Размещено на http://www.allbest.ru/

Размещено на http://www.allbest.ru/

1. Технології виготовлення мікросхем

мікросхема автоматизований друкований плата

Елементна база

Основним елементом аналогових мікросхем є транзистори (біполярні або польові). Різниця в технології виготовлення транзисторів істотно впливає на характеристики мікросхем. Тому нерідко в описі мікросхеми вказують технологію виготовлення, щоб підкреслити тим самим загальну характеристику властивостей і можливостей мікросхеми. У сучасних технологіях об'єднують технології біполярних і польових транзисторів, щоб добитися поліпшення характеристик мікросхем.

За технологією виготовлення транзисторів мікросхеми поділяються:

· Мікросхеми на уніполярних (польових) транзисторах - найекономічніші (по споживанню струму)

· Мікросхеми на біполярних транзисторах.

Технологічний процес

При виготовленні мікросхем використовується метод фотолітографії (проекційної, контактної та ін.), при цьому схему формують на підкладці (зазвичай з кремнію), отриманій шляхом різання алмазними дисками монокристалів кремнію на тонкі пластини. Зважаючи на крихту лінійних розмірів елементів мікросхем, від використання видимого світла, і навіть ближнього ультрафіолету, при засвіченні давно відмовилися.

В якості характеристики технологічного процесу виробництва мікросхем вказують мінімальні контрольовані розміри топології фотоповторювача (контактні вікна в оксиді кремнію, ширина затворів в транзисторах і т.д.) і, як наслідок, розміри транзисторів (і інших елементів) на кристалі. Цей параметр, проте, знаходиться у взаємозалежності з рядом інших виробничих можливостей: чистотою отримуваного кремнію, характеристиками інжекторів, методами фотолітографії, методами витравлення і напилення.

В 1970-х роках мінімальний контрольований розмір становив 2-8 мкм, в 1980-х був зменшений до 0,5-2 мкм. Деякі експериментальні зразки устаткування фотолітографії рентгенівського діапазону забезпечували мінімальний розмір 0,18 мкм.

В 1990-х роках, через новий виток «війни платформ», експериментальні методи стали впроваджуватися у виробництво і швидко удосконалюватися. На початку 1990-х процесори (наприклад, ранні Pentium і Pentium Pro) виготовляли за технологією 0,5-0,6 мкм (500-600 нм). Потім їх рівень піднявся до 250-350 нм. Наступні процесори (Pentium 2, K6 - 2, Athlon) вже робили за технологією 180 нм.

У кінці 1990-х фірма Texas Instruments створила нову ультрафіолетову технологію з мінімальним контрольованим розміром близько 80 нм. Але досягти її в масовому виробництві не вдавалося аж до недавнього часу. За станом на 2009 рік технології вдалося забезпечити рівень виробництва аж до 90 нм.

Нові процесори (спершу це був Core 2 Duo) роблять по новій УФ-технології 45 нм. Є і інші мікросхеми, що давно досягли і перевищили цей рівень (зокрема, відеопроцесори і флеш-память фірми Samsung - 40 нм). Проте подальший розвиток технології викликає все більше труднощів. Обіцянки фірми Intel по переходу на рівень 30 нм вже до 2006 року так і не збулися.

За станом на 2009 рік альянс провідних розробників і виробників мікросхем працює над технологічним процесом 32 нм.

В 2010-му в роздрібному продажі вже з'явилися процесори, розроблені по 32-х нм технологічному процесу.

Очікується, що наступним, напевно, буде технологічний процес 22 нм.

Контроль якості

Для контролю якості інтегральних мікросхем широко застосовують так звані тестові структури.

Серії мікросхем

Аналогові і цифрові мікросхеми випускаються серіями. Серія - це група мікросхем, що мають єдине конструктивно-технологічне виконання і призначені для спільного застосування. Мікросхеми однієї серії, як правило, мають однакову напругу джерел живлення, погоджені по вхідних і вихідних опорах, рівнях сигналів.

Корпуси мікросхем

Мікросхеми випускаються в двох конструктивних варіантах - корпусному і безкорпусному.

Безкорпусна мікросхема - це напівпровідниковий кристал, призначений для монтажу в гібридну мікросхему або мікрозборку (можливий безпосередній монтаж на друковану плату). Корпус мікросхеми - це частина конструкції мікросхеми, призначена для захисту від зовнішніх дій і для з'єднання із зовнішніми електричними колами за допомогою виводів. Корпуси стандартизовані для спрощення технологічного процесу виготовлення виробів з різних мікросхем. Число стандартних корпусів обчислюється сотнями. У сучасних імпортних корпусах для поверхневого монтажу застосовують і метричні розміри: 0,8 мм; 0,65 мм і інші.

2. Призначення і основні технічні характеристики пристрою

Розроблений пристрій призначений для проведення лабораторної роботи з предмету «Цифрова схемотехніка». Він дозволяє дослідити та наочно показати роботу мультиплексора. На передній панелі стенду зображена схема електрична принципова мультиплексора, виведено роз'єми. Для індикації поданих та одержаних сигналів на панелі передбачено світлодіоди. З допомогою схеми усунення друзкоту контактів можна подавати одиночні імпульси на лічильник коду адреси каналу інформації. Цей лічильник дозволяє подати на блок мультиплексуваня код адреси каналу інформації. Таким чином можна здійснювати кумутацію одного з 4-ох вхідних інформаційних каналів на один вихідний канал.

Розроблений лабораторний стенд на передній панелі має тумблер увімкнення живлення та індикацію подачі живлення на одному світлодіоді.

3. Аналіз структурної схеми

Структурна схема лабораторного стенду

Даний лабораторний стенд призначений для дослідження роботи мультиплексора. Мультиплексори відносяться до пристроїв комутування цифрової інформації. Вони здійснюють комутацію одного з декількох інформаційних входів до одного виходу. Мультиплексори мають декілька інформаційних входів, адресні входи, вхід дозволу мультиплексування (стробуючий вхід) та один вихід.

