Униполярное резистивное переключение в структурах на основе оксидов ниобия, тантала и циркония
Исследование эффекта униполярного резистивного переключения в оксидах переходных металлов. Создание сэндвич структур на их основе с реализацией эффекта энергонезависимой памяти, оценка работоспособности. Механизм и модель резистивного переключения.
| Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
| Вид | автореферат |
| Язык | русский |
| Дата добавления | 02.07.2018 |
| Размер файла | 2,8 M |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Подобные документы
Описание методов измерения информации с гироскопических систем ориентации и навигации (ГСОиН). Применение эффекта Мессбауэра для измерения малых расстояний, скоростей и углов. Разработка устройства съема информации с ГСОиН на основе эффекта Мессбауэра.
дипломная работа [7,3 M], добавлен 29.04.2011Изучение особенностей функционирования ключевого элемента и его основных параметров в режимах "включено" и "выключено". Динамика процессов переключения ключа с учетом переходных процессов (задержек переключения), имеющих место в МДП транзисторе.
лабораторная работа [880,7 K], добавлен 26.11.2011Разработка электрической схемы резистивного усилителя. Построение гиперболы рассеивания при статическом режиме. Формула расчета уравнения нагрузочной прямой. Определение параметров тока, полосы пропускания и полосы усиления при динамическом режиме.
контрольная работа [584,8 K], добавлен 14.05.2014Физическая сущность эффекта Доплера как изменения воспринимаемой частоты колебаний. Методы измерения физических величин с использованием данного физического эффекта. Источники погрешностей, ограничивающих точность измерений на основе этого явления.
курсовая работа [1,1 M], добавлен 01.05.2016Закономерности систем, оценка их сложности. Модель типа "Черный ящик". Информационная модель на основе технологии IDEF1X. Функциональная модель на основе технологии IDEF0. Способность охранять частичную работоспособность при отказе отдельных элементов.
курсовая работа [333,2 K], добавлен 25.01.2015Что такое электронный усилитель. Резистивный каскад на биполярном транзисторе, его простейшая схема. Графическое пояснение процесса усиления сигнала схемой с общим эмиттером. Схема, проектирование резистивного каскада с фиксированным напряжением смещения.
курсовая работа [337,9 K], добавлен 22.12.2009Сущность электрооптического эффекта Керра. Распространение света в анизотропной среде. Расчет узлов электрической принципиальной схемы и элементов входного усилителя. Определение элементов аналого-цифрового преобразователя и его включение с индикаторами.
курсовая работа [826,4 K], добавлен 28.12.2014Открытие эффекта комбинационного рассеяния света (эффект Рамана). Применение в волоконно-оптических линиях связи оптических усилителей, использующих нелинейные явления в оптоволокне (эффект рассеяния). Схема применения, виды и особенности устройства.
реферат [1,2 M], добавлен 29.12.2013Элементы ЭСППЗУ, программируемые с помощью туннельного эффекта. Упрощенная модель ячейки памяти. Методика исследования элементной базы ЭСППЗУ. Расчет пороговых напряжений, плавающего затвора и потенциалов канала. Построение и расчет ячейки ЭСППЗУ.
дипломная работа [1,6 M], добавлен 25.06.2010Определение напряжения открывания (переключения) транзисторов. Статические характеристики схемы при вариации напряжения питания. Длительность переходных процессов при включении и выключении ключа и среднее время задержки в сети для различных приборов.
контрольная работа [2,0 M], добавлен 23.12.2010Анализ современного состояния работ, посвященных исследованию неустойчивостей тока в полупроводниковых структурах. Исследование влияния формы контактных площадок на параметры токовых колебаний в мезапланарных структурах на основе высокоомного GaAs.
дипломная работа [3,2 M], добавлен 18.07.2014Конструкция и принцип действия датчиков перемещения различных типов: емкостных, оптических, индуктивных, вихретоковых, ультразвуковых, магниторезистивных, магнитострикционных, потенциометрических, на основе эффекта Холла. Области использования приборов.
реферат [546,1 K], добавлен 06.06.2015Технологии компании Apple iPhone 3, возможности управления дисплеем. Определение схемы расположения субпикселей. Измерение параметров управления яркостью и времени переключения пикселей. Исследование зависимости яркости от уровня серого на дисплее.
курсовая работа [1,6 M], добавлен 22.01.2014Изучение устройства температурного датчика на основе термопары. Принцип работы металлических тензодатчиков веса (силы). Микросенсоры расхода газа (жидкости), их технические характеристики. Уравнение пироэлектрического эффекта. Способы измерения ускорений.
доклад [977,7 K], добавлен 18.03.2013Характеристики полупроводниковых материалов. Классификация источников излучения. Светоизлучающие диоды. Лазер как прибор, генерирующий оптическое когерентное излучение на основе эффекта вынужденного или стимулированного излучения, его применение.
курсовая работа [551,5 K], добавлен 19.05.2011Неравновесные электронные процессы в структурах металл-туннельно-прозрачный-окисел-полупроводник. Исследование вольт-амперных характеристик и физических процессов, протекающих в транзисторных структурах с распределенным p-n переходом. Методы их расчета.
курсовая работа [745,2 K], добавлен 11.12.2015- Создание отладочной платы и загрузка в микроконтроллер готовой программы для работы с датчиком цвета
Разработка лабораторного комплекса по созданию сенсорного интерфейса на основе графической платформы Circuit Design Suite. Проектирование электрической схемы и проверка работоспособности устройства. Определение затрат на создание программного продукта.
дипломная работа [3,7 M], добавлен 22.11.2015 Типы проводимостей полупроводников и их отличия. Преимущества гетероэпитаксиальных структур КРТ по сравнению с объемными кристаллами КРТ, выращивание. Разновидности полупроводниковых фотоприёмников. Приборы на основе КРТ: принцип действия и устройство.
курсовая работа [3,3 M], добавлен 18.10.2009Коммутаторы, использование технология АТМ в основе глобальной высокоскоростной магистральной сети, предоставляющей услуги мультимедиа. Входная и выходная буферизация в коммутаторах матричного типа. Расчет эффекта статистического мультиплексирования.
дипломная работа [3,0 M], добавлен 02.11.2010Разработка переменного проволочного резистора с каркасом прямоугольного сечения для измерительной аппаратуры. Обзор аналогичных конструкций. Расчет резистивного элемента, температуры его перегрева элемента, частотных характеристик, контактной пружины.
курсовая работа [50,7 K], добавлен 29.08.2010
