Таблица 3 Достигаемый технологический уровень микроэлектроники

2007 год	2008 год	2009 год	2010 год	2011 год
0,18 мкм	0,18 мкм	0,13 мкм	0,13 мкм	0,09 мкм
2012 год	2013 год	2014 год	2015 год	2025 год
0,09 мкм	0,09 мкм	0,065 мкм	0,065 мкм	0,018 мкм

Таблица 4 Увеличение объемов продаж изделий электронной промышленности

2007 год	2008 год	2009 год	2010 год	2011 год
19 млрд. руб.	25 млрд. руб.	31 млрд. руб.	38 млрд. руб.	45 млрд. руб.
2012 год	2013 год	2014 год	2015 год	2025 год
56 млрд. руб.	68 млрд. руб.	84 млрд. руб.	105 млрд. руб.	350 млрд. руб.

Таблица 5 Количество переданных в производство электронных технологий мирового уровня

2007 год	2008 год	2009 год	2010 год	2011 год
1-2	5-6	5-6	7-8	9-12
2012 год	2013 год	2014 год	2015 год	2025 год
10-12	10-12	12-14	12-14	25-30

2. Обоснование основных направлений решения проблемы и оценка рисков

Направления решения проблемы развития отечественной электронной промышленности могут базироваться в рамках активного сценария на двух стратегических вариантах:

1. Государственная монополизация собственности организаций электронной отрасли и централизованное управление отраслью.

2. Государственно-частное партнерство в развитии отрасли, расширение всех форм международного кооперационного сотрудничества с учетом ключевых интересов государства.

Выбор того или иного варианта стратегического развития влияет на организационную структуру управления реализацией стратегии и уровень достижения результата.

Вариант 1

Выбор этого варианта означает, что ответственность за успех или неуспех в достижении амбициозной цели сокращения отставания отечественной электроники от мирового уровня практически целиком ложится на государство.

В этом случае государство берет на себя функции определения номенклатуры производимой продукции для государственных нужд, ответственность за правильность этого определения и, соответственно, за достигаемые результаты.

На бюджет ложится обязанность финансирования не только фундаментальных исследований и опережающих разработок «прорывных» продуктов, но и опытно-конструкторских разработок, подготовки производства, а также системы поддержания эксплуатации и последующей утилизации всего ряда продуктов.

Главным негативным моментом в случае выбора этого варианта является относительно малая доля закупок самого государства в общем объеме сбыта электронной промышленности и, как следствие, отсутствие реальной мотивации государства в развитии чисто коммерческих направлений отрасли, которые должны приносить основной объем доходов и обеспечивать необходимый приток капитала для расширения производства, как это делается в мировой практике.

Кроме того, неизбежным последствием принятия такого решения станет фактическая национализация электронной отрасли и резкое увеличение потребности в ресурсном обеспечении такого варианта развития отрасли со стороны государства.

Дополнительным риском этого варианта стратегии развития отрасли является потеря интереса частных собственников к бизнесу в сфере электроники и использования ЭКБ для других отраслей вследствие невозможности влиять на принятие решений при перераспределении ресурсов для реализации тех или иных коммерческих проектов. В свою очередь, государство не будет заинтересовано в развитии коммерческих направлений, и отсутствие такого интереса может негативно сказаться на привлечении инвесторов. В результате доходные сферы бизнеса могут оказаться невостребованными и останутся без развития.

Совокупность отмеченных негативных факторов делает достижение ожидаемого результата при выборе первого варианта развития отрасли мало реалистичным.

Вариант 2

Альтернативным способом решения проблемы антикризисного развития электронной отрасли является объединение усилий государства и частного бизнеса (отечественного и зарубежного).

Партнерство с зарубежным бизнесом является в данном случае определяющим, так как именно зарубежные фирмы и организации являются лидерами данного направления в мире. Только они обладают необходимыми технологиями и опытом организации данного вида производств, а также их эффективной коммерческой эксплуатации.

Предлагаемая в рамках этого варианта модель развития основана на принципах тесного взаимодействия государства и частного бизнеса, в том числе и зарубежного, и позволяет эффективно сочетать государственные возможности концентрации ресурсов, использование различных преференций с мотивированностью частных собственников в отношении конечных результатов развития электронной отрасли.

Нагрузка на бюджет при развитии может быть существенно снижена за счет все возрастающего финансирования из внебюджетных источников - собственных средств организаций и их иностранных партнеров, коммерческих кредитов и инвестиций.

Однако повышение уровня внебюджетного финансирования развития отрасли не может произойти скачкообразно. Частные инвестиции в российскую электронную промышленность в ее нынешнем состоянии еще длительное время будут оставаться высокорискованными.

Именно поэтому необходима организация партнерства государства с отечественными инвесторами в сочетании с привлечением авторитетных зарубежных технологических партнеров под государственные гарантии для реализации таких проектов.

Наличие государственного партнерства и надежного технологического партнера является ключевым моментом обеспечения большего доверия инвесторов и их заинтересованности в таких проектах.

В рамках предлагаемой по второму варианту модели развития отрасли государству отводится важнейшая роль решения проблемы безопасности, в выстраивании системы государственно-частного партнерства, содействии бизнесу в организации инфраструктуры рынка электронной отрасли, в развитии международных кооперационных связей, вхождении в мировую систему разделения труда, продвижении продукции отрасли на мировые рынки, в поддержании и развитии национальной электронной компонентной базы, в обеспечении гарантированного рынка государственных закупок, в решении задачи обеспечения электронной промышленности высококвалифицированными специалистами, подготовленными в системе аттестованных государственных образовательных учреждений и с использованием практики стажировки в передовых мировых организациях.

В этой системе ответственность за определение номенклатуры коммерческой продукции и успех коммерческих проектов на внутреннем и мировом рынках возлагается на частный бизнес. Именно этот подход позволяет сконцентрировать ресурсы на наиболее приоритетных направлениях электронной компонентной базы и согласовывать с государственными ведомствами и заказчиками мероприятия, направленные на решение проблемы по целевым задачам, срокам и ресурсам в существующих, разрабатываемых и перспективных целевых программах, планах, отдельных проектах и комплексах мероприятий научно-технического, производственного, экономического, организационного и правового характера, в сфере электронной компонентной базы, в рамках данной Стратегии.

