автореферат Радіаційні ефекти в польових транзисторах на базі гетеропереходів AlGaN/GaN
Розробка методики вимірювання параметрів потужних транзисторів з високою рухливістю електронів. Оцінка основних причин зміни параметрів вольтамперних та шумових характеристик транзисторів і можливостей управління ними при опроміненні гамма-квантами.
Нажав на кнопку "Скачать архив", вы скачаете нужный вам файл совершенно бесплатно.
Перед скачиванием данного файла вспомните о тех хороших рефератах, контрольных, курсовых, дипломных работах, статьях и других документах, которые лежат невостребованными в вашем компьютере. Это ваш труд, он должен участвовать в развитии общества и приносить пользу людям. Найдите эти работы и отправьте в базу знаний.
Мы и все студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будем вам очень благодарны.
Чтобы скачать архив с документом, в поле, расположенное ниже, впишите пятизначное число и нажмите кнопку "Скачать архив"
| Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
| Вид | автореферат |
| Язык | украинский |
| Дата добавления | 28.10.2015 |
| Размер файла | 21,7 K |
Подобные документы
Рівняння сімейства вольтамперних характеристик фотодіода. Перехід, освітлений перпендикулярно. Аналіз залежності вольтамперних характеристик фотодіода від фізичних параметрів напівпровідника. Порядок розрахунку чутливості фотодіода для випромінювання.
курсовая работа [2,4 M], добавлен 08.07.2014Аналіз залежності вольтамперних характеристик фотодіода від фізичних параметрів напівпровідника. Розрахунок фотодіода з метою отримання бажаних параметрів вольтамперних характеристик. Зміна вольтамперної характеристики переходу під дією випромінювання.
курсовая работа [1,5 M], добавлен 11.09.2014Принципова відмінність польових транзисторів від біполярних. Фізичні фактори,відповідальні за нелінійність ВАХ. Опір ділянки кола стік-витік транзистора у відкритому стані при концентрації донорів в каналі Nd.
курсовая работа [119,0 K], добавлен 08.08.2007Класифікація та умовні позначення польових транзисторів. Конструкція пристроїв з ізольованим затвором. Схема МДН-транзистора з вбудованим або індукованим каналом. Розрахунок електричних параметрів і передаточних характеристик польового транзистора КП301.
контрольная работа [510,5 K], добавлен 16.12.2013Призначення та види вимірювань. Діючі стандарти та технічні умови оформлення параметрів та характеристик волоконно-оптичного зв'язку. Методи знаходження пошкоджень у ВОЛЗ. Вимірювання потужності оптичного випромінювання та геометричних параметрів ОВ.
контрольная работа [115,2 K], добавлен 26.12.2010Проведення аналізу особливостей функціонування багатоконтурних систем з ЗВЗ. Розробка методики вибору параметрів завадостійких кодів в кожному контурі. Обґрунтування кількості контурів в системах передачі даних. Аналіз числових параметрів ефективності.
дипломная работа [3,2 M], добавлен 19.09.2011Ефекти в напівпровідникових матеріалах, що виникають у магнітному полі. Геометрія зразків і положення контактів. Методи дослідження ефекту Холла. Магніторезистивний ефект. Універсальна установка для вимірювання параметрів напівмагнітних напівпровідників.
дипломная работа [2,6 M], добавлен 13.05.2012Властивості напівпровідникового матеріалу в транзисторах Шотткі. Структура, принцип дії польових транзисторів із затвором. Підсилювачі потужності, генератори. Електрофізичні параметри елементів приладу. Розрахунок напруги відсікання і насичення.
курсовая работа [640,7 K], добавлен 13.12.2011Функціональна електрична схема і програма ПЗП мікропроцесорного пристрою для вимірювання температури. Розробка структурної схеми пристрою. Обґрунтування вибору комплектуючих. Опис електричних параметрів та загальних схем підключення основних мікросхем.
курсовая работа [1,1 M], добавлен 14.05.2011Визначення основних параметрів телефонної мережі житлового району міста. Розробка схеми магістральної розподільчої мережі телефонної кабельної каналізації. Розрахунок основних техніко-економічних показників лінійних споруд. Вимоги до параметрів лінії.
курсовая работа [474,9 K], добавлен 05.02.2015