Структурна схема лабораторного стенду складається з наступних елементів:

· Входи інформаційних каналів

· Вихід інформаційного каналу

· Схема усунення друзкоту контактів (ГОІ)

· Ключова схема 1 подачі імпульсу

· Індикація подачі імпульсу

· Лічильник адреси каналу інформації

· Ключова схема 2 індикації коду адреси каналу інформації

· Індикація коду адреси каналу інформації

· Ключова схема 3 адреси каналу інформації і інформаційного сигналу

· Індикація коду адреси каналу інформації і інформаційного сигналу

· Чотири логічні елементи 3І

· Ключова схема 4 кумотованого інформаційного сигналу

· Індикація кумотованого інформаційного сигналу

· Логічний елемент 4АБО

· Ключова схема 5 індикації виходу інформаційного сигналу

· Індикація виходу інформаційного каналу

· Блок живлення

Пристрій живиться постійною напругою +5 В від блоку живлення стабілізованої напруги.

Опис схеми функціональної частини студентки Череховської К. - блок набору коду.

В стенді передбачено 4 входи інформаційних каналів, з яких поступає інформація для комутації. Вони являють собою гнізда штирькові, до яких можна під'єднати провід для подачі інформації з 4-х різних джерел.

В стенді також передбачено один вихід інформаційного каналу також у вигляді штирькового гнізда.

З допомогою схеми усунення друзкоту контактів подаються одиночні імпульси на лічильник адреси каналу інформації натискаючи на кнопку. Фактично це є генератор одиночних імпульсів. Схема розроблена як RS-тригер, який дозволяє подати логічний «0» або логічну «1» на виходи і уникнути явища друзкоту контактів. Схема усунення друзкоту контактів має як прямі, так і інверсні виходи, але в нашому пристрої використовується тільки прямий вихід.

Для спостерігання поданого сигналу на вхід лічильника адреси каналу інформації призначено індикацію подачі імпульсу з одного світлодіоду. Індикація виконана у вигляді ключової схеми 1 - транзисторного ключа, в емітері якого під'єднаний світлодіод. При подачі сигналу натисканням кнопки можна спостерігати сигнал - логічний «0» або логічну «1».

Для набору адреси потрібного каналу інформації розроблено лічильник адреси каналу інформації. Він складається з лічильника на двох D-тригерах, які працюють в режимі зворотнього рахунку. При подачі імпульсу на його виходах змінюється двійковий код - 11, 10, 01, 00. Виходи лічильника адреси каналу інформації (прямі та інверсні) з'єднані з логічними елементами 3І (на базі 3І-НЕ-НЕ).

Для спостерігання набраного коду адреси є індикація коду адреси каналу інформації з 4-х світлодіодів. Вони показують прямий та інверсний код на виходах D - тригерів. Індикація виконана у вигляді ключової схеми 2 індикації коду адреси каналу інформації - транзисторного ключа, в емітері якого під'єднаний світлодіод.

Для спостерігання сигналів, які подаються на логічні елементи 3І, а саме коду адреси інформаційного каналу і самого інформаційного сигналує індикація з 12-ти світлодіодів. Індикація виконана у вигляді ключової схеми 3 адреси каналу інформації і інформаційного сигналу. Вона відображає наявність логічного «0» погашеним світлодіодом або лог. «1» світінням світлодіода. Індикація виконана у вигляді ключової схеми3 адреси каналу інформації і інформаційного сигналу. Індикація виконана у вигляді транзисторного ключа, в емітері якого під'єднаний світлодіод.

Опис схеми функціональної частини студента Михайляка А. - блок мультиплексування.

Для комутації одного інформаційного сигналу з декількох інформаційних входів до одного виходу призначені чотири логічні елементи 3І. Вони підключають на вихід той інформаційний канал, що присутній на вході логічного елементу 3І, на який подається одночасно ще дві лог. «1» з допомогою розробленого лічильника адреси каналу інформації. На інші лог. елементи надходить л ише одна лог. «1». Виходи лог. елементів 3І з'єднані з входами лог. елементу 4АБО.

Для спостерігання сигналів, які одержуються на виходах логічних елементів 3І і подаються на логічний елемент 4АБО розроблено ключову схему 4 кумотованого інформаційного сигналу і індикацію з чотирьох світлодіодів.

Для під'єднання одного з чотирьох інформаційних каналів на один вихід в стенді спроектовано один логічний елемент 4АБО.

Для відображення сигналу на виході елементу 4АБО є ключова схема 5 індикації виходу інформаційного сигналу і індикація виходу інформаційного каналу з одного світлодіоду.

Комутований сигнал одержується на виході інформаційного каналу у вигляді штирькового роз'єму. Він може бути використаний для його зняття з допомогою підключення, наприклад, осцилографа або передачі на інший пристрій.

Для живлення розробленого стенду є блок живлення стабілізованої напруги +5В. на передню панель з нього виведено 3 роз'єми «земля» і один «+». Вмикається пристрій з допомогою тумблера. Для захисту від перевантаження передбачено запобіжник.



4. Опис принципової електричної схеми

Електрична принципова схема лабораторного стенду

Даний лабораторний стенд призначений для дослідження роботи мультиплексора. Мультиплексори відносяться до пристроїв комутування цифрової інформації. Вони здійснюють комутацію одного з декількох інформаційних входів до одного виходу. Мультиплексори мають декілька інформаційних входів, адресні входи, вхід дозволу мультиплексування (стробуючий вхід) та один вихід.

Кожному з інформаційних входів мультиплексора відповідає номер, який називається адресою, двійкове число якого подається до адресних входів.

Число інформаційних входів n_інф і число адресних входів n_адр зв'язані співвідношенням: n_інф=2^nадр.

Робота мультиплексора базується на принципі роботи багато-входового лог. елементу І. Якщо виділити один вхід як інформаційний, а на всі решта входи подати високий потенціал, то на виході появлятиметься потенціал, що рівний інформаційному.

Розроблений мультиплексор побудований на логічних елементах 3І (на базі 3І-НЕ-НЕ). Він дозволяє здійснити комутацію одного з чотирьох вхідних сигналів на один вихід.

Для задання адреси одного із входів мультиплексора спроектовано генератор одиночних імпульсів (далі ГОІ) та дворозрядний лічильник адреси.

З допомогою ГОІ подається одиночний імпульс на вхід дворозрядного лічильника адреси.

Для подачі одиночного імпульсу використовується кнопка SВ1. Але при цьому виникає таке явище як друзкіт контактів. Це явище багаторазового неконтрольованого замикання і розмикання контактів в моменти їхнього замикання і розмикання. Це явище призводить до формування пачки імпульсів (замість необхідного одиночного імпульсу або перепаду напруги), що можуть викликати багаторазове непередбачуване спрацьовування схеми цифрового пристрою. Для усунення цього явища в стенді виконано схему усунення друзкоту контактів (ГОІ) на мікросхемі К155ЛА3 (DD1). Ця схема являє собою RS-тригер. Він побудований на логічних елементах 2І-НЕ, які містить мікросхема К155ЛА3. При натиску на кнопку одержимо на прямому виході логічну «1» (вивід 3 DD1.1). Інверсний вихід не використовується. При відпущеній кнопці на прямому виході маємо логічний «0».

Резистори R1 і R2 опором 1кОм призначені для обмеження напруги на мікросхемі.

Для задання адреси одного із 4-х каналів вхідної інформації в стенді використано лічильник на двох D-тригерах (DD2.1 і DD2.2). Він дозволяє при подачі на лічильний вхід С1 імпульсу з ГОІ змінювати дворозрядний код на виходах тригерів. Сигнал від ГОІ (з виводу 3 DD1.1 подається на вхід С1 першого тригера (вивід 3 DD2.1). Вхід С2 другого тригера (вивід 11 DD2.2) з'єднаний з інверсним виходом першого (вивід 6 DD2.1). Інверсні виходи кожного тригера (вивід 6 і 8) з'єднані з входами D1 і D2 відповідно (вивід 2 і 11). Тобто тригери працюють в лічильному режимі.

При подачі імпульсів на вхід С1 на прямих виходах тригерів (вивід 5 і 9) код буде змінюватись в такому порядку 11, 10, 01 і 00 (зворотній рахунок). Інверсні значення кодів отримаємо на виводах 6 і 8. Це дозволить задати адресу потрібного каналу передачі інформації.

Так як входи і D-тригерів не використовуються роботі, то на них потрібно подати сигнал лог. «1». Для цього вони під'єднані через резистори R37, R38, R39 і R40 опором 1кОм до проводу «+» пристрою.

На входи ST1, ST2, ST3 і ST4 подаються інформаційні сигнали, які потрібно передавати на один вихід ST5.

Перший тактовий імпульс, що передається на вхід лічильника С1 встановить тригери Т1 і Т2 в стан лог. «1». Тобто ми отримаємо на прямих виходах код «11».

Потенціал лог. «1» з'явиться на двох входах 4-го лог. елементу 3І-НЕ DD4.1 (на виводах 2 і 13). З інверсного виводу 12 DD4.1 сигнал подається на вивід 9 інвертора 4 на DD5.4, далі одержуємо інверсне значення на виводі 8 DD5.4.

Далі сигнал у вигляді лог. «1» поступає на інвертор DD6.4 (виводи 12 і 13 закорочені), інвертується в лог. «0» і поступає на вивід 5 DD7 елементу 3АБО-НЕ. На цей елемент з інших каналів будуть поступати лог. «1». На виході 6 DD7 одержимо лог. «0», який знову ж таки буде проінвертований на виході 10 DD5.5.

Отже при подачі інформаційного сигналу з ST4 на вивід 1 DD4.1 ми одержимо його ж на виводі 10 DD5.5. Таким чином буде здійснено мультиплексування входу ST4 на вихід ST5.

На всі інші логічні елементи 3І (на базі 3І-НЕ - НЕ) на входи не буде подано одночасно дві лог. «1». Отже під'єднання входів ST1, ST2 і ST3 до виходу ST5 не відбудеться.

Таким чином при заданні коду адреси на лічильниках «11» буде з'єднано вхід ST4 з виходом ST5.

Аналогічним чином здійснюється мультиплексування входів ST1, ST2 і ST3 з виходом ST5. Зв'язок буде отримано наступним чином:

Код на лічильнику	Під'єднаний вхід з виходом ST5
11	ST4
10	ST3
01	ST2
00	ST1

Для спостерігання поданих на входи та одержаних на виходах сигналів виконана схема індикації. Схема індикації містить резистори R3 - R24 2.4кОм, R25-R46 470Ом, транзистори VT1-VT23 КТ315И і світлодіоди HL1-HL23 відповідно в кожному блоці. Для відображення подачі лічильного імпульсу, коду адреси каналу інформації, поданих сигналів на логічні елементи 3І (на базі 3І-НЕ-НЕ), сигналу на входах ST1, SТ2, ST3, ST4 і виході ST5 виконано 22 блоки індикації.

Транзистори VT1 - V22 працюють в ключовому режимі. При подачі високого рівня напруги (сигнал лог. «1») транзистор КТ315И відкривається і струм проходить через світлодіод HL, який починає світитись.

Для індикації подачі живлення на лабораторний стенд передбачено світлодіод HL23, який включений у схему через резистор R41 опором 470Ом. Живлення 5В подається з тобомогою тумблера SА3. Лабораторний стенд живиться постійною напругою +5В.

5. Вибір і обґрунтування елементної бази

При проектуванні цифрових пристроїв однією з важливих задач є вибір елементів. Вибір елементної бази проводиться на основі схеми електричної принципової з урахуванням вимог викладених у технічному завданні. Експлуатаційна надійність елементної бази багато в чому визначається правильним вибором типу елементів при проектуванні (лабораторного стенду) і використанні в режимах, які не перевищують допустимі.

Для нашої схеми вибираємо резистори МЛТ-0.125 відповідних опорів. Резистор являє собою радіоелемент, який використовується в схемах в якості активного електричного опору і призначений для регулювання або обмеження струму в електричних ланцюгах. Для транзисторного ключа вибираємо резистори МЛТ - 0,125-2,4 кОм ± 5%

R5 - R7, R9 - R11, R13 - R15, R17 - R24, МЛТ - 0,125-2,2 кОм ± 5%, R27-

R29, R32 - R34, R38 - R40, R43 - R45, МЛТ - 0,125-470 Ом ± 5%.

А також R1 - R2, R37 - R41, МЛТ - 0,125- 1 кОм ± 5%

Для індикації поданих сигналів (логічного «0» або «1») вибираємо світлодіоди LED АЛ307Б діаметром 5 мм.

Технічні параметри АЛ307БМ, червоний

Колір світіння		червоний
Довжина хвилі, нм		655
Мінімальна сила світла Iv мин., мКд		0.9
Максимальна сила світла Iv макс., мКд		0.9
при струмі Iпр., мА		10
Видимий тілесний кут, град		20
Колір лінзи		червоний
Форма лінзи		кругла
Розмір лінзи, мм		5
Максимальна пряма напруга, В		2

Вибираємо транзистор КТ315И - кремнієвий біполярний транзистор, n-p-n провідності, в якості електронного ключа для індикації сигналів (VT1 - VT22).