Таким образом, сопоставление двух направлений развития отечественной электроники показывает, что единственно реалистичным способом развития является государственно-частное партнерство с одновременным расширением форм международного сотрудничества с учетом ключевых интересов государства.

3. Основные цели и задачи Стратегии

Основная цель Стратегии - создание нового конкурентоспособного облика электронной промышленности на основе оптимизации состава электронных организаций и производственных мощностей, реконструкции и технического перевооружения, развития новых мощностей и процессов, совершенствование нормативно-правовой базы с учетом реальных рыночных секторов мирового и отечественного рынка, занятых отечественной отраслью.

Каждый из трех периодов реализации Стратегии имеет свою специфику, цель, задачи, количественные значения показателей и индикаторов, ресурсное обеспечение, но при этом сохраняются системные цели и задачи Стратегии.

Основная цель первого этапа реализации Стратегии (2007-2011 годы) - стабилизация устойчивых темпов развития электронной промышленности, создание новой инфраструктуры отрасли (дизайн-центры, центр фотошаблонов, кремниевые фабрики, интегрированные структуры), наращивание номенклатуры и объемов отечественной электронной компонентной базы.

В этот период основные усилия должны быть направлены на решение следующих задач:

ликвидация критического технологического отставания электронной промышленности от мирового уровня;

разработка новых критических технологий (научный задел) по приоритетным направлениям ЭКБ, позволяющих осуществить выпуск новой электронной компонентной базы;

оптимизация действующих производственных мощностей с целью интеграции и специализации организаций в рамках единой инфраструктуры отрасли;

создание и внедрение новой структуры проектирования и создания перспективной электронной компонентной базы, конкурентоспособной на рынке.

Годовой объем выпуска конечной продукции электронной промышленности в 2011 году должен составить 45 млрд. долларов.

Реализация целей и задач первого этапа развития Стратегии требует:

реформирование структуры электронной промышленности, оптимизация методов и механизмов государственного управления и государственно- частного партнерства;

реконструкции и технического перевооружения электронных производств;

развития сети межотраслевых и отраслевых центров проектирования ЭКБ;

приоритетного развития научно-производственной базы СВЧ-электроники и комплексированных СВЧ приборов;

приоритетного развития разработок и производства радиационно-стойкой ЭКБ;

приоритетного развития микросистемотехники;

приоритетного развития микроэлектроники;

приоритетного развития электронных материалов и структур;

принятие мер по изменению существующего законодательства, обеспечивающих реализацию мероприятий данной Стратегии.

· Реформирование структуры электронной промышленности, оптимизация методов и механизмов государственного управления и государственно-частного партнерства.

Несмотря на определенные изменения, произошедшие в отрасли в последние 10-12 лет, электронная промышленность сохраняет во многом заложенную в период "мобилизационной экономики" полипродуктовую структуру обеспечения разработок и производства электронной продукции по принципу "натурального хозяйства".

При переходе к рыночной экономике это привело к образованию у организаций излишних и неиспользуемых производственных мощностей, обуславливающих большие издержки производства, что и стало для многих организаций главной причиной их неустойчивого финансового положения.

Улучшение экономического состояния отрасли возможно только при переходе ее на современные модели бизнеса, учитывающие рыночные отношения и предусматривающие углубление в специализации и расширение интеграции определенных организаций.

В мировой практике существует две принципиально разные модели бизнеса в электронике:

интегрированный изготовитель продукции, поддерживающий все стадии создания, производства и сбыта продукции;

разделение функций проектирования, организации бизнеса и производства продукции (fabless-foundry).

Вторая модель бизнеса все больше развивается в мире, так как позволяет отдельным организациям профессионально специализироваться на проблемах своего направления, отдавая несвойственные себе функции другим специализированным организациям.

При этом каждая из специализированных организаций обеспечивает более низкую себестоимость продукции по сравнению с неспециализированными аналогами.

Исторически сложилось, что отечественная электронная промышленность преимущественно использует первую модель бизнеса. Однако следование этой модели предполагает наличие значительных финансовых ресурсов, необходимых для поддержки всей инфраструктуры такого бизнеса на протяжении всего жизненного цикла, тогда как создание специализированных фирм по каждому направлению требует значительно меньше финансовых ресурсов и обеспечивает более высокую оборачиваемость инвестиций.

Именно это обстоятельство и делает вторую модель более привлекательной для развития бизнеса в электронике, которая является чрезвычайно капиталоемкой отраслью.

Поскольку удельные затраты на производство уменьшаются с ростом объемов выпуска, заводы контрактного производства (foundry) обеспечивают экономические преимущества перед неспециализированными организациями с меньшим объемом выпуска.

В свою очередь, создание специализированных дизайн-центров для организаций не требует большого объема инвестиций и обеспечивает быстрое вхождение на рынок с собственной продукцией, изготавливаемой на foundry.

Необходимо широко внедрить такую модель бизнеса в отечественной электронной промышленности с использованием как зарубежного, так и отечественного контрактного производства. С этой целью необходимо создать и развить сеть центров проектирования ЭКБ, в том числе в организациях -системных интеграторах.

Необходимо поставить задачу и проинвестировать создание нескольких тысяч рабочих мест в новых дизайн-центрах и освоить современную методологию проектирования. Для решения этой проблемы потребуются серьезные инвестиции, так как основной объем средств будет потрачен на закупку аппаратных средств и лицензионного программного обеспечения, а также подготовку кадров.

Параллельно с организацией сети дизайн-центров необходимо создать централизованный архив фотошаблонов, а также собственные производственные мощности по их изготовлению, так как именно на фотошаблонах находится конечная информация спроектированной элементной базы. Кроме того, с целью ускорения процесса разработки и доведения его до требований рынка (6 месяцев для коммерческой продукции, 2-3 года для продукции специального назначения) необходимо внедрить систему регистрации и накопления интеллектуальной собственности в сети дизайн-центров и организации ее повторного использования на лицензионной основе. Это должен быть государственный центр контроля за выполнением разработок и их использованием.

Переход промышленности к рассмотренной модели бизнеса обеспечит ее реструктуризацию в соответствии с современными требованиями и позволит сократить сроки выхода на рынок перспективной коммерческой продукции, а, значит, существенно увеличит объем сбыта и прибыли отрасли.

· Реконструкция и техническое перевооружение электронных производств.

