| главнаяреклама на сайтевакансииуслуги | Коллекция рефератов Otherreferats |
|
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||
Биполярный транзистор и его устройствоБиполярный транзистор — трёхэлектродный полупроводниковый прибор, разновидность транзистора. В активном режиме работы, транзистор включён так, что его эмиттерный переход смещён в прямом направлении, а коллекторный переход смещён в обратном направлении.
Отправить свою хорошую работу на сайт просто. Используйте форму, расположенную ниже.
Подобные работы1. Биполярный транзистор как трехэлектродный полупроводниковый прибор, один из типов транзистора, его отличительные характеристики, устройство и элементы. Принцип действия транзисторов и схема его включения. Входная и выходная характеристика транзистора. контрольная работа [234,3 K], добавлена 20.02.2011 2. Устройство и принцип действия биполярного транзистора, униполярного транзистора. Силовые полупроводниковые приборы, основные требования, предъявляемые к ним. Характеристика динисторов и транзисторов. Параметры предельных режимов работы транзисторов. лекция [424,0 K], добавлена 14.11.2008 3. Принцип действия биполярного транзистора. Его статические характеристики и эксплуатационные параметры. Температурные и частотные свойства транзистора. Эквивалентные схемы полевых транзисторов. Схематическое изображение ПТ с изолированным затвором. лекция [460,9 K], добавлена 15.03.2009 4. Биполярный транзистор с резистором в эмиттерной цепи, выбор и обоснование структурной схемы. Разработка принципиальной схемы, её описание и расчёт элементов, расчёт дифференциального усилителя и делителя напряжения. Разработка алгоритма и его описание. курсовая работа [1,3 M], добавлена 09.03.2012 5. Порядок получения входных и выходных характеристик транзистора. Методика и основные этапы сборки электрической схемы, определение измерения тока коллектора. Экспериментальное нахождение сопротивления по входной характеристике при изменении базового тока. лабораторная работа [39,8 K], добавлена 12.01.2010 6. Изучение методов построения зависимости прямого коэффициента усиления по току и анализ зависимости предельной частоты от тока эмиттера для кремниевого биполярного дрейфового транзистора. Этапы расчета частотных свойств биполярного дрейфового транзистора. лабораторная работа [68,3 K], добавлена 06.02.2010 7. Принцип работы полевого транзистора. Стоковые характеристики транзистора. Причина насыщения в стоковой характеристике полевого транзистора. Устройство полевого транзистора с управляющим p-n-переходом. Инверсия типа проводимости. лабораторная работа [37,8 K], добавлена 20.03.2007 8. Нахождение параметров нагрузки и количества каскадов усилителя. Статический режим работы выходного и входного множества. Выбор рабочей точки транзистора. Уменьшение сопротивления коллекторного и эмиттерного переходов при использовании ЭВМ-моделирования. курсовая работа [3,1 M], добавлена 29.01.2011 9. Получение входных и выходных характеристик транзистора. Включение биполярного транзистора по схеме с общим эмиттером. Проведение измерения тока базы, напряжения база-эмиттер и тока эмиттера для значений напряжения источника. Расчет коллекторного тока. лабораторная работа [76,2 K], добавлена 12.01.2010 10. Использование биполярных транзисторов. Назначение элементов в схемах усилителей с общим эмиттером и коллектором. Температурная стабилизация и форма кривой выходного напряжения. Расчет коэффициентов усиления по току, напряжению и входному сопротивлению. контрольная работа [2,1 M], добавлена 15.02.2011 11. Характеристика біполярного транзистора - напівпровідникового елементу електронних схем, з трьома електродами, один з яких служить для керування струмом між двома іншими. Особливості принципу роботи, технології виготовлення на прикладі транзистора-КТ3107. реферат [18,3 K], добавлена 02.02.2010 12. Історія створення напівпровідникового тріоду, або транзистора, загальні відомості та його значення для розвитку напівпровідникової електроніки. Розгляд схем включення та принципів дії транзисторів. Вплив температури на роботу біполярного транзистора. курсовая работа [161,3 K], добавлена 19.12.2010 13. Структура и параметры МДП-транзистора с индуцированным каналом, его топология и поперечное сечение. Выбор длины канала, диэлектрика под затвором транзистора, удельного сопротивления подложки. Расчет порогового напряжения, крутизны характеристики передачи. курсовая работа [1,1 M], добавлена 24.11.2010 14. Параметры транзистора МП–40А, чертеж его основных выводов. Входная и выходная характеристики данного транзистора. Определение параметров для схемы с общим эмиттером. Схема с общим коллектором и общей базой. Расчет параметров для соответствующей схемы. контрольная работа [642,0 K], добавлена 28.03.2011 15. Изучение структуры и особенностей дрейфового транзистора. Физические процессы, происходящие в его базе при низком уровне инжекции и при больших плотностях тока. Влияние неравномерного распределения примесей в базе на параметры дрейфового транзистора. курсовая работа [727,8 K], добавлена 25.09.2010 16. Дефекты реальных кристаллов, принцип работы биполярных транзисторов. Искажение кристаллической решетки в твердых растворах внедрения и замещения. Поверхностные явления в полупроводниках. Параметры транзистора и коэффициент передачи тока эмиттера. контрольная работа [2,9 M], добавлена 22.10.2009 17. Решение задач по электротехнике. Расчет выпрямителя источников электропитания электронных устройств. Расчет электронного усилителя. Определение режима работы транзистора. Наращивание размерности мультиплексоров. Сигналы настройки для мультиплексоров. контрольная работа [1,1 M], добавлена 19.12.2009 18. Определение относительной концентрации атомов донорной примеси полупроводника, уменьшение концентрации избыточных электронов на расстоянии; удельные сопротивления областей полупроводника. Режим работы и схема включения транзистора, полярность напряжений. контрольная работа [982,1 K], добавлена 12.01.2012 19. Определение максимального и минимального значений выпрямленного сетевого напряжения, диаграммы работы преобразователя. Выбор выпрямительных диодов, трансформатора, транзистора, выпрямителя и элементов узла управления. Расчет демпфирующей цепи и КПД. курсовая работа [392,9 K], добавлена 18.02.2010 20. Поняття хімічного елементу. Утворення напівпровідників та їх властивості. Електронно-дірковий перехід. Випрямлення перемінного струму, аналіз роботи тиристора. Підсилення електричного сигналу, включення біполярного транзистора в режимі підсилення напруги. лекция [119,4 K], добавлена 25.02.2011 Другие подобные документы
Рекомендуем!
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||
© ООО "Олбест" 2009 – 2011 Все права на базы данных защищены. |
база знаний |