Маса транзистора не більше 0,18 г.

Для увімкнення приладу та подачі цифрового коду на регістр використаємо тумблери МТ-1 (SA1). Вони призначені для ручної комутації низьковольтних електричних ланцюгів малої потужності, не потребуючі частого перемикання.

Найменування:	МТ 1
Тип:	Тумблер малогабаритний
Фіксація:	є
Кількість контактних груп:	1 «п»
Кількість контактів у контактній групі:	3
Алгоритм роботи:	OFF - (ON)
Опір ізолятора не менш, МОм:	1000
Опір контактів не більше, Ом:	0,05
Робоча напруга, В:	250
Робочий струм, А: Робоча температура,°С:	3 -60… 100
Спосіб монтажу:	на панель

Для подачі логічної «1» або «0» з допомогою тригерів використаємо кнопку КМ1-1 (SB1).

Для під'єднання досліджуваних мікросхем використаємо панельки DIP-14,

Тип монтованих компонентів: SCS

Кількість контактів: 14

Крок контактів: 2.54

Матеріал ізолятора: термопластичний полістирол

Опір ізолятора не менше, МОм: 1000

Матеріал контактів: фосф. бронза

Гніздо штирькове

Використаємо для під'єднання входів та виходів досліджуваних мікросхем гніздо штирькове (ST1-SТ9).

При проектуванні цифрових пристроїв однією з важливих задач є вибір серій мікросхем, які найбільш повно відповідають пред'явленим до них вимогам по швидкодії, енергоспоживанню, завадостійкості, навантажувальній здатності. Крім цих показників в розрахунок також приймають функціональний склад серій, конструктивне оформлення, стійкість мікросхем до зовнішніх дій і їх надійність.

Один із способів вибору серії полягає в порівнянні їх по найбільш важливим функціональним параметрам.

Для розроблюваного лабораторного стенду вибрано наступні мікросхеми: К155ЛА3, К155ЛН1, К155ТМ2, К155ЛА4, К155ЛА1

Мікросхема К155ЛА3

Мікросхема К155ЛА3 є, по суті, базовим елементом сто п'ятьдесят п'ята серії інтегральних мікросхем. Зовні по виконанню вона виконана в 14 вивідному DIP корпусі, на зовнішній стороні якого виконана маркування і ключ, що дозволяє визначити початок нумерації виводів (при вигляді зверху - від точки і проти годинникової стрілки). Мікросхема є чотири логічних елемента 2І-НЕ. Корпус К155ЛА3 типу 201.14-1, маса не більше 1 г і у КМ155ЛА3 типу 201.14-8, маса не більше 2,2 м

1	Номінальна напруга живлення	5 В 5%
2	Вихідна напруга низького рівня	не більше 0,4 В
3	Вихідна напруга високого рівня	не менше 2,4 В
4	Напруга на антізвонном діоді	не менше -1,5 В
5	Вхідний струм низького рівня	не більше -1,6 мА
6	Вхідний струм високого рівня	не більше 0,04 мА
7	Вхідний пробивний струм	не більше 1 мА
8	Струм короткого замикання	-18… - 55 мА
9	Струм споживання при низькому рівні вихідної напруги	не більше 22 мА
10	Струм споживання при високому рівні вихідної напруги	не більше 8 мА
11	Споживана статична потужність на один логічний елемент	не більше 19,7 мВт
12	Час затримки поширення при включенні	не більше 15 нс
13	Час затримки поширення при виключенні	не більше 22 нс

Закордонні аналоги мікросхеми SN7400N, SN7400J

Мікросхема К155ЛН1

Мікросхему використано для одержання інверсних значень з виходів Q0 - Q8 синхронного чотирьохрозрядного регістра К155ИР13.

Мікросхема представляє собою шість логічних елементів НЕ. Корпус К155ЛН1 типу 201.14-1, маса не більше 1 г і у КМ155ЛН1 типу 201.14-8, маса не більше 2,2 г.

1	Номінальна напруга живлення	5 В 5%
2	Вихідна напруга низького рівня	не більше 0,4 В
3	Вихідна напруга високого рівня	не менше 2,4 В
4	Вхідний струм низького рівня	не більше -1,6 мА
5	Вхідний струм високого рівня	не більше 0,04 мА
6	Вхідний пробивний струм	не більше 1 мА
7	Струм споживання при низькому рівні вихідної напруги	не більше 33 мА
8	Струм споживання при високому рівні вихідної напруги	не більше 12 мА
9	Споживана статична потужність на один логічний елемент	не більше 45,5 мВт
10	Час затримки поширення при включенні	не більше 15 нс
11	Час затримки поширення при виключенні	не більше 22 нс

Закордонні аналоги мікросхеми SN7404N, SN7404J.

Мікросхема К155ТМ2

Мікросхема К155ТМ2 являє собою два незалежних D-тригера, що спрацьовують по позитивному фронту тактового сигналу.

Інтегральна мікросхема серії ТТЛ. Мікросхеми К155ТМ2 являють собою 2 D-тригера. Містять 70 інтегральних елементів. Корпус типу 201.14-1, маса не більше 1 г.

1	Номінальна напруга живлення	5 В 5%
2	Вихідна напруга низького рівня	не більше 0,4 В
3	Вихідна напруга високого рівня	не менше 2,4 В
4	Напруга на антізвонном діоді	не менше -1,5 В
5	Вхідний струм низького рівня	по входах 2,4,10,12 по входах 1,3,11,13 не більше -1,6 мА не більше -3,2 мА
6	Вхідний струм високого рівня	по входах 2,12 по входах 4,3,11,10 не більше 0,04 мА не більше 0,08 мА
7	Вхідний пробивний струм	не більше 1 мА
8	Струм короткого замикання	-18… - 55 мА
9	Струм споживання	не більше 30 мА
10	Споживана статична потужність на один тригер	не більше 78,75 мВт
11	Час затримки поширення при включенні	не більше 40 нс
12	Час затримки поширення при виключенні	не більше 25 нс
13	Тактова частота	не більше 15 мГц

Закордонні аналоги мікросхеми (КМ155ТМ2, SN7474N)

Мікросхема К155ЛА4

Мікросхема є три логічних елемента 3І-НЕ. Корпус К155ЛА4 типу 201.14-1, маса не більше 1 г і у КМ155ЛА4 типу 201.14-8, маса не більше 2,2