Реконструкция и техническое перевооружение производственной базы должны выполняться с учетом перехода к новой модели структуры бизнеса (fabless-foundry). Однако полностью игнорировать исторически сложившуюся базу интегрированных изготовителей в отечественной электронной промышленности было бы нецелесообразно -- в этих организациях имеется большой накопленный опыт такого производства. Основная задача этих организаций обеспечить серийный выпуск ЭКБ, необходимой для выполнения Государственного оборонного заказа.

Поэтому рациональной была бы первоочередная глубокая модернизация производства ведущих организаций с применением современных технологий и оборудования, не предъявляющих повышенных требований к технологическому обеспечению, которое может реализовываться только строительством новых производств, а не модернизацией действующих.

Такая модернизация в микроэлектронике до предельных уровней 0,35-0,25 мкм может быть проведена на имеющейся технологической базе и не потребует глубокой модернизации систем технологического обеспечения и капитального строительства. Следует учитывать, что строительство только одного современного микроэлектронного производства уровня 0,13-0,09 мкм потребовало бы инвестиций около 1,52,5 млрд. долларов, что вдвое превосходит все запрашиваемые средства на программу развития ЭКБ в целом.

При проведении техперевооружения электронных производств должны быть учтены как потребность в сохранении производств ЭКБ, используемой в аппаратуре с длительным жизненным циклом с учетом её возможной модернизации, так и необходимость восстановления утерянных производств ЭКБ. Альтернативным направлением решения проблемы обеспечения функционирования подобной аппаратуры на всех этапах её жизненного цикла является создание необходимых страховых запасов ЭКБ.

Освоение технологического уровня 0,09 мкм и менее требует строительства новых специальных производств с дорогостоящей инженерной инфраструктурой, очищающей технологическую атмосферу от загрязнений на химическом (молекулярном) уровне.

В настоящее время такое производство можно организовывать только в альянсе с зарубежными партнерами в рамках международного проекта. Реализация продукции таких фабрик носит глобальный характер и, как правило, не может быть обеспечена только внутренним рынком.

Следует иметь в виду, что освоение каждого нового технологического уровня требует соответствующих изменений в метрологическом обеспечении микроэлектронного производства. Утеря собственного спецтехнологического машиностроения вызывает необходимость приобретения всего комплекта технологического и контрольного оборудования за рубежом. Стоимость его чрезвычайно высока, она составляет величину порядка млн. долларов за единицу и доходит до значений 8 10 млн. долларов за отдельные, но самые главные виды оборудования (фотолитографические установки).

Оценки показывают, что стоимость полного минимального набора оборудования для технологического уровня 0,13 мкм составляет около 220 260 млн. долларов (стоимость полного комплекта оборудования стандартного производства уровня 0,13 мкм около 1,2 1,4 млрд. долларов (50 55% от стоимости всей фабрики ~ 2,5 млрд. долларов).

Таким образом минимальные инвестиции на организацию только пилотного (опытного) производства уровня 0,13 мкм превысят значение 300350 млн. долларов (еще около 80 млн. долларов на строительство и инженерное обеспечение линейки, удельная стоимость чистых площадей подобного класса превышает значение 15 тыс. долларов/м²).

Практически все организации микроэлектроники акционированы, и как следствие, они выбирают ту технико-экономическую стратегию развития (на первых этапах - стратегию выживания), которая может обеспечить максимальную прибыль и, естественно, не ориентируется на государственные интересы. Российские инвесторы еще не готовы вкладывать деньги в отечественную микроэлектронику в тех объемах, которые необходимы для подъема высокотехнологичного производства, а иностранные этого делать не будут, так как это противоречит интересам завоевания российского рынка.

Ситуация с развитием проектирования и производства ЭКБ осложняется отсутствием мощных потребителей на внутреннем рынке и низкой конкурентоспособностью создаваемой ЭКБ на внешнем.

Таким образом, продуктовая цепочка «электронные технологии - ЭКБ - радиоэлектронная аппаратура» не имеет главных стимулов развития из-за ограничений в потребности в высшем звене и значительного объема необходимых инвестиций в нижнем.

У государства в сложившейся ситуации реально сохраняются два рычага управления: бюджетные ассигнования и рынок госзакупок. Пользуясь этими рычагами, государство должно обеспечить реализацию своих интересов, создавая одинаковые правила и условия при взаимодействии с бизнес-структурами, реально владеющими активами микроэлектронных производств. Это должно стать основой будущего государственно-частного партнерства.

Необходимо обратить внимание и на межгосударственные формы партнерства.

Принимая во внимание важность научно-технического и экономического взаимодействия с Республикой Беларусь как стратегического и политического партнера и положительный опыт совместных программ по спецтехнологическому оборудованию и технологиям микроэлектроники, следует расширить состав совместных межгосударственных российско-белорусских программ по разработке специальной ЭКБ (силовая и автомобильная электроника; СБИС для цифрового телевидения, систем безопасности, информационных систем; микросистемная техника и сенсоры и т.д.) для задач реализации совместных крупномасштабных проектов и интеграции экономик.

· Развитие сети межотраслевых и отраслевых центров проектирования.

Развитие сети отраслевых и межотраслевых центров проектирования решает задачу по обеспечению создания стратегически значимых радиоэлектронных систем, а также массовой гражданской аппаратуры, требующей разработки в короткие сроки сотен типов микросхем: универсальных (процессоров, схем памяти, программируемых матриц и др.) и специализированных, в том числе уровня «система на кристалле» сложностью в десятки миллионов компонентов, требующих совместных усилий разработчиков и изготовителей как радиоэлектронных систем, так и микроэлектронных компонентов.

Причем количество дизайн-центров должно быть достаточным для загрузки как действующих модернизированных, так и вновь создаваемых мощностей.

Должно быть обеспечено создание проектной инфраструктуры, включающей:

- межотраслевые и отраслевые центры проектирования, центры системного уровня проектирования при крупных аппаратостроительных организациях (интегрированных структурах);

- дизайн-центры проектирования ЭКБ;

- межотраслевой центр проектирования, каталогизации и изготовления фотошаблонов.

Созданных и достаточно успешно функционирующих в настоящее время центров проектирования ЭКБ (всего порядка 10) явно недостаточно для решения перечисленных проблем. Оценки показывают, что количество центров проектирования для решения задачи формирования новой базы проектирования основных видов ЭКБ и обеспечения рациональной региональной сети центров должно составлять около 60-70 центров.

