P-N переходы

Подобные работы

1.   Типы интегральных схем
Принцип действия полупроводниковых диодов, свойства p-n перехода, диффузия и образование запирающего слоя. Применение диодов в качестве выпрямителей тока, свойства и применение транзисторов. Классификация и технология изготовления интегральных микросхем.
презентация [352,8 K], добавлена 29.05.2010
2.   Приборы полупроводниковые
Физические элементы полупроводниковых приборов. Электрический переход. Резкий переход. Плоскостной переход. Диффузионный переход. Планарный переход. Явления в полупроводниковых приборах. Виды полупроводниковых приборов. Элементы конструкции.
реферат [17,9 K], добавлена 14.02.2003
3.   Исследование ВАХ p-n-перехода в редакторе WorkBench
Составление измерительных схем для снятия характеристик опто-электронных приборов, содержащих p-n-переходы; регистрация напряжений и токов. Значения параметров цепи, получение ВАХ p-n-перехода, определение параметров перехода, моделирование работы схемы.
лабораторная работа [459,4 K], добавлена 23.12.2011
4.   Транзистор
Использование транзистора для обозначения портативных радиовещательных приемников на полупроводниковых приборах. Особенности субмикронных МОП-транзисторов. Уравнение электронейтральности для зарядов на единицу площади. Принцип действия МДП-транзистора.
реферат [44,1 K], добавлена 12.01.2010
5.   Полупроводниковые диоды
Работа полупроводниковых электронных приборов и интегральных микросхем. Некоторые положения и определения электронной теории твердого тела. Кристаллическое строение полупроводников. Электронно-дырочный переход. Вольтамперная характеристика п-р перехода.
лекция [196,9 K], добавлена 15.03.2009
6.   Вольтамперная характеристика p-n-перехода
Свойства полупроводниковых материалов, применяемых для производства транзисторов и диодов. Понятие электронно-дырочного перехода (n-p-перехода), определение его вольтамперной характеристики. Расчет зависимости плотности тока насыщения от температуры.
курсовая работа [612,5 K], добавлена 12.12.2011
7.   Изучение регистров
Временные диаграммы работы статических и динамических регистров. Схема для исследования работы регистров. Принцип работы и диаграммы регистра сдвига вправо на D-триггерах. Реализация i-го разряда реверсивного сдвигового регистра, анализ функционирования.
лабораторная работа [429,4 K], добавлена 01.12.2011
8.   Надежность изделий электронной техники
Расчёты показателей надёжности изделий электронной техники при заданных условиях. Защита микросхем от внешних дестабилизирующих факторов: температуры и влажности. Обеспечение теплового режима работы интегральных микросхем (гибридных и полупроводниковых).
курсовая работа [408,3 K], добавлена 19.03.2012
9.   Применение полупроводниковых приборов
Рассмотрение принципов работы полупроводников, биполярных и полевых транзисторов, полупроводниковых и туннельных диодов, стабилитронов, варикапов, варисторов, оптронов, тиристоров, фототиристоров, терморезисторов, полупроводниковых светодиодов.
реферат [72,5 K], добавлена 14.03.2010
10.   Полупроводники. Диоды, биполярные и униполярные (МОП) транзи-сторы. Свет. Светочувствительные и светоизлучающие устройства. Оптопары
Электропроводимость полупроводников. Образование электронно-дырочной проводимости и ее свойства. Условное обозначение полупроводниковых приборов, классификация и основные параметры. Биполярные и МОП транзисторы. Светоизлучающие приборы и оптопары.
лекция [1,8 M], добавлена 17.02.2011
11.   Расчет измерительных преобразователей. Полупроводниковый диод
Классификация и условные обозначения полупроводниковых диодов. Назначение, область применения и общий принцип их действия. Вольтамперная характеристика и основные параметры полупроводниковых диодов. Диод Есаки (туннельный диод) и его модификации.
курсовая работа [1,8 M], добавлена 19.10.2009
12.   Исследование рупорных антенн
Принцип действия рупорных антенн, расчет диаграммы направленности рупорной антенны на заданной частоте. Освоение методики измерения диаграммы направленности, поляризационной диаграммы рупорной антенны и коэффициента стоячей волны в фидерной линии.
контрольная работа [330,4 K], добавлена 04.03.2011
13.   Светоизлучающие диоды. Светодиодное освещение
Физические основы и принцип работы светоизлучающих диодов как полупроводниковых приборов, излучающих некогерентный свет. Применение и анализ преимуществ и недостатков светоизлучающего диода. Стоимость светодиодных ламп и перспективы использования в ЖКХ.
реферат [22,8 K], добавлена 03.03.2011
14.   Расчет и проектирование диода на основе кремния
Классификация, структура, принцип работы, обозначение и применение полупроводниковых диодов, их параметры. Расчет вольтамперных характеристик при малых плотностях тока. Особенности переходных характеристик диодов с р-базой. Методы производства диодов.
курсовая работа [923,5 K], добавлена 18.12.2009
15.   Электросхемы
История развития радиоприемных устройств. Принцип работы приемника. Обоснование выбора резисторов, конденсатора, микросхем. Разработка сборочного чертежа печатной платы. Организация рабочего места оператора при эксплуатации электронной аппаратуры.
дипломная работа [4,6 M], добавлена 09.01.2009
16.   Исследование электровакуумного триода в рамках виртуального эксперимента
История создания электронной лампы. Принципы устройств и работы электровакуумных приборов. Назначение и применение диодов и триодов. Основные виды электронной эмиссии. Физические процессы и токораспределение в триодах. Построение характеристик ламп в EWB.
курсовая работа [2,2 M], добавлена 15.12.2010
17.   Расчет распределения примесей в кремнии при кристаллизационной очистке
Физико-химические основы процессов микроэлектроники. Распределение примесей после зонной плавки. Расчет распределения примеси в полупроводнике после диффузионного отжига при различных условиях диффузии. Нахождение положения электронно-дырочного перехода.
курсовая работа [839,1 K], добавлена 30.10.2011
18.   Полупроводниковые преобразователи
Эксплуатация полупроводниковых преобразователей и устройств: недостатки полупроводниковых приборов, виды защит. Статические преобразователи электроэнергии: трансформаторы. Назначение, классификация, виды, конструкция. Работа трансформатора под нагрузкой.
лекция [190,2 K], добавлена 20.01.2010
19.   Резисторы
Схемотехнические параметры. Конструктивно–технологические данные. Классификация интегральных микросхем и их сравнение. Краткая характеристика полупроводниковых интегральных микросхем. Расчёт полупроводниковых резисторов, общие сведения об изготовлении.
курсовая работа [3,8 M], добавлена 13.01.2009
20.   Интегрированные устройства радиоэлектроники
Описание процесса термического окисления, цели его проведения и применяемое оборудование. Краткая характеристика и общее строение интегральной микросхемы. Последовательность формирования изолированных областей в изопланарной структуре транзистора.
реферат [314,3 K], добавлена 07.01.2011

Другие подобные документы