1	Номінальна напруга живлення	5 В 5%
2	Вихідна напруга низького рівня	не більше 0,4 В
3	Вихідна напруга високого рівня	не менше 2,4 В
4	Напруга на антізвонном діоді	не менше -1,5 В
5	Вхідний струм низького рівня	не більше -1,6 мА
6	Вхідний струм високого рівня	не більше 0,04 мА
7	хідний пробивний струм	не більше 1 мА
8	Струм короткого замикання	-18… - 55 мА
9	Струм споживання при низькому рівні вихідної напруги	не більше 16,5 мА
10	Струм споживання при високому рівні вихідної напруги	не більше 6 мА
11	Споживана статична потужність на один логічний елемент	не більше 19,7 мВт
12	Час затримки поширення при включенні	не більше 15 нс
13	Час затримки поширення при виключенні	не більше 22 нс

Закордонні аналоги мікросхеми SN7410N, SN7410J

Мікросхема К155ЛА1

Мікросхема К155ЛА1 являє собою два логічних елемента 4И-НЕ в пластмасовому корпусі 201.14-1 (маса не більше 1 м). Зарубіжний аналог мікросхеми К155ЛА1 - SN7420. Мікросхема КМ155ЛА1 те ж саме, що і К155ЛА1, тільки в металокерамічному корпусі 201.14-8 (маса не більше 2,2 м). До складу цих мікросхем входить 30 інтегральних елементів.



1	Номінальна напруга живлення	5 В 5%
2	Вихідна напруга низького рівня	не більше 0,4 В
3	Вихідна напруга високого рівня	не менше 2,4 В
4	Напруга на антізвонном діоді	не менше -1,5 В
5	Перешкодостійкість	не більше 0,4 В
6	Вхідний струм низького рівня	не більше -1,6 мА
7	Вхідний струм високого рівня	не більше 0,04 мА
8	Вхідний пробивний струм	не більше 1 мА
9	Струм короткого замикання	-18… - 55 мА
10	Струм споживання при низькому рівні вихідної напруги	не більше 11 мА
11	Струм споживання при високому рівні вихідної напруги	не більше 4 мА
12	Споживана статична потужність на один логічний елемент	не більше 19,7 мВт
13	Час затримки поширення при включенні	не більше 15 нс
14	Час затримки поширення при виключенні	не більше 22 нс

Вітчизняні мікросхеми та зарубіжні аналоги Довідник. Перельман Б.Л., Шевельов В.І. «НТЦ Мікротих», 1998 р., 376 с. - ISBN-5-85823-006-7

6. Розрахунок конструктивно-технологічних параметрів друкованого монтажу

У даному розділі проводиться розрахунок параметрів друкованого монтажу плати базового модуля. Одностороння друкована плата виготовляється комбінованим позитивним методом і має 3-й клас точності.

Розрахуємо провідний малюнок друкованої плати.

Вихідні дані: розміри плати, мм, 165х85

У результаті розрахунку необхідно оцінити найбільш важливі електричні властивості друкованої плати:

навантажувальна здатність провідників;

опір ізоляції;

діелектрична міцність підстави плати.

Вихідні дані для розрахунку:

номінальна напруга живлення U_жив, В: 5 10%

припустиме спадання напруги в ланцюгах живлення U_сп,В: 0,1В

струм споживаний всіма елементами, встановлених на платі, I, А: 0,5А

максимальна довжина друкованого провідника для мікросхем, L, м: 0,15

товщина фольги друкованої плати, h, м: 3.5•10^-5

питомий опір провідника на друкованій платі,, Ом/м³: 1.72*10^-8

Визначимо мінімальну ширину провідника для обраних вище значень по формулі:

Таким чином, для нормальної роботи пристрою ширина друкованого провідника в ланцюгах «живлення» і «землі» повинна бути не менш 0,36 мм. Зазначені ланцюги доцільно вибрати шириною порядку 0,6 мм.

Результати розрахунку свідчать про правильність вибору товщини фольги, рівної 35 мкм. Товщина фольги вибиралася також з врахуванням максимальної адгезійної міцності друкованої плати при відстані між друкованими провідниками порядку 0.3…0.5 мм максимально допустиме напруження для текстоліту, з якого виготовлена плата складає не менш 50В. У даній принциповій схемі пристрою максимальне значення припустимої напруги не перевищує 5 В, що у 10 разів нижче припустимої величини. Таким чином, у розроблювальній конструкції друкованої плати забезпечується з 10-ти кратним запасом діелектрична міцність основи плати.



7. Розрахунок надійності лабораторного стенду

Під надійністю розуміють властивість виробу виконувати завдання, функції, зберігати свої експлуатаційні показники в заданих межах на протязі необхідного часу або потрібного напрацювання.

Надійність виробу обумовлюється його безвідмовністю, ремонтопридатністю, збереженістю, а також довговічністю його частин.

Надійність - це фізична властивість виробу, яка залежить від кількості і якості вхідних в нього елементів, від умов, в яких вона експлуатується (чим вища температура навколишнього середовища, чим більша відносна вологість повітря, перевантаження при вібраціях і т.д., тим менша надійність від ряду інших причин).

Розглянуте рішення дає якісну характеристику надійності. Щоб зрівняти різні типи виробів або екземпляри одного і того ж типу необхідно мати якісну характеристику надійності (вона включає в технічні завдання на розробку).

Приведемо визначення показників надійності, а також зв'язаних з нею понять.

Безвідмовність - здатність виробу зберігати працездатність протягом деякого напрацювання без вимушених перерв.

Ремонтоздатність - властивість виробу, що полягає в його пристосованості попередженню, виявленню й усуненню відмов і несправностей шляхом технічного обслуговування і ремонтів.

Здатність до зберігання - здатність виробу зберігати експлуатаційні показники протягом і після терміну збереження і транспортування, встановленого в технічній документації.

Відмова - подія, що полягає в порушенні працездатності.

Розрізняють повні відмови, коли стає неможливим подальше використання виробу, і часткові, при яких виріб може частково виконувати свої функції. На підприємствах одні відмови можуть привести до часткової чи повної зупинки процесу, одержанню браку, а інші, більш серйозні - навіть до аварій.

Довговічність - властивість виробу зберігати працездатність до граничного стану з необхідними перервами для технічного обслуговування, Показниками довговічності можуть бути ресурс, термін служби й інші.

Ресурс - наробіток виробу до граничного стану, обговореного в технічній документації. Розрізняють ресурс до першого ремонту, міжремонтний, призначений, середній і інші.