В ходе реализации подпрограммы «Развитие электронной компонентной базы» в течение 2007-2011 гг. планируется создать разветвленную сеть центров проектирования (30-35 новых центров), в том числе 6-7 центров системного уровня при ведущих организациях Роспрома, Росатома и Роскосмоса, Минобразования, а также Межотраслевой центр проектирования, каталогизации и изготовления фотошаблонов.

При этом созданная инфраструктура должна обеспечить завоевание конкурентоспособных позиций, позволяющих достигнуть заданного в Стратегии роста объемов продаж в следующих секторах мирового рынка:

· Приоритетное развитие научно-производственной базы твердотельной и вакуумной СВЧ-электроники.

Отличительной особенностью современного состояния СВЧ-техники в стране является то, что достигнутый технический уровень по ряду ключевых направлений (вакуумная СВЧ-техника) не уступает мировому, а в ряде случаев превосходит его, и разработанные изделия в основном являются конкурентоспособными. Основными составляющими рынка СВЧ-изделий являются:

продукция, изготавливаемая в интересах Минобороны России и других заказчиков (радиолокационная аппаратура, включая АФАР, военная связь, в том числе спутниковая, аппаратура для антитеррористической и радиоэлектронной борьбы);

продукция промышленного и бытового назначения (аэродромные и трассовые радиолокационные станции, спутниковая и наземная связь, цифровое телевидение, промышленная и бытовая электроника);

продукция, изготавливаемая по международным контрактам (в основном военного назначения).

Вместе с тем, дальнейшее развитие отечественной СВЧ-техники сдерживается наметившимся отставанием в области твердотельной СВЧ-электроники, связанным с отсутствием современного технологического оборудования. Чтобы не уступить приоритет зарубежным производителям, необходим уровень 0,35-0,18 мкм для кремниевой технологии и 0,1-0,2 мкм для приборов на арсениде галлия и широкозонных полупроводниках.

Для достижения и развития нового уровня СВЧ-электроники в первую очередь необходимо сконцентрировать финансовые, технические и кадровые ресурсы в наиболее технологически развитых базовых организациях. Для поддержания критических технологий, способных обеспечить разработку и производство СВЧ- приборов в интересах перспективных систем вооружений и для гражданских применений, эти организации остро нуждаются в модернизации и техническом перевооружении действующих производственных мощностей. В отличие от микроэлектронных производств, ведущие центры СВЧ-электроники остались в государственной собственности. Государство имеет полный контроль над этими центрами. Наличие устойчивого рынка внутри страны и конкурентоспособность отечественных изделий СВЧ-техники на мировом рынке делает возможным получение максимального экономического и технического эффекта от реализации инвестиционных проектов по модернизации центров СВЧ-электроники и обеспечения развития производства исходных материалов и структур («кремний на изоляторе», гетероструктуры). Необходимо предусмотреть дальнейшее развитие работ в институтах РАН, где имеется значительный задел по технологии СВЧ-приборов на наногетероструктурах.

Существенным является поддержание высокого уровня технологий СВЧ-приборов и создание нового поколения высоконадежных вакуумных мощных СВЧ-приборов и высокоэффективных гибридных малогабаритных СВЧ-модулей с улучшенными массогабаритными характеристиками. В области вакуумной СВЧ-электроники необходимо в первую очередь развивать те технологии которые обеспечат мировое лидерство. Прежде всего это относится к СВЧ-электронике больших мощностей.

· Приоритетное развитие разработок и производства радиационно-стойкой ЭКБ.

Развитие специализированных разработок и производства радиационно-стойкой электронной компонентной базы в интересах организаций и организаций Росатома, Роскосмоса, Минобороны России и Роспрома необходимо для поддержания паритета в области стратегических ядерных вооружений и обеспечения возрастающей роли космических средств в системах управления и передачи данных как государственных, так и корпоративных структур, а также обеспечения функционирования объектов атомной энергетики.

Ввиду стратегической важности данного направления целесообразно сохранить и развивать специализированные центры разработок и производства по этому направлению в Нижнем Новгороде и Москве, в том числе в Зеленограде.

При этом должна обеспечиваться возможность перекрестного производства продукции в целях обеспечения безусловной стабильности ее поставок.

Данное направление технологии должно включать в себя комплекс углубленных исследований в области радиационной чувствительности материалов, полупроводниковых структур и специальных технологий. Информация подобного рода является закрытой и не может быть получена по каким-либо другим каналам, кроме проведения собственных исследований.

Следует также учесть, что для использования в специальных применениях радиационно-стойкая ЭКБ не может быть приобретена на мировом рынке, поэтому необходима разработка всей номенклатуры приборов.

Развитие радиационно - стойкой ЭКБ должно стать одним из важнейших приоритетов программного развития ЭКБ, так как это направление определяет национальную безопасность и не может само по себе развиваться на основе использования экономических (рыночных) механизмов. Во всем мире это направление находится под строгим контролем государства, а его развитие реализуется на базе постоянно проводимых государственных программ, согласованных с развитием систем и аппаратуры специального и двойного применения.

· Приоритетное развитие микросистемотехники.

На основе современных достижений микроэлектроники, микромеханики, нанотехнологии, оптоэлектроники, акустоэлектроники и других критических технологий сегодня в ведущих странах создается широкий ряд микромеханических устройств для систем навигации, автоматического контроля, управления, наведения в средствах вооружений ракетно-космического, авиационного, корабельного базирования, в промышленном оборудовании, в наземных транспортных средствах, для коммутации в высокоскоростных системах передачи информации и для многих других применений. По функциональному назначению такие устройства предназначены для измерения основных физических величин, угловых и линейных скоростей, ускорений, деформации, крутящего момента, давления, расхода жидкостей и газов, глубины погружения, вибраций, концентраций химических газов и других параметров.

Благодаря значительному снижению габаритов, массы, потребляемой мощности и особенно стоимости производства область применения их за рубежом быстро расширяется. Расширяются области применения таких устройств в качестве основного конструкционного элемента для микроробототехники, топливных элементов, приборов акустики, адаптивной оптики, космической техники (микроспутники) и т.д.

