Рис.3.6. АСМ изображение поверхности образца N8: а - топографическое, б - пространственное.

(а) (б)

Рис. 3.7. АСМ изображение поверхности образца N8: а - топографическое изображение, б - фазовый контраст

Образец D5 . Исследование морфологии поверхности образца D5 полученного при Т_s= 1130 ^оС показывает, что пленка формируется в однородной фазе.

(а) (б)

Рис. 3.8. АСМ изображение поверхности образца D5: а - топографическое, б - пространственное

Средий перепад высот образца D5 составляет 70 нм, шероховатость составляет 6,7 нм.

Образец Р3. Образец P3 полученный при той же температуре, что и D5 и далее отожгли его в вакууме при T=1480 ^оС в течении 20 минут. Рисунок 3.9 показывает нам поверхность данного образца, сформированную после отжига. Поверхность образца сформировалась в виде террас, свойственное механизму роста в виде спирали. Террасы на поверхности пленки SiC имеет перепад высот со средними размерами в 5 нм.

(а) (б)

Рис. 3.9. АСМ изображение поверхности образца P3: а -топографическое, б - оптическое

На рисунке 3.10 приведен профиль сечения дефекта роста на поверхности SiC, глубиной 1,8 мкм, шириной грани в 2,3 мкм.

Рис. 3.10. АСМ изображение поверхности образца K7: а - топографическое, б - профиль сечения.

Для определения достоверности было произведено исследование поверхности данной пленки с помощью РЭМ (рисунок 3.11), анализ которого подтверждает полученные результаты АСМ.

Рис. 3.11. РЭМ изображение поверхности образца K7

Заключение

В результате исследования АСМ пленок SiC на подложках 6H - SiC было выявлено увеличение процесса консолидации центров роста на поверхности образцов при температурах подложки от 1000 до 1180 ^oС.

При формировании пленки твердый раствор SiC на подложке 6H - SiC с ростом ее температуры от 1000 до 1350К возникают дефекты, которые имеют форму характерные структуре подложки 6H - SiC.

Результаты и методы исследования морфологии и свойств пленок на основе SiC могут быть использованы при дальнейшей разработке оптимальных технологических режимов их получения.

Литература

Давиташвили О.И., Долгинов Л.М., Елисеев П.Г., Засавицский И.Н., Шотов А.П. Многокомпонентные твердые растворы соединений А₄ В₄.// Квантовая электроника, 1977.- Т.4.- С. 904-907.

2. Горюнова Н.А. Сложные алмазоподобные полупроводники.- М.: Сов. радио, 1968.- С. 266.

Маделунг О. Физика полупроводниковых соединений элементов III и V группы. - М.: Мир, 1967.

Антипас Д.А., Мун Р.Д., Джеймс Л.У., Эфиекамб Д. Четверные соединения А₃ В₅, А₂ В₆.- Материалы для оптоэлектроники.-М.: Мир, 1976.- С. 122-130.

Buruham R., Holonyan N. // Appl. Phys. 1979. V.50.- NII.- P. 6902 - 6906.

Долгинов Л.М., Елисеев П.Г., Мильвидский М.Г. Многокомпонентные полупроводниковые твердые растворы и их применение в лазерах (обзор). // Квантовая электроника, 1976.- Т.3.- №7.- С. 1381-1393.

Косолапова Т.Я., Андреева Т.В., Бартницская Т.С. Неметаллические тугоплавкие соединения.- М.: Металлургия, 1985.

8. Мохов Е.Н., Водаков Ю.А., Ломакина Г.А. Проблемы управляемого получения легированных структур на базе карбида кремния. - В кн. Проблемы физики и технологии широкозонных полупроводников. -Л.: Наука, 1980.- С. 136-149.

Breitschwerdt K.G. Characteristics of diffused p-n-junctions in epitakial ayers. - IEE Trans, 1965, V.ED - 12. №1.- Р.13-19.

Офицерова Н.В./ Автореферат канд. дис. Махачкала, ДГУ, 1996.- 26 С.

Singh V.A. Phenomenology of Solid Solibilities and ion-implantation sites:An orbital radio approach. Phys.Rev.,1982.-V. 36. -№8.- Р. 217-221.

Simons G., Bloch A.N. Pauli-force model potential fop solids.- Phys. Rev.B., 1982. -V. 37.- №6.- P. 2754-2758.

Iohnson O., Schock R.N. The 4H - polytype of silver jodid - Acta cryst. B. 1975.- V. 31.- pt. 5.- P. 1482 -1485.

Hacskay M.Ionic radius - lattice defect model for the distribution coefficient in Si, Ge and III-V compounds - Phys. st. sol.(a), 1973.-V.I.- № 2.- P.497-501.

Philips I.C. Bonds and Bondc in semiconductors. - N.Y. - N.Y.London: Academica Press, 1973. -P.281.

Сафаралиев Г.К./Докторская диссертация.- Баку, 1988.

St. Iohn I., Bloch A.N. Quantum - defect electronegativity scale for nontransition elements. - Phys. Rev. hett., 1974.-V. 33.- № 18.- P.1095-1102.

Ормонт Б.Ф. Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников. - М: Высшая школа, 1982.- 528 С.

Корицкий Ю.В., Пасынков В.В., Тареева Б.М. Справочник по электротехническим материалам. Т.3.- Л.: Энергоатомиздат, 1988.- 726 С.

Сорокин Н.Д. Оценка параметров диффузии атомов в минералах. /Геохимия, 1982.- №5.- С. 619-629

Сафаралиев Г.К., Суханек Г.К., Таиров Ю.М., Цветков В.Ф. Критерии образования твердых растворов на основе карбида кремния.// Изв. АН СССР, Неорганические материалы, 1986. -Т.22.- вып. 11 - С. 1839-1841.

Сафаралиев Г.К., Таиров Ю.М., Цветков В.Ф., Шабанов Ш.Ш. Исследование растворимости и диффузии в системах SiC - NbC, SiC - TiC, SiC - ZrC.// Письма в ЖТФ, 1991.- Т.17.- вып.23.- С. 80-83.

Размещено на Allbest.ru