Термін служби - календарна тривалість експлуатації виробу до моменту виникнення граничного стану, обговореного в технічній документації, чи до списання виробу. Можна розрізняти термін служби до першого капітального ремонту, між капітальними ремонтами, до зняття з експлуатації.

Термін гарантії - період, протягом якого виготовлювач гарантує і забезпечує виконання установлених вимог до виробу за умови дотримання споживачем правил експлуатації, збереження і транспортування.

Гарантійний наробіток - наробіток виробу, до завершення якого виготовлювач гарантує і забезпечує (наприклад, - шляхом постачання комплекту запасних частин) виконання визначених вимог до виробу за умови дотримання споживачем правил експлуатації, збереження і транспортування.

Технічне обслуговування - контрольні перевірки і профілактичні огляди виробу, за результатами яких здійснюється його ремонт. Дня підвищення надійності виробу проміжки часу між перевірками й оглядами повинні бути менше наробітку на відмову.

Однією із характеристик надійності являється ймовірність безвідмовної роботи виробу на протязі інтервалу часу.

Ймовірність безвідмовної роботи показує, яка частина виробу буде працювати справно через час t після включення.

При обробці результатів випробувань час їх проведення розбивають на однакові інтервали . Для кожного к-го інтервалу визначають: - число негодних елементів в к-му інтервалі ; - число придатних елементів, що залишилися до початку к-інтервалу , тобто до , де к=1,2,3…; - число не придатних елементів за час .

Показники безвідмовності елементів визначаються по таких формулах:

– ймовірність відмови елементів за час

– ймовірність безвідмовної роботи елементів за час

– інтенсивність відмов елементів в момент

– середнє напрацювання до відмови

Для періоду нормальної експлуатації елементів, коли можна прийняти , показники безвідмовності можна вирахувати по формулах:

де е - основа натурального логарифму

В теорії надійності показано, що ймовірність безвідмовної роботи елементу з моменту до визначається:

Складемо таблицю інтенсивності відмов елементів лабораторного стенду.

Назва і тип елементу	Інтенсивність відмов				Ni
Резистори: 1) МЛТ - 0,125-1кОм 2) МЛТ - 0,125-470Ом 3) МЛТ - 0,125-2,2кОм	0,043 0,043 0,043	0,3 0,3 0,3	0,4 0,4 0,4	2,0 2,0 2,0	16 16 1	0,165 0,165 0,003096
Мікросхеми: 1) К155ЛА3 2) К155ТМ2 3) КМ155ЛА4 4) К155ЛН1 5) К155ЛА1	0,01 0,01 0,01 0,01 0,01	1 1 1 1 1	1 1 1 1 1	1 1 1 1 1	1 1 1 1 1	0,1 0,1 0,1 0,1 0,1
Світлодіоди: АЛ307БМ	0,2	0,4	0,6	2,0	17	1,632
Кнопки КМ1-1	0,25	1	1	1	7	1,75
Тумблер МТ1	0,015	1			0,015	0,015
Роз'єми Гніздо (роз'єми) штирькові	0,25	0,4	0,5	2,0	302	30
Транзистори КТ315И	0,5	0,2	0,2	2,0	16	0,64
З'єднання пайкою	0,004	0,1	3,0	5,0	330	1,98
Разом :

Розрахункова величина інтенсивності відмовлень I - го елемента, приведена в таблиці 2.1, визначається по формулі:

, 1/год.

Розрахунок виконується для періоду нормальної експлуатації при наступних допущеннях:

Відмовлення елементів випадкове і незалежний;

Враховуються тільки раптові відмовлення;

Має місце експонентний закон надійності пристрою.

Сумарне значення інтенсивності відмов 1/год.

Середній час роботи пристрою до першої відмови становить

Визначаємо значення ймовірності безвідмовної роботи протягом часу: 500, 1000… 10000 год.

Розрахункова формула:

Р (0) = 1.0000000000 Е+00

Р (500) = 0, 98182863

Р (1000) = 0,96398745

Р (1500) = 0,94647048

Р (2000) = 0,92927181

Р (2500) = 0,91238567

Р (3000) = 0,89580636

Р (3500) = 0,87952833

Р (4000) = 0,8635461

Р (4500) = 0,8478542

Р (5000) = 0,8324476

Р (5500) = 0,81732089

Р (6000) = 0,80246904

Р (6500) = 0,78788708

Р (7000) = 0,77357009

Р (7500) = 0,75951326

Р (8000) = 0,74571186

Р (8500) = 0,73216125

Р (9000) = 0,71885688

Р (9500) = 0,70579426

Р (10000) = 0,69296901

t	P
0	1
2000	0.929
4000	0.863
6000	0.802
8000	0.745
10000	0.692
12000	0.643
14000	0.598
16000	0.554
18000	0.515
20000	0.478
22000	0.44
24000	0.41
26000	0.38

8. Розрахунок технологічності виробу

Технологічністю конструкції називають таку якість виробу, при якій для даних технічних вимог до виробу і масштабу умов виробництва забезпечується найбільше швидке освоєння виробу, виготовлення потребує мінімальних матеріальних і трудових затрат, мінімальних економічних витрат.

Розрізняють виробничу і експлуатаційну технологічність. Виробнича технологічність конструкції проявляється у зменшенні затрат, засобів і часу на конструкторсько-технологічну підготовку виробництва і процес виготовлення, включаючи контроль і експеримент. Експлуатаційна технологічність проявляється в зменшенні затрат часу і засобів на технічне обслуговування і ремонт виробництва.

Для проведення роботи по підвищенню технологічності конструкції необхідно вміти оцінювати рівень технологічності. Розрізняють якісні і кількісні показники технологічності.

Якісні показники використовують на початкових етапах розробки і конструювання. До якісних характеристик конструкції відносяться: взаємозамінність, контролездатність, регулювальність, інструментальна доступність.

Кількісна оцінка здійснюється за допомогою системи показників які включають:

1) базові (початкові) значення показників технологічності конструкції;

2) значення показників технологічності, що досягнуті при розробці виробу;

3) значення нормативних комплексних показників згідно ГОСТ. (табл. 2.10.1)

Базові показники вказуються в технічному завданні або відомчих стандартах. (ГОСТ 14.201 - 83).

На підприємствах РЕА для оцінки технологічності конструкції виробу використовують систему оцінок згідно якої оцінка технологічності визначається по комплексному показнику технологічності і трудомісткості виготовлення виробу.