Сказанное свидетельствует о назревшей актуальной научно-технической проблеме создания отечественных высокоточных микромеханических систем для средств высокоточного оружия и перспективного конкурентоспособного гражданского применения. Ряд отечественных организаций на протяжении последних лет активно развивает работы в области микросистемотехники и газовой сенсорики.

Однако темпы отечественных разработок изделий микросистемотехники не соответствуют возрастающим потребностям организаций радиоэлектронного комплекса, поэтому данному направлению следует присвоить приоритет развития как одного из важнейших.

Задержка с развитием данного направления приведет к существенному отставанию радиоэлектронных средств управления по уровню их интеллектуализации как для оборонного, так и гражданского применения.

Успешный выход российской микросистемотехники на мировой уровень в короткие сроки возможен путем создания базовых центров проектирования, способных на высоком технологическом уровне проектировать и производить широкую номенклатуру прецизионных изделий микросистемотехники для обеспечения потребностей организаций Роспрома, Росатома, Роскосмоса и решения проблемы импортозамещения.

· Приоритетное развитие микроэлектроники.

Развитие микроэлектроники должно быть направлено на:

* разработку базовых технологий СБИС:

КМОП технологии уровня 0,18-0,13 мкм на пластинах диаметром 200 мм с созданием опытного производства;

опытной технологии КМОП СБИС с проектными нормами до 0,13 мкм и организация пилотной линии по выпуску специализированных СБИС на пластинах диаметром 200 мм;

разработки технологии изготовления шаблонов с фазовым сдвигом и коррекцией оптического эффекта близости для производства СБИС и организацию межотраслевого центра проектирования, изготовления и каталогизации шаблонов технологического уровня до 0,13 мк;

ускоренное развитие систем проектирования сложных СБИС, включая СБИС типа «система на кристалле», ориентированных на разработку конкурентоспособных электронных систем мультимедиа, телекоммуникаций, систем радиолокации, космического мониторинга, цифровых систем обработки и передачи информации, цифрового телевидения и радиовещания, систем управления технологическими процессами и транспортом, систем безналичного расчета, научного приборостроения и обучения, систем идентификации, сжатия и кодирования информации, медицинской техники и экологического контроля с использованием:

унифицированных библиотек стандартных элементов (отечественных и зарубежных производств);

библиотек макроблоков и СФ-блоков, ориентированных по классам ЭКБ;

платформ и стандартных интерфейсов;

программно-аппаратных средств архитектурного проектирования и программирования, включая генерацию тестов.

* разработку новых поколений электронной компонентной базы:

функционально полной номенклатуры аналоговых и логических БИС для комплектации и модернизации действующих радиоэлектронных систем и аппаратуры, включая задачи импортозамещения;

СФ-блоков для обработки, сжатия и передачи информации в том числе:

сигнальные и цифровые процессоры (в том числе программируемые) и микроконтроллеры;

цифро-аналоговые и аналого-цифровые преобразователи;

шины и интерфейсы (драйверы, приемопередатчики и т.д.);

специализированные блоки для телекоммуникации, связи и АТМ технологии.

- комплектов специализированных СБИС типа «система на кристалле» сложностью до 10-50 млн. транзисторов для систем цифровой обработки сигналов (цифровое телевидение, радиовещание, сотовая и радиотелефонная связь, космический мониторинг, системы управления и контроля и т.д.);

разработку приборов силовой электроники, включая:

базовую технологию и конструкцию производства тиристоров и мощных транзисторов со структурой IGBT, силовых ключей прижимной конструкции на токи до 1500 А и напряжение до 6500 В;

базовую технологию производства и конструкцию силовых микросхем, гибридных силовых приборов тиристорного типа, высоковольтных драйверов управления и интеллектуальных силовых модулей.

Системы на кристалле ? новый класс перспективной электронной элементной базы, одно из наиболее динамично развивающихся направлений микроэлектронной техники востребованной на рынке.

Развитие технологий СБИС «система на кристалле» неразрывно связано с развитием рынка СФ-блоков.

Таблица 6 Динамика мирового рынка объема продаж СФ-блоков

Годы	Объем продаж, млн. руб.	Прирост, %
1995	95	97,9
1996	165	73,7
1997	255	54,5
1998	395	54,9
1999	528	33,7
2000	732	38,6
2001	1038	41,8
2002	1424	37,2
2003	1893	32,9
2004	2503	32,2

Анализ динамики мирового рынка СФ-блоков в период 2000-2004гг. показал, что среднегодовые темпы роста составили в среднем 36,5%, а в целом за десятилетний период объем продаж СФ-блоков в мире вырос более чем в 26 раз.

Темпы развития сектора многократно используемых СФ-блоков, повышающих надежность, ускоряющих и удешевляющих разработку СБИС «система на кристалле», имеют еще большую динамику: число конструкций таких СФ-блоков в период с 2000 по 2004 гг. увеличилось более чем в три раза, а за десятилетний период - в 41,7 раза.

· Приоритетное развитие электронных материалов и структур.

В области электронных материалов и структур планируется осуществить:

- разработку базовых технологий и организацию производства:

кремниевых пластин диаметром 200 мм технологического уровня 0,18-0,13 мкм;

структур типа «кремний на изоляторе», «кремний на сапфире» диаметром 150 мм и технологического уровня 0,5 - 0,35 мкм;

пластин радиационно облученного кремния диаметром 150 мм для приборов силовой электроники;

гетероструктур диаметром 100 - 150 мм с квантовыми эффектами для СВЧ твердотельной электроники, высокоинтенсивных приборов светотехники, лазеров и специальных матричных приемников;

керамических материалов и плат, материалов для пленочных технологий, компонентов и клеев, герметиков для выпуска новых классов радиоэлектронных компонентов и приборов, корпусов и носителей;

бессвинцовых сложных композиций для экологически чистой сборки ЭКБ и монтажа в составе РЭА.

- разработку технологий нанесения покрытий и формирования:

экологически чистой технологии нанесения гальванопокрытий с замкнутым циклом нейтрализации и утилизации;

высокоэффективных процессов формирования полимерных покрытий, алмазоподобных пленок и наноструктурированных материалов, самоформирования пространственных структур;

новых классов сложных полупроводниковых материалов с большой шириной запрещенной зоны для высоковольтной и высокотемпературной электроники (карбид кремния, алмазоподобные материалы, сложные нитридные соединения и т.д.);

новых классов полимерных пленочных материалов, включая многослойные и металлизированные, для задач политроники и сборочных процессов массового производства ЭКБ широкого потребления;

новых автоэмиссионных материалов на основе углеродных нанотрубок для катодов вакуумных СВЧ-приборов.

