі, орбітальні космічні станції, міжпланетні зонди. Переваги ФЕП: великий термін служби; достатня апаратна надійність; відсутність витрат активної речовини або палива. Недоліки ФЕП: необхідність пристроїв для орієнтації на Сонце; складність механізмів, що розвертають панелі ФЕП після виходу супутника на орбіту; непрацездатність за відсутності освітлення; великі площі опромінюваних поверхонь. Для сучасних ФЕП характерна питома маса 20 - 60 кг/кВт (без врахування механізмів розгортання й автоматів спостереження). До перспективних належать ФЕП, що сполучать сонячні концентратори (параболічні дзеркала) і ФЕП на основі гетероструктури двох різноманітних напівпровідників - арсенідів галію й алюмінію.

ФЕП монтуються на панелях, конструкція яких містить механізми розгортання й орієнтації. Для підвищення ефективності приблизно до 0,3 застосовуються каскадні двo- і трьохшарові виконання ФЕП із прозорими верхнім шаром. ФЕП істотно залежить від оптичних властивостей матеріалів і їх теплорегулюючих захисних покриттів. Коефіцієнти відбивання зменшують технологічним засобом просвітління поверхні що освітлюється (для робочої частини спектру).

Про застосування фотоприймачів можна говорити ще довго і багато. Зрозуміло, що фотоприймачі дуже перспективні прилади. Про це свідчить і той факт, що на даний час важко знайти область науки, техніки чи побуту, де б не застосовувалися фотоприймачі.

Література

1. І.Д. Анісімова, І.М. Вікулін, Ф.А. Заїтов, Ш.Д. Курмашев "Напівпровідникові фотоприймачі: ультрафіолетовый, видимий і ближній інфрачервоний діапазон спектру". Москва 1984

2. Л.К. Бузанова, А.Я. Гліберман "Напівпровідникові фотоприймачі". Москва 1976.

3. В.А. Ізвозчиков "Фізичні основи напівпровідникової оптоелектроніки". Ленінград 1981.

4. В.І. Іванов, А.І. Аксенов, А.М. Юшин "Напівпровідникові оптоелектронні прилади". Москва 1986.