Надежность микроэлектронных систем

Особенность исследования уровня надежности микроэлектронных систем. Анализ отказов полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Изучение устойчивости компонентов электронных схем. Основные составляющие исправности программного обеспечения.

Рубрика Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника
Вид лекция
Язык русский
Дата добавления 22.03.2018
Размер файла 38,4 K

Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже

Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.


Подобные документы

  • Надежность электронных компонентов, туннельный пробой в них и методы его определения. Надежность металлизации и контактов интегральных схем, параметры их надежности. Механизм случайных отказов диодов и биполярных транзисторов интегральных микросхем.

    реферат [420,4 K], добавлен 10.12.2009

  • Изучение современных тенденций в области проектирования интегральных микросхем и полупроводниковых приборов. Анализ алгоритма создания интегральных микросхем в среде Cadence Virtuoso. Реализация логических элементов с использованием NMOS-транзисторов.

    курсовая работа [1,4 M], добавлен 08.11.2013

  • Конструкционные проблемы теплового режима металлических пленок бескорпусных полупроводниковых интегральных микросхем: диаграмма нагрева и расчет надежности эскизного проекта. Интенсивность отказов конструкции и структуры проводника металлизации.

    реферат [1,2 M], добавлен 13.06.2009

  • Развитие микроэлектроники и освоение производства интегральных микросхем. Применение микроконтроллеров и микроэлектронных генераторов импульсов. Разработка электрической и принципиальной схем устройства. Анализ временных соотношений и погрешностей.

    курсовая работа [1,1 M], добавлен 22.10.2009

  • Этапы проектирование полупроводниковых интегральных микросхем. Составление фрагментов топологии заданного уровня. Минимизация тепловой обратной связи в кристалле. Основные достоинства использования ЭВМ при проектировании топологии микросхем и микросборок.

    презентация [372,7 K], добавлен 29.11.2013

  • Основные показатели свойств технического объекта. Состояние исправности, работоспособности, критерий предельного состояния. Дефекты, повреждения, сбой, причины и последствия отказов, их виды. Техническое обслуживание и ремонт, показатели надежности.

    методичка [142,3 K], добавлен 16.01.2011

  • Анализ технологии изготовления плат полупроводниковых интегральных микросхем – такого рода микросхем, элементы которых выполнены в приповерхностном слое полупроводниковой подложки. Характеристика монокристаллического кремния. Выращивание монокристаллов.

    курсовая работа [2,0 M], добавлен 03.12.2010

  • Изучение методики расчета показателей надежности электронного модуля при экспоненциальном законе распределения отказов элементов. Показатели надежности объектов. Прибор для получения "серебряной" воды. Тактовые импульсы с коллектора транзистора.

    контрольная работа [71,6 K], добавлен 23.01.2014

  • Классификация структур радиотехнических систем. Методы исследования структурной надежности радиотехнических систем. Исследования структурной надежности радиотехнических систем методом статистического моделирования. Расчет себестоимости, охрана труда.

    дипломная работа [618,6 K], добавлен 31.10.2010

  • Схемотехнические параметры. Конструктивно–технологические данные. Классификация интегральных микросхем и их сравнение. Краткая характеристика полупроводниковых интегральных микросхем. Расчёт полупроводниковых резисторов, общие сведения об изготовлении.

    курсовая работа [3,8 M], добавлен 13.01.2009

  • Топология и элементы МОП-транзистора с диодом Шоттки. Последовательность технологических операций его производства. Разработка технологического процесса изготовления полупроводниковых интегральных схем. Характеристика используемых материалов и реактивов.

    курсовая работа [666,0 K], добавлен 06.12.2012

  • Работа полупроводниковых электронных приборов и интегральных микросхем. Некоторые положения и определения электронной теории твердого тела. Кристаллическое строение полупроводников. Электронно-дырочный переход. Вольтамперная характеристика п-р перехода.

    лекция [196,9 K], добавлен 15.03.2009

  • Применение компьютерных программ моделирования для изучения полупроводниковых приборов и структур. Оценка влияния режимов работы и внешних факторов на их основные электрические характеристики. Изучение особенностей основных полупроводниковых приборов.

    дипломная работа [4,8 M], добавлен 16.05.2013

  • Расчёты показателей надёжности изделий электронной техники при заданных условиях. Защита микросхем от внешних дестабилизирующих факторов: температуры и влажности. Обеспечение теплового режима работы интегральных микросхем (гибридных и полупроводниковых).

    курсовая работа [408,3 K], добавлен 19.03.2012

  • Количественные показатели надежности невосстанавливаемых систем. Расчет надежности невосстанавливаемых систем при проектировании. Определение надежности дискретных систем с восстанавливающими органами. Выражение для вероятности безотказной работы.

    контрольная работа [431,1 K], добавлен 03.05.2015

  • Содержание и основные составляющие перспективных информационных технологий. Соотношение алгоритмического и эвристического труда при конструировании ЭС. Особенности автоинтерактивного конструирования микроэлектронных блоков средствами малых ЭВМ и АРМ.

    реферат [167,7 K], добавлен 19.09.2010

  • Основные этапы проектирования приборов. Роль и место радиоэлектронной промышленности в национальной технологической системе России. Формирование рынка контрактной разработки. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем.

    курсовая работа [3,6 M], добавлен 22.11.2010

  • Технологический маршрут производства полупроводниковых компонентов. Изготовление полупроводниковых пластин. Установка кристаллов в кристаллодержатели. Сборка и герметизация полупроводниковых приборов. Проверка качества и электрических характеристик.

    курсовая работа [3,0 M], добавлен 24.11.2013

  • Понятие параметрической надежности РЭС как вероятность отсутствия в изделии постепенных отказов при его работе в заданных условиях эксплуатации. Основные причины, вызывающие возникновение постепенных отказов. Способы оценки параметрической надежности.

    курсовая работа [42,5 K], добавлен 12.06.2010

  • Сущность, основные показатели и понятия надежности. Коэффициенты надежности и методика их расчета. Расчёт количественных характеристик надёжности интегральных микросхем, среднего времени восстановления и коэффициента готовности системы автоматики.

    контрольная работа [66,6 K], добавлен 05.04.2011

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.