Основная цель второго этапа (2012-2015 годы) реализации Стратегии - ликвидация технологического отставания отечественной электронной промышленности от мирового уровня, широкомасштабная работа по реконструкции и техническому перевооружению действующих электронных организаций и строительство новых электронных производств.

В этот период основные усилия должны быть направлены на решение следующих задач:

комплексная реструктуризация и техническое перевооружение действующих электронных организаций;

проектирование и создание новых электронных производств;

внедрение новых перспективных электронных технологий для создания конкурентоспособной качественной электронной компонентной базы;

сокращение импорта зарубежной ЭКБ и запрет на использование ее в специальной технике и системах;

развитие новой инфраструктуры электронной промышленности, в том числе интеграция с отечественными организациями работающими самостоятельно на рынках.

Ликвидация технологического отставания электронной промышленности от прогнозируемого мирового уровня должна происходить по двум направлениям:

- дизайна с использованием контрактного производства,

- технологии собственного производства продукции.

На период 2012-2015 гг. перед электронной промышленностью ставятся задачи полного сокращения отставания в области дизайна с использованием контрактного производства и отставания в области технологии собственного производства.

Решение этой задачи в области дизайна должно идти по пути создания совместных дизайн-центров с ведущими зарубежными фирмами с участием поставщиков систем автоматизированного проектирования.

В области технологии отставание может быть сокращено только путем организации соответствующих альянсов отечественных организаций с зарубежными технологическими партнерами.

Накопленный опыт взаимодействия с зарубежными партнерами в этой области показывает, что решающее значение при этом имеет возможность завоевания значительной доли внутреннего рынка в массовых секторах коммерческих изделий. Поэтому успех решения этой задачи будет полностью зависеть от решения проблем, связанных с расширением позиций на внутреннем рынке в период 2007-2011 гг.

Так называемые «ограничения экспортного контроля» при этом существенного значения не имеют в виду гражданского назначения основной массы такой продукции.

Годовой объем выпуска конечной продукции отечественной электронной промышленности к 2015 году должен составить 105,0 млрд. руб.

Основная цель третьего этапа (2016-2025 годы) реализации Стратегии - обеспечить полное возрождение отечественной электронной промышленности, конкурентоспособной с аналогичными промышленностями развитых стран, интегрированной с ведущими зарубежными фирмами.

На данном этапе основные усилия должны быть направлены на решение следующих задач:

интеграции в рамках международных программ развития электроники с развитыми странами и ведущими электронными фирмами;

завоевания значимых позиций в ряде секторов мирового рынка электронной компонентной базы;

широкого внедрения достижений отечественных нанотехнологии, биоэлектроники и микросистемной техники в повседневной жизни человека, в сферах здравоохранения, образования, жилищно-коммунального хозяйства, транспорта и связи.

Годовой объем выпуска продукции электронной промышленности в 2025 году составит более 350 млрд. руб.

Ликвидация технологического отставания отечественной электроники не может быть решена без интеграции имеющихся у нас научно-исследовательских ресурсов в международные программы развития электроники.

Однако для этого необходимо иметь научно-технические заделы, представляющие интерес для наших потенциальных партнеров.

Только на основе такого интереса можно обеспечить обмен технологиями и таким образом существенно снизить затраты на их разработку.

Практические достижения в области наноматериалов для электроники, необходимый опыт создания сложных систем на базе современных компонентов типа «системы на кристалле» будут являться основой для такой интеграции.

Кроме этого у нас уже имеются практические достижения в области современных источников излучения для нанолитографии, используемых ведущими зарубежными фирмами - Intel, ASML, Lambda-Physik, Cymer и др., иммерсионной наноимплантации, атомно-слоевого осаждения и т.д.

По всем этим направлениям необходимо организовать участие в международных программах Европейского союза как наших исследовательских организаций, так и промышленных организаций.

В этой связи необходимо переориентировать соответствующую программу Союзного государства на вопросы расширения мирового сотрудничества с использованием имеющихся у нас научно-технических заделов по микроэлектронике и нанотехнологии.

Завоевание значимых позиций на мировых рынках нишевых продуктов в области радиационно-стойкой электроники, СВЧ-электроники, беспроводных систем глобального обмена информацией, интегрированных систем на кристалле для стационарной и мобильной радиоэлектронной аппаратуры станет возможным благодаря приоритетному развитию отечественной ЭКБ.

Дополнительное расширение рынков сбыта может быть достигнуто за счет коммерциализации направлений двойного назначения.

Радиационно-стойкие микросхемы, например, широко востребованы на рынках спутниковых систем связи и навигации и систем управления объектами атомной энергетики.

Совокупный объем мирового рынка в данной области прогнозируется на уровне 150 млн. долларов в год. На внешнем рынке производители конечного оборудования в этих областях непрерывно ищут вторых поставщиков в связи с известной проблемой «вымывания» из номенклатуры поставок устаревающих типов ЭКБ.

Направление СВЧ имеет очень большие коммерческие перспективы в связи с постоянно расширяющимся применением беспроводных мобильных средств передачи информации в диапазонах 2,5; 5 и 12 ГГц. Изделия этого направления становятся массовым продуктом. Совокупный потенциальный объем продаж СВЧ электроники двойного назначения на внутреннем и внешнем рынках прогнозируется в размере 100-350 млн. долларов в год на период 2012-2015 гг.

Прогнозы развития электроники на пост-кремниевый период (после 2020 г.) предполагают широкое внедрение в промышленности достижений нанотехнологий.

Однако при этом не следует ожидать какого-либо существенного изменения технологической платформы микроэлектроники. Ее контуры видны уже сейчас, так как основное оборудование для наноэлектроники уже находится в стадии опытных образцов: степпер-сканер экстремального ультрафиолета (EUV), установки нанопечати (наноимпринт), системы безмасочной литографии, атоммарного импульса газофазного осаждения и т.д.

Промышленности в этот период времени необходимо быть готовой к резкому увеличению затрат на техническое перевооружение, так как стоимость комплексов нанооборудования в разы превосходит стоимость традиционных средств технологического оснащения микроэлектроники. Поэтому на период 2016-2025 гг. в бюджете должно быть предусмотрено не менее чем 3-5-кратное увеличение ресурсов на техническое перевооружение объектов приоритетного освоения производства изделий наноэлектроники.