;

де,

k_i - розрахунковий базовий показник технологічності (деталі, складальної одиниці);

ц_i - коефіцієнти базової значимості базового показника;

і - порядковий номер показника в регенерованій послідовності;

n - число базових показників на стадії розробки.

Для електричних вузлів і пристроїв критеріями технологічностями являються коефіцієнт автоматизації і механізації, коефіцієнт настройки і регулювання і т.д.

До основних кількісних показників технологічності відносяться:

трудомісткість виготовлення - сумарна трудомісткість всіх технологічних процесів виготовлення складальної одиниці без куплених деталей;

технологічна собівартість - собівартість деталей, що визначаються сумою витрат на здійснення технологічного процесу виготовлення виробу без врахування куплених деталей.

До показників, що характеризують технологічну раціональність конструктивного рішення і повтореність конструкції, відносять:

· коефіцієнт уніфікації - відношення чисел уніфікованих складових частин до загальної кількості складових частин виробу без врахування стандартних кріпильних деталей;

· коефіцієнту стандартизації - відношення чисел стандартних складових частин виробу без врахування стандартних кріпильних деталей;

· коефіцієнт повторності - відношення кількості найменувань типорозмірів складових частин виробу без врахування стандарту кріпильних деталей.

Оцінки показників технологічності конструкції блоків поширюється тільки на виробничу технологічність на стадії дослідного зразку, установчої серії, або серійного виробництва.

Визначаємо показники технологічності виробу

Для оцінки технологічності вказаних груп необхідно визначити базові показники і необхідність їх врахування на певних етапах проектування.

Показники технологічності

Базовий показник технологічності	Формула показника технологічності	ці
Коефіцієнт використання мікросхем, мікропайок.		1,0
Коефіцієнт автоматизації і механізації монтажу виробу.		1,0
Коефіцієнт механізації підготовки ЕРЕ до монтажу.		0,75
Коефіцієнт механізації контролю і настроювання.		0,5
Коефіцієнт повторюваності ЕРЕ.		0,31
Коефіцієнт складності зборки		0,187
Коефіцієнт прогресивності формоутворення деталей.		0,11

Н_мс - загальні кількості МС; - загальна кількість ЕРЕ в штуках.

- кількість монтажних з'єднань, що здійснюються механізованим чи автоматизованим способом;

- загальна кількість монтажних з'єднань.

- кількість ЕРЕ в штуках, підготовка яких здійснюється механізованим чи автоматизованим способом;

Н_м.к.н - кількість операцій контролю і настроювання, що здійснюються механізованим чи автоматизованим способом;

Н_к.н. - загальна кількість операцій контролю і настроювання;

- кількість типорозмірів ЕРЕ у виробі, обумовлених габаритним розміром ЕРЕ;

- кількість типорозмірів складальних одиниць, що входять у виріб і потребують регулювання або настроювання в процесі зборки;

- загальна кількість типорозмірів складальних одиниць.

Д_пр Д - кількість деталей, заготовки яких, або вони самі одержанні прогресивними методами формоутворення і загальна кількість деталей без номінального кріплення.

Визначаємо комплексний показник технологічності

Основним показником, який використовується для оцінки технологічності конструкції, являється комплексний показник технологічності. Він визначається на основі базових показників по формулі. В розвернутому виді вона записується:

;

n - загальне число відносних показників в таблиці для стадії розробки;

і - порядковий ном8ер показника в порядку послідовності (місце в таблиці);

ц - функція, нормуючи вагову значимість в залежності від його порядкового номеру;

К - величина показника по таблиці базових показників відповідного класу блоків.

Проводимо оцінку рівня технологічності

Оцінка рівня технологічності розроблюваного виробу при відомому нормативі комплексного показника, згідно ГОСТ 14.201-73 виражається відношенням величини досягнутого показника до нормативу - Кн.

Це відношення повинно задовольняти умову:;

Нормативи показників технологічності в залежності від конструктивно - технологічних особливостей виробів представлені в таблиці 2.10.2 (відомчий стандарт ЧГО. 091. 219 для радіоелектронних спеціальностей).

Група апаратури (блоку)	Кн - стадія розробки робочої документації
	Дослідний зразок	Установча серія	Серійне виробництво
Електронні	0,40 ч 0,70	0,45 ч 0,75	0,5 ч 0,80
Радіотехнічні	0,40 ч 0,60	0,75 ч 0.80	0.80 ч 0,85
Електромеханічні і механічні	0,30 ч 0,50	0.40 ч 0,55	0.45 ч 0,60

Розроблюваний пристрій лабораторний стенд відноситься до електронних пристроїв отже = 0,7

Відношення К/К_Н > 1, отже, технологічність конструкції достатня.



9. Розробка методичних вказівок до лабораторної роботи «Вивчення роботи регістрів»

Тема роботи: Вивчення роботи регістрів.

Мета роботи: Ознайомитись з умовним графічним позначенням регістрів. Вивчити режими роботи регістру. Вивчити принцип роботи регістру.

1. Технічне завдання:

1.1. Для виконання роботи використати мікросхему К155 ИР13.

1.2. Дослідити роботу мікросхеми в наступних режимах:

- встановлення в «0»;

- послідовний запис, зсув вправо;

- послідовний запис, зсув вліво;

- паралельний запис;

- зберігання.

2. Опис роботи:

2.1. Теоретичні відомості.

Регістри - це пристрої, які виконують функції прийому, зберігання і передачі інформації у вигляді n-розрядного двійкового коду.

Основною класифікаційною ознакою регістрів є спосіб запису двійкового коду в регістр і його видача, тобто розрізняють паралельні, послідовні (зсувні) і паралельно-послідовні регістри. Паралельний регістр виконує операцію запису паралельним кодом.

Послідовний регістр здійснює запис послідовним кодом, починаючи з молодшого або старшого розряду, шляхом послідовного зсуву коду тактуючими імпульсами. Паралельно-послідовні регістри мають входи як для паралельного, так і для послідовного запису коду числа. Крім того, зсувні регістри діляться на одно- і двонаправлені.

Зсувний регістр може зсувати зафіксований код вліво (в сторону старших розрядів), або в право (в сторону молодших розрядів). Зсувний регістр, що має можливість змінювати напрям зсуву називається реверсивним. В залежності від напрямку зсуву звільнені розряди можуть заповнюватися нулями, одиницями, або розрядами іншого коду. Це означає, що регістр при зсуві може перетворювати послідовну подачу коду в паралельну видачу і навпаки, паралельну подачу в послідовну видачу. Існують регістри, які мають можливість інвертувати розряди поданого коду.

