Исследование морфологии поверхности и электропроводности пленок кремния после лазерного отжига

Анализ технологических операций при изготовлении тонкопленочных солнечных элементов. Изменение удельной электропроводности кремниевой пленки. Применение лазерного отжига. Выбор оптимальной мощности для получения наилучших электрофизических параметров.

Рубрика Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника
Вид статья
Язык русский
Дата добавления 29.07.2017
Размер файла 466,9 K

Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже

Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.


Подобные документы

  • Техника электроэрозионной и токовой подгонки тонкопленочных резисторов. Обработка пленок в тлеющем разряде. Подгонки тонкопленочных конденсаторов. Анодирование и анодное оксидирование. Электронные и ионные методы подгонки. Лазерная обработка пленки.

    лабораторная работа [465,5 K], добавлен 01.02.2014

  • Разработка и изготовление устройства магнетронного получения тонких пленок. Пробное нанесение металлических пленок на стеклянные подложки. Методы, применяемые при распылении и осаждении тонких пленок, а также эпитаксиальные методы получения пленок.

    курсовая работа [403,6 K], добавлен 18.07.2014

  • Исследование конструктивных особенностей, принципа действия и применения лазерного гироскопа. Описания сверхбольших лазерных гироскопов. Анализ схемы конструкции моноблочного лазерного гироскопа. Перспективы развития гироскопического приборостроения.

    реферат [829,1 K], добавлен 15.03.2016

  • Отработка технологии получения тонких пленок BST. Методики измерения диэлектрической проницаемости, тангенса угла диэлектрических потерь сегнетоэлектрической пленки, напыленной на диэлектрическую подложку. Измерения емкости в планарных структурах.

    дипломная работа [2,2 M], добавлен 15.06.2015

  • Полупроводниковые соединения, получившие широкое применение в электронной технике. Тонкие пленки и поликристаллические слои халькогенидов свинца (PbSe). Контроль электрофизических свойств, основные свойства и методы выращивания монокристаллов PbSe.

    курсовая работа [35,2 K], добавлен 29.11.2010

  • Изучение требований, предъявляемых к тонкопленочным резисторам. Физическая природа удельного электрического сопротивления пленок. Изучение методов осаждения пленок. Способы конструирования тонкопленочных резисторов. Выбор геометрии и площади резистора.

    реферат [3,2 M], добавлен 07.11.2010

  • Назначение, устройство, принцип и диагностика работы лазерного принтера. Отыскание дефектов и устранение неисправности в лазерных принтерах. Техника безопасности при проведении ремонтных и профилактических работ со средствами вычислительной техники.

    курсовая работа [58,7 K], добавлен 13.07.2011

  • Модель электрофизических параметров атмосферы. Расчет фазовых искажений сигнала при прохождении через тропосферную радиолинию. Применение линейной частотной модуляции при зондировании. Моделирование параметров радиосигнала после прохождения атмосферы.

    дипломная работа [1,5 M], добавлен 15.01.2012

  • Сущность и задачи литографии. Описание процесса создания рисунка с использованием фотолитографии на кремниевой подложке. Исследование режимов технологического процесса ионного легирования в кремниевой технологии при помощи компьютерных программ.

    реферат [23,9 K], добавлен 01.02.2016

  • Обзор конструктивных особенностей и характеристик лазеров на основе наногетероструктур. Исследование метода определения средней мощности лазерного излучения, длины волны, измерения углов расходимости. Использование исследованных средств измерений.

    дипломная работа [2,7 M], добавлен 26.10.2016

  • Характеристика и функция лазерного резонатора, обеспечение обратной связи фотонов с лазерной средой. Лазерные моды – собственные частоты лазерного резонатора. Продольные и поперечные электромагнитные моды. Лазер на ионах аргона и криптона, его устройство.

    реферат [1,5 M], добавлен 17.01.2009

  • Физико-химические основы процессов микроэлектроники. Распределение примесей после зонной плавки. Расчет распределения примеси в полупроводнике после диффузионного отжига при различных условиях диффузии. Нахождение положения электронно-дырочного перехода.

    курсовая работа [839,1 K], добавлен 30.10.2011

  • Анализ структур, составов и требований к функциональным слоям микротвердооксидных топливных элементов. Требования, предъявляемые к анодным электродам. Методы формирования функциональных слоев микротвердооксидных топливных элементов. Патентный поиск.

    дипломная работа [2,1 M], добавлен 14.05.2014

  • Методы расчета усилительных каскадов на основе транзисторов. Проектирование усилителя модулятора лазерного излучения. Приобретение конкретных навыков в расчете усилительных каскадов на примере решения конкретной задачи. Расчет широкополосного усилителя.

    курсовая работа [461,3 K], добавлен 23.06.2008

  • Этапы разработки и перспективы внедрения проекта по созданию бюджетного лазерного комплекса на базе полупроводникового лазера, предназначенного для обработки органических материалов. Исследование основных параметров и характеристик фотоприемника.

    курсовая работа [883,0 K], добавлен 15.07.2015

  • Расчет напряжений питания, потребляемой мощности, КПД, мощности на коллекторах оконечных транзисторов. Выбор оконечных транзисторов, определение площади теплоотводов, элементов усилителя мощности. Выбор и расчет выпрямителя, схемы фильтра, трансформатора.

    курсовая работа [474,7 K], добавлен 22.09.2012

  • Исследование и выбор промышленного робота для лазерной резки; анализ технологического процесса; конструкция лазерного излучателя. Разработка общей структуры системы управления промышленным роботом как механической системой, технологическое использование.

    дипломная работа [2,0 M], добавлен 12.07.2013

  • Последовательность этапов образования зародышей и роста пленки вплоть до образования непрерывной. Зарождение частиц новой фазы. Изменение формы островков в процессе их коалесценции. Образование каналов и их заполнение. Формирование сплошной пленки.

    реферат [840,7 K], добавлен 25.04.2011

  • Усилитель звуковых частот. Расчёт оконечного каскада. Выбор транзисторов по допустимой мощности рассеяния на коллекторе и максимальной амплитуде коллекторного тока. Выбор входного транзистора, расчет входных элементов. Расчет мощности элементов схемы.

    курсовая работа [618,3 K], добавлен 12.03.2016

  • Основные понятия тонких пленок. Механизм конденсации атомов на подложке. Рост зародышей и формирование сплошных пленок. Расчет удельного сопротивления островка. Определение удельного сопротивления обусловленного рассеянием электронов на атомах примеси.

    курсовая работа [550,5 K], добавлен 31.03.2015

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.