Внедрение нанотехнологий должно еще больше расширить глубину ее проникновения в повседневную жизнь населения. Должна быть обеспечена постоянная связь каждого индивидуума с глобальными информационно-управляющими сетями типа Internet.

Наноэлектроника будет интегрироваться с биообъектами и обеспечивать непрерывный контроль за поддержанием их жизнедеятельности, улучшением качества жизни, и таким образом сокращать социальные расходы государства.

Широкое распространение получат встроенные беспроводные наноэлектронные устройства, обеспечивающие постоянный контакт человека с окружающей его интеллектуальной средой, получат распространение средства прямого беспроводного контакта мозга человека с окружающими его предметами, транспортными средствами и другими людьми. Тиражи такой продукции превысят миллиарды штук в год из-за ее повсеместного распространения.

Отечественная промышленность должна быть готова к этому вызову, так как способность производить все компоненты сетевых систем будет означать установление фактического контроля над всеми их пользователями, что неприемлемо для многих стран с точки зрения сохранения их суверенитета. Аналогичной точки зрения придерживаются эксперты стран ЕС в связи с глобальной экспансией производителей электроники из стран Юго-Восточной Азии и намерением США обеспечить себе постоянное технологическое лидерство в этой области. Поэтому в период 2016-2025 гг. следует ожидать очередного усиления роли электроники в жизни общества и быть экономически готовыми к новому витку глобальной конкуренции стран на базе наноэлектронной технологии. Облик промышленного производства при этом все более будет напоминать микроэлектронно-фармацевтические производства, а не традиционные приборно-машиностроительные производства, существующие в настоящее время.

4. Основные программные мероприятия

На первом этапе (2007-2011 годы) Стратегию предполагается реализовывать по трем взаимосвязанным направлениям, в том числе:

1. В рамках подпрограммы «Развитие электронной компонентной базы» на 2007-2011 годы Федеральной целевой программы «Национальная технологическая база» на 2007-2011 годы. Кроме того с 2008 года планируется ввести в действие ФЦП «Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники» на 2008-2015 годы.

2. Инвестиционными проектами по созданию новых современных электронных производств, как проектов имеющих национальное значение.

3. Комплексом мероприятий по повышению эффективности научно-технической и производственно-хозяйственной деятельности организаций электронной промышленности, включая работы в рамках Российского-Белорусского сотрудничества в области электроники.

В рамках первого направления в состав ФЦП «Национальная технологическая база» на 2007-2011 годы включена подпрограмма «Развитие электронной компонентной базы» на 2007-2011 годы, содержащая программные мероприятия по реализации целей и задач первого этапа выполнения Стратегии. Кроме того с 2008 года планируется ввести в действие ФЦП «Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники» на 2008-2015 годы.

В рамках второго направления предполагается реализовать приоритетные инвестиционные проекты, направленные на решение стратегических целей развития микроэлектронных производств, в том числе инвестиционные проекты по модернизации микроэлектронного производства с топологическими размерами 0,18-0,13 мкм и строительство нового завода по производству микроэлектронных изделий с топологическими размерами 0,09 мкм.

Третье направление реализации Стратегии включает работы, выполняемые в рамках Российско-Белорусского сотрудничества по созданию нового оборудования, материалов и изделий микроэлектроники.

На втором этапе (2012-2015 годы) Стратегию предлагается реализовывать в рамках ФЦП «Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники» на 2008-2015 годы, в которой предусмотрен комплекс программных мероприятий по развитию электронной компонентной базы на период 2012-2015 годов, включающий в себя:

комплексную реструктуризацию и техническое перевооружение действующих электронных организаций;

проектирование и создание новых электронных производств;

внедрение новых перспективных электронных технологий для создания конкурентоспособной качественной электронной компонентной базы;

На третьем этапе (2016-2025 годы) Стратегию предполагается реализовывать в рамках новой федеральной целевой программы, которая будет разработана с учетом выполнения ФЦП «Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники» и предусматривать:

завоевание значимых позиций в ряде секторов мирового рынка электронной компонентной базы;

широкое внедрение достижений отечественных нанотехнологии, биоэлектроники и микросистемной техники в повседневной жизни человека в сферах здравоохранения, образования, жилищно-коммунального хозяйства, транспорта и связи.

5. Оценка необходимого финансового обеспечения. Источники финансирования

Оценка необходимых объемов финансирования Стратегии приведена по трем этапам реализации Стратегии (табл. 7 и 8).

Если затраты первого этапа реализации Стратегии (2007-2011 годы) полностью соответствуют затратам, приведенным в подпрограмме «Развитие электронной компонентной базы» на 2007-2011 годы федеральной целевой программы «Национальная технологическая база» на 2007-2011 годы, проекта ФЦП «Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники» на 2008-2015 годы, ФЦП «Глобальная навигационная система» и ФЦП «Развитие ОПК РФ на 2007-2010 годы и на период до 2015 года, второй этап (2012-2015 годы) основывается на проекте ФЦП «Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники» на 2008-2015 годы и ФЦП «Развитие ОПК РФ на 2007-2010 годы и на период до 2015 года», данные третьего (2016-2025 годы) этапа реализации Стратегии носят ориентировочный характер и должны быть уточнены в зависимости от результатов полученных на первом и втором этапах.

Указанные финансовые средства приведены в вышеуказанных федеральных целевых программах в рамках программных мероприятий по разработке и производству электронной компонентной базы организациями электронной промышленности Российской Федерации. Объемы финансирования предусмотренные на реализацию программных мероприятий Стратегии находятся в пределах объемов бюджетных ассигнований предусмотренных Федеральным законом «О федеральном бюджете на 2008 год и на плановый период 2009 и 2010 годов».

