Особенность закона Мура и масштабирования интегральных схем

Рисунок 13 - «Электрокардиограмма» кристалла

Третьим интересным современным диагностическим методом Silicon Debug является активное воздействие на приборы при помощи лазера (Laser-Assisted Device Alteration). Основная идея метода -- лазер сканирует по поверхности кристалла работающей в режиме обычного (электронного) теста микросхемы, и когда луч попадает на элемент (транзистор), работающий в критическом режиме (с малым запасом надежности), тест дает сбой. Тем самым определяются наиболее «слабые» участки чипа, работа которых с наибольшей вероятностью приведет к сбою всей микросхемы. Этот тест можно разнообразить, меняя рабочие напряжения и частоты функционирования микросхемы во время лазерного сканирования.

Методы Laser Probe и Time-Resolved Emission широко применяются для обнаружения единичных отказов логики, сбоев из-за паразитных емкостных, индуктивных и резистивных перекрестных связей и из-за шума источника питания. Третий метод более эффективен при дефектах типа всплесков dI/dt, низковольтных колебаний и нестабильности питания (то есть там, где КМОП-ячейка недостаточно надежно фиксирует уровни логических 0 или 1). Разумеется, в дополнение к этим новейшим методам применяются и более традиционные, разрушающие способы диагностики структур -- см. врезку.

Рисунок 14 - Операция исправления багов

Итак, для проведения «нанохирургии» с обратной стороны кремниевого кристалла (в подложке) ступенчато вытравливаются углубления в форме квадратных обратных пирамид (рисунок 14). Для селективного травления используется сфокусированный ионный пучок и специальный газ-реагент. Точное место травления -- прямо «под» нужным элементом -- определяется оптическими методами, описанными выше, причем в процессе травления положение ямки постоянно уточняется и корректируется с тем, чтобы на финальной стадии небольшое (диаметром в единицы микрон и даже меньше) углубление попало точно в нужный металлический контакт (с обратной его стороны). После того как ямка «прорыта» до контакта со схемой, в нее «заливается» металл (например, вольфрам) -- до образования надежного электрического контакта со схемой. После этого полученные металлические контакты к разным участкам схемы можно соединить между собой в нужной последовательности, осаждая (напыляя) перемычки с тыльной стороны кремниевой пластины (см. фото) -- прямо как напайка дополнительных проводков на печатную плату.

Модифицированная таким способом электронная схема кристалла тщательно проверяется заново (включая оперативную бесконтактную диагностику), и если исправление дефектов первоначального проекта прошло успешно, разрабатываются новые фотошаблоны, учитывающие опробованные изменения. Если же процедура исправления не дала удовлетворительных результатов, «нанохирургическую» операцию можно повторять снова и снова (и занимает она, кстати, всего несколько часов) -- до тех пор, пока не найдется надежный путь исправления дефекта. Таким образом, экономится уйма времени и средств, которые бы ушли на исправление, если действовать традиционными методами (через новые фотомаски и кристаллы). Более того, этим способом можно быстро исправлять целую последовательность проблем, каждая из которых может быть обнаружена только после исправления предыдущей. И экономия тут будет просто колоссальная.

Кстати, для проведения подобных процедур прямо на готовых, помещенных в корпус кристаллах очень удобна именно та упаковка, которая применяется микропроцессорной индустрией последние несколько лет -- Flip-Chip (FC-BGA). В ней кристалл расположен подложкой кверху и все операции с обратной стороны чипа легко проводить даже при включенной в тестовый стенд микросхеме (а порой -- тут же установить исправленный кристалл в материнскую плату и запустить Windows -- это не шутка).

Описанный способ широко применяется при устранении проблем трех уровней: