Вплив ультразвуку на процеси росту монокристалів твердого розчину Ga0.03In0.97Sb з розплаву і шарів GaAs методом рідкофазної епітаксії

Рубрика	Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника
Вид	автореферат
Язык	украинский
Дата добавления	28.09.2015
Размер файла	65,0 K

Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже

Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.

Подобные документы

• Оптимізація технологічних процесів росту арсеніду галію зі заданими властивостями

  Актуальність застосування напівпровідникових кристалів в сучасній твердотілій електроніці. Метод Чохральського - технологія вирощування монокристалів з тигля витягуванням із розплаву при повільному обертанні. Кристалографічні властивості сполук.
  
  курсовая работа [2,4 M], добавлен 08.06.2014
  

• Розробка друкованої плати для схеми

  Вибір і обґрунтування кількості шарів, основних розмірів і товщини плати. Розрахунок мінімального і максимального діаметра вікна фотошаблона, який використовується для її виготовлення хімічним способом. Розміщення радіотехнічних монтажних елементів.
  
  курсовая работа [560,5 K], добавлен 19.08.2014
  

• Исследование влияния формы контактных площадок на параметры возникающих колебаний тока в полуизолирующем GaAs

  Анализ современного состояния работ, посвященных исследованию неустойчивостей тока в полупроводниковых структурах. Исследование влияния формы контактных площадок на параметры токовых колебаний в мезапланарных структурах на основе высокоомного GaAs.
  
  дипломная работа [3,2 M], добавлен 18.07.2014
  

• Вплив легування цинком на властивості МОН-структур

  Методи вирощування плівок термічного SiO2. Основні властивості диоксиду кремнію та меж розділу з напівпровідником та металом. Дослідження пористості плівок термічного SiO2. Електрофізичні характеристики структур.
  
  дипломная работа [1,9 M], добавлен 08.08.2007
  

• СВЧ-транзисторы и их применение

  Биполярные и полевые СВЧ-транзисторы. Баллистические и аналоговые транзисторы. Сравнительная таблица основных свойств полупроводникового материала 4H-SiC с Si и GaAs. Алмаз как материал для СВЧ-приборов. Приборы на основе квантово-размерных эффектов.
  
  курсовая работа [2,9 M], добавлен 22.08.2015
  

• Електроніка та мікропроцесорна техніка

  Фізичні властивості електроніки. Електрофізичні властивості напівпровідників. Пасивні елементи електроніки, коливальні контури, їх використання. Кремнієві стабілітрони: будова, принцип дії, галузі використання. Напівпровідникові діоди, схеми з’єднання.
  
  учебное пособие [7,5 M], добавлен 16.10.2009
  

• Смуго-загороджувальний фільтр з БЗЗ

  Еквівалентна схема заміщення заданої схеми для роботи на роботі середніх частот малого та великого сигналу. Моделювання PSpice Shematics. Побудова АЧХ і ФЧХ вхідного опору схеми. Вплив параметрів даних елементів та коефіцієнта підсилення по напрузі.
  
  курсовая работа [1,1 M], добавлен 04.07.2014
  

• Розробка лінійних систем автоматичного управління (САУ) з цифровою корегуючою ланкою

  Розробка функціональної схеми цифрової слідкуючої системи. Складання передаточних функцій її елементів. Вибір виконавчого двигуна і підсилювача потужності. Розрахунок, побудова та моделювання послідовної безперервної корегуючої ланки методом ЛАЧХ.
  
  курсовая работа [169,8 K], добавлен 21.04.2011
  

• Дослідження перехідних процесів в гідротранспортній системі при різних темпах закриття регулювальної засувки

  Розробка електромеханічної системи керування електроприводом регулювальної засувки на базі перетворювача частоти. Експериментальні дослідження перехідних процесів в трубопровідній мережі. Програмне забезпечення з формування темпів закриття засувки.
  
  курсовая работа [2,4 M], добавлен 29.04.2013
  

• Розробка та моделювання територіально розподіленої локальної мережі на базі MPLS

  Методи побудови мультисервісних локальних територіально розподілених мереж. Обґрунтування вибору технології побудови корпоративних мереж MPLS L2 VPN. Імітаційне моделювання у пакеті "OPNET modeler 14.5" та аналіз характеристики переданого трафіку.
  