Таблица 7 Объемы финансовых затрат на реализацию 1 этапа Стратегии развития электронной промышленности России на период до 2025 года (млн. руб. в ценах соответствующих лет)

Наименование затрат	Источник финансирования	2007-2011 годы	2007 год	2008 год	2009 год	2010 год	2011 год
Объемы научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ в том числе:	Всего: в том числе Федеральный бюджет	34802,22 23158,32	4238,3 2826,6	5798,32 3878,92	6722,6 4468,8	7035,0 4700,0	11008,0 7284,0
Подпрограмма «Развитие электронной компонентной базы» на 2007-2011 годы ФЦП «Национальная технологическая база» на 2007-2011 годы	Всего: в том числе Федеральный бюджет	3900,0 2600,0	3900,0 2600,0	- -	- -	- -	- -
ФЦП «Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники» на 2008-2015 годы	Всего: в том числе Федеральный бюджет	29175,0 19450,0	- -	5385,0 3590,0	6315,0 4210,0	6795,0 4530,0	10680,0 7120,0
ФЦП «Глобальная навигационная система»	Всего: в том числе Федеральный бюджет	669,42 579,42	129,1 122,0	200,32 182,42	190,0 150,0	150,0 125,0	- -
ФЦП «Развитие ОПК РФ на 2007-2010 годы и на период до 2015 года»	Всего: в том числе Федеральный Бюджет	1057,8 528,9	209,2 104,6	213,0 106,5	217,6 108,8	90,0 45,0	328,0 164,0
Объемы капитальных Вложений в том числе:	Всего: в том числе Федеральный бюджет	14640,0 7320,0	2400,0 1200,0	2640,0 1320,0	2900,0 1450,0	3200,0 1600,0	3500,0 1750,0
Подпрограмма «Развитие электронной компонентной базы» на 2007-2011 годы ФЦП «Национальная технологическая база» на 2007-2011 годы	Всего: в том числе Федеральный бюджет	2400,0 1200,0	2400,0 1200,0	- -	- -	- -	- -
ФЦП «Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники» на 2008-2015 годы	Всего: в том числе Федеральный бюджет	12240,0 6120,0		2640,0 1320,0	2900,0 1450,0	3200,0 1600,0	3500,0 1750,0
Итого по 1 этапу Стратегии	Всего: в том числе Федеральный бюджет	49442,22 30478,32	6638,3 4026,6	8438,32 5198,92	9622,6 5918,8	10235,0 6300,0	14508,0 9034,0

Таблица 8 Объемы финансовых затрат на реализацию 2 этапа (2012-2015 годы) и 3 этапа (2016-2025 годы) Стратегии развития электронной промышленности России на период до 2025 года (млн. руб. в ценах соответствующих лет)

Наименование затрат	Источник финансирования	2 этап	3 этап
		2012-2015 годы	2016-2025 годы
Объемы научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ в том числе:	Всего: в том числе Федеральный бюджет	48050,0

Подобные документы

• Состояние и тенденции развития радиоэлектронного комплекса промышленности России

  Разработки радиоэлектронной промышленности. Электронная отрасль, развитие электронной компонентной базы. Причины сдерживающие развитие отечественной электронной компонентной базы. Анализ российской, мировой электроники, оптимальный путь развития отрасли.
  
  статья [196,6 K], добавлен 11.11.2010
  

• Разработка инвестиционно-иннвационной стратегии развития оборонно-промышленного комплекса Тульской области

  Проблемы и перспективы развития оборонно-промышленного комплекса Тульской области. Основные направления инвестиционной стратегии развития инновационной деятельности в отрасли. Разработка программы "Реформирование и развитие ОПК (2002-2006 годы)".
  
  курсовая работа [70,4 K], добавлен 12.02.2012
  

• Проблемы развития оборонно-промышленного комплекса России

  Определение оборонно-промышленного комплекса как совокупности предприятий, занятых разработкой и производством продукции военного и гражданского назначения, объединенных по отраслевому признаку. Проблемы развития ВПК и его роль в национальной экономике.
  
  реферат [2,1 M], добавлен 07.02.2012
  

• Оборонно-промышленный комплекс. Конверсия ОПК

  Место оборонно-промышленного комплекса в экономической структуре. Анализ оборонно-промышленного комплекса. Сущность и методы конверсии. Процессы преобразования оборонно-промышленного комплекса в России. Типы предприятий в структуре собственности ОПК.
  
  курсовая работа [46,1 K], добавлен 30.09.2010
  

• Государственное регулирование агропромышленного комплекса

  Состав аграрно-промышленного комплекса, цели его развития. Направления, методы, механизмы государственного регулирования аграрно–промышленного комплекса России. Современное состояние аграрно-промышленного комплекса России и стратегия его развития.
  
  курсовая работа [88,2 K], добавлен 18.04.2011
  

• Вывод оборонно-промышленного комплекса из кризиса. Необходимость и возможности

  Ознакомление с результатами реформирования оборонно-промышленного комплекса России как способа вывода его из кризиса. Особенности конверсии, диверсификации и реструктуризации предприятий ОПК. Проблема оснащения силовых структур новой военной техникой.
  
  доклад [30,9 K], добавлен 14.11.2010
  

• Современное состояние нефтяной и газовой промышленности России

  История развития нефтяного хозяйства России. Анализ современного состояния нефтяной и газовой промышленности России, её конкурентные преимущества. Оценка динамики и уровня цен на нефть и газ. Проблемы и перспективы развития нефтегазового комплекса.
  
  практическая работа [453,4 K], добавлен 16.09.2014
  

• Характеристика уровня развития промышленности г. Омска

  Понятие и значение промышленности в развитии экономики стран. Импортозамещение – курс развития российской промышленности. Стратегия социально-экономического развития Омской области. Перспективы создания кластерной модели развития промышленности г. Омска.
  
  курсовая работа [1,2 M], добавлен 30.09.2014
  

• Инновации производства в оборонно-промышленном комплексе (на примере Брянской области)

  Определение значения инноваций как основного фактора развития оборонно-промышленного комплекса. Принципы разработки программы внедрения ресурсосберегающих технологий и обновления производственных мощностей промышленных предприятий ОПК Брянской области.
  
  доклад [17,5 K], добавлен 14.11.2010
  

• География отраслей промышленности Уральского экономического района

  Условия и факторы развития промышленного производства Урала. Население и трудовые ресурсы. Структура и размещение ведущих отраслей хозяйства. Территориальная организация промышленности Урала. Проблемы и перспективы развития промышленного производства.
  
  курсовая работа [50,8 K], добавлен 15.10.2008
  

• главная
• рубрики
• по алфавиту
• вернуться в начало страницы
• вернуться к началу текста
• вернуться к подобным работам