В загальному випадку регістр може виконувати наступні мікрооперації над кодовими словами:

· встановлення в початковий стан (запис нульового коду);

· запис вхідної інформації в послідовній формі;

· запис вхідної інформації в паралельній формі;

· зберігання інформації;

· зсув береженої інформації управо або вліво;

· видача береженої інформації в послідовній формі;

· видача береженої інформації в паралельній формі;

Основну масу регістрів, вживаних на практиці, представляють регістри зсуву, оскільки крім операції зберігання вони можуть здійснювати перетворення паралельного коду в послідовний і навпаки, прямого коду - в зворотний і навпаки, виконувати арифметичні і логічні операції, тимчасову затримку і розподіл частоти. Регістр можна отримати шляхом складання кількох тригерів, а число тригерів в них рівне максимальній розрядності збережених слів. Знизу показано послідовну та паралельну схеми з'єднань триггерів, відповідно до цього регістри називаються послідовними та паралельними.



Послідовний та паралельний регістри

2.2 Регістр К155 ИР13 представляє собою 8 розрядний реверсивний зсувний регістр з послідовним і паралельним записом інформації. Умовне графічне позначення регістру К155 ИР13 має вид:

В залежності від встановлюючих входів V1, V2 і R схема може працювати в наступних режимах:

Режим роботи	V1	V2	R	D+	D-	С
Встановлення в «0»	X	X	0	X	X	X
	Послідовний запис, зсув вправо	0	1	1	0/1	0

Размещено на http://www.allbest.ru/

Размещено на http://www.allbest.ru/

	Послідовний запис, зсув вліво	1	0	1	0	0/1

Размещено на http://www.allbest.ru/

Размещено на http://www.allbest.ru/

	Паралельний запис	1	1	1	0	0

Размещено на http://www.allbest.ru/

Размещено на http://www.allbest.ru/

Зберігання	0	0	1	0 X	X 0	X

В режимі паралельного запису, на входи Dl-D8 необхідно подати код, який необхідно записати.

2.3. Використовуючи лабораторний стенд встановити режими роботи згідно таблиці та перевірити правильність функціонування змонтованої схеми.

3. Контрольні запитання:

3.1. Які функції може виконувати регістр?

3.2. З яких елементів складається регістр?

3.3. В яких режимах може працювати даний регістр?

3.4. Області використання регістрів.

4. Зміст звіту:

4.1. Назва, тема і мета роботи.

4.2. Технічне завдання.

4.3. Умовне графічне позначення, призначення виводів.

4.4. Коди паралельного запису.

4.5. Коди послідовного запису з зсувом вліво і вправо.

4.6. Короткі висновки про роботу.



Література

Базовый принцип конструирования РЭА / Е.М. Парфенов, В.Ф. Афанасенко, В.И. Владимиров, Е.В. Саушкин; Под ред. Е.М. Парфенова. - М.: Радио и связь, 1981.

Варламов Р.Г. Компоновка радиоэлектронной аппаратуры. Изд. 2-е переработанное. - М.: Сов. радио, 1975.

Роткоп Л.Л., Спокойный Ю.Е. Обеспечение тепловых режимов при конструировании радиоэлектронной аппаратуры. - М.: Сов. радио, 1976.

Конструирование радиоэлектронных средств: Учеб. пособие для студентов специальности «Конструирование и технология радиоэлектронных средств» / Н.С. Образцов, В.Ф. Алексеев, С.Ф. Ковалевич и др.; Под ред. Н.С. Образцова. - Мн.: БГУИР, 1994.

Гелль П.П., Иванов-Есипович Н.К. Конструирование и микроминиатюризация радиоэлектронной аппаратуры. - Л.: Энергоатомиздат, 1984.

Справочник конструктора-приборостроителя. Проектирование. Основные нормы / В.Л. Соломахо, Р.И. Томилин, Б.И. Цитович, Л.Г. Юдовин. - Мн.: Выш.шк., 1988.

Поляков К.П. Конструирование приборов и устройств радиоэлектронной аппаратуры. - М.: Радио и связь, 1982.

Каленкович Н.И. и др. Механические воздействия и защита РЭС: Учеб.пособие для вузов / Н.И. Каленкович, Е.П. Фастовец, Ю.В. Шамгин. - Мн.: Выш.шк., 1989.

Хлопов Ю.Н., Боровиков С.М., Алефиренко В.М., Несмелов В.С., Алексеев В.Ф., Воробьева Ж.С., Образцов Н.С. Методическое пособие к курсовому проектированию по курсу «Конструирование и микроминиатюризация РЭА». - Мн.: РТИ, 1983.

Карпушин В.Б. Вибрации и удары в радиоэлектронной аппаратуре. - М.: Сов.радио, 1971.

Шимкович А.А. Механические воздействия и защита радиоэлектронных средств. Методическое пособие по курсу «Конструирование радиоэлектронных средств», Часть 2. - Мн.: РТИ, 1991.

Гурский М.С. Лаб. практикум по курсу «Инженерные методы защиты радиоэлектронных средств от дестабилизирующих факторов», Часть 1. - Мн.: БГУИР, 1984.

Парфенов Е.М. и др. Проектирование конструкций радиоэлектронной аппаратуры: Учеб.пособие для вузов / Е.М. Парфенов, Э.Н. Камышная, В.П. Усачев. - М.: Радио и связь, 1989.

Проектирование приборных панелей радиоэлектронной аппаратуры. Метод.пособие по курсу «Конструирование и микроминиатюризация радиоэлектронной аппаратуры» / Ю.В. Шамгин, В.М. Алефиренко, Е.П. Фастовец и др. - Мн.: МРТИ, 1976.

Введение в эргономику. / Под.ред. В.П. Зинченко. - М.: Сов.радио, 1974.

Разработка и оформление конструкторской документации РЭА / Под.ред. Э.Т. Романычевой. - М.: Радио и связь, 1989.

Проектирование приборных панелей радиоэлектронной аппаратуры. Метод.пособие по курсу «Конструирование и микроминиатюризация радиоэлектронной аппаратуры» / Ю.В. Шамгин, В.М. Алефиренко, Е.П. Фастовец и др. - Мн.: МРТИ, 1976.

Справочник. Полупроводниковые приборы: диоды выпрямительные, стабилитроны, тиристоры. / Под общей редакцией А.В. Голомедова - М.: Радио и связь, 1989.

Размещено на Allbest.ru