  дипломная работа [1,2 M], добавлен 20.09.2016
  

• Основи теорії сигналів

  Параметри періодичної послідовності імпульсів (форма, тривалість, період повторення, висота) та описання її функції за допомогою рядів Фур'є. Вплив тривалості імпульсів на амплітудно-частотний спектр. Вплив початку відліку часу на фазочастотний спектр.
  
  контрольная работа [1,2 M], добавлен 23.03.2011
  

• Розрахунок польового транзистора із затвором

  Властивості напівпровідникового матеріалу в транзисторах Шотткі. Структура, принцип дії польових транзисторів із затвором. Підсилювачі потужності, генератори. Електрофізичні параметри елементів приладу. Розрахунок напруги відсікання і насичення.
  
  курсовая работа [640,7 K], добавлен 13.12.2011
  

• Багатопроменева інтерференція

  Поняття та властивості, вимірювання клиновидності пластини, вплив на контраст інтерференційних кілець рівного нахилу. Інтерференційна схема для одержання смуг рівної товщини. Оптична схема інтерферометра Майкельсона. Практичне застосування інтерференції.
  
  реферат [380,9 K], добавлен 15.12.2010
  

• Мобільний – товариш і помічник та його вплив на організм людини

  Хвороби та ушкодження, спричинені неправильним користуванням мобільним телефоном. Вплив електро-магнітного поля на організм людини. Основні законодавчі стандарти безпеки мобільного зв'язку. Рекомендації по вибору і експлуатації мобільного пристрою.
  
  реферат [32,2 K], добавлен 28.05.2015
  

• Вплив різноманітних факторів на показники надійності електронних апаратів

  Об’єктивні і суб’єктивні фактори, які впливають на показники надійності електронних апаратів: температура, вологість, електричні режими, атмосферні опади і механічні навантаження. Вплив зниженого тиску, забрудненості повітря на роботу приладів.
  
  реферат [19,4 K], добавлен 03.05.2011
  

• Полупроводниковые диоды

  Работа полупроводниковых электронных приборов и интегральных микросхем. Некоторые положения и определения электронной теории твердого тела. Кристаллическое строение полупроводников. Электронно-дырочный переход. Вольтамперная характеристика п-р перехода.
  
  лекция [196,9 K], добавлен 15.03.2009
  

• Наукова революція в природознавстві наприкінці ХІХ–початку ХХ ст.

  Розвиток атомістики: розкриття таємниці атома та вплив атомістики на подальший розвиток природознавчих галузей. Дослідження складової матерії. Наукові дослідження природних процесів: еволюція повітроплавання; радіо та телеграф; зародження генетики.
  
  контрольная работа [29,0 K], добавлен 25.12.2008
  

• Аналіз та синтез системи автоматичного регулювання швидкості двигуна прокатного стану

  Методи моделювання динамічних систем. Огляд методів синтезу. Математичне забезпечення вирішення задачі системи управління. Моделювання процесів за допомогою пакету VisSim. Дослідження стійкості системи управління. Реалізація програмного забезпечення.
  
  дипломная работа [3,8 M], добавлен 07.11.2011
  

• Фотоприемники на основе твердого раствора кадмий-ртуть-телур (КРТ)

  Типы проводимостей полупроводников и их отличия. Преимущества гетероэпитаксиальных структур КРТ по сравнению с объемными кристаллами КРТ, выращивание. Разновидности полупроводниковых фотоприёмников. Приборы на основе КРТ: принцип действия и устройство.
  
  курсовая работа [3,3 M], добавлен 18.10.2009
  

• Дослідження поляризаційних характеристик тонких плівок нітрид титана і прополісу

  Оптичні властивості тонких плівок нітриду титану. Електрофізичні та сорбційні характеристики прополісу. Дослідження закономірностей розсіювання тонкими плівками TiN і прополісу світлових потоків при різних формах поляризації падаючого випромінювання.
  
  магистерская работа [1,6 M], добавлен 29.09.2015
  

• главная
• рубрики
• по алфавиту
• вернуться в начало страницы
• вернуться к началу текста
• вернуться к подобным работам