Точкові дефекти і фізико-хімічні властивості CdTe, HgTe та твердих розчинів на їх основі
Розробка кристалохімічних моделей домінуючих точкових дефектів у кристалах бінарних сполук CdTe, HgTe. Аналіз механізмів утворення на їх основі твердих розчинів, що визначають властивості матеріалу, необхідні для пристроїв напівпровідникової техніки.
| Рубрика | Химия |
| Вид | автореферат |
| Язык | украинский |
| Дата добавления | 29.10.2015 |
| Размер файла | 89,6 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Показано, что уменьшение плотности, увеличение концентрации электронов твердого раствора CdxHg1-xTe с ростом в составе CdTe свидетельствуют о замещении ионами кадмия вакансий меркурия.
Методом квазихимического моделирования установлено, что преобладающими точечными дефектами в твердых растворах CdxHg1-xTe при отклонении от стехиометрического состава в сторону теллура являются вакансии меркурия: , , , концентрацию которых можно регулировать отжигом в паре ртути.
Предложены кристаллоквазихимические уравнения дефетообразования в твердых растворах n-Cd1-xZnxTe на основании которых вычислили концентрации точечных дефектов и носителей заряда. Установлено, что для системы преобладают механизмы замещения вакансий у катионной подрешётке основной матрицы и доминирование вакансий теллура . Определены формы присутствия кислорода и типа собственных точечных дефектов в слитках, выращенных методом Бриджмена.
Предложены модели и механизмы образования твердых растворов в системе CdTe-MnTe. Установлено, что преобладающим механизмом образования твердого раствора Cd1-xMnxTe (0,0х0,2) следует считать замещение катионных вакансий. При этом преобладающими акцепторами в Cd1-xMnxTe являются вакансии кадмия . Рассчитаны значения холловской концентрации носителей заряда, хорошо соответствуют экспериментальным данным.
Оптимизировано технологические факторы синтеза, выращивания и отжига (температура Т, парциальное давление pHg, pCd) кристаллов CdTe, HgTe, и состав твердых растворов CdхHg1-хTe (0,1 < х < 0,3), Cd1-xZnxTe (0,0х0,2), Cd1-xMn-xTe (0,0х0,2), которые обеспечивают получение материала n- и p-типа проводимости с заданной концентрацией носителей заряда, необходимых для применения в полупроводниковых приборных структурах.
Ключевые слова: точечные дефекты, меркурий теллурид, кадмий теллурид, твердые растворы, кристаллоквазихимия, квазихимия.
Dmytriv A.M. The Point defects and physical-chemical properties CdTe, HgTe and hard solutions on their basis. - Manuscript.
Thesis for a Candidate's degree of Chemical Sciences by spesiality 02.00.21. - Chemistry of Solid State. - `Vasyl Stefanyk' Precarpathian National University, Ivano-Frankivsk, 2006.
The thesis is devoted to the research of nature of point defects and mechanisms of their formation in the CdTe, HgTe crystals and hard solutions CdxHg1-xTe, Cd1-xZnxTe, Cd1-xMnxTe.
Crystalquasichemical equations of imperfect subsystem of the nonstechiometrical CdTe, HgTe n- and p-type of conductivity, on the basis of which the change of concentration of point defects and transmitters of current is calculated within the limits of the field of homogeneity, are first offered.
The generalized equations are received for the determination of dependence of free transmitters of charge concentration, for dominant point defects and Holl's concentration of transmitters of current for the crystals HgTe<Hg> at twotemperatured annealing in the pair of mercury on the basis of law of operating the masses and quasichemical reactions of the defect-formation. New constants of equilibrium and enthalpy of defect-formation are calculated and the known ones are specified.
It is set that the vacancies of mercury prevail in the hard solutions CdxHg1-xTe (0,1 х 0,3): , , concentration of which in material may be regulated by annealing in the pair of mercury with the possible inversion of the conductivity type.
Crystalquasichemical equations of prevailing mechanisms of hard solution formation on the basis of cadmium telluride of n-type in the СdTe-ZnTe system and p-type in the СdTe-MnTe system are first offered. It is shown, that the electron concentration in hard solutions of n-Cd1-xZnxTe (0,0 х 0,2) is mostly determined by the vacancies of tellurium . Simultaneously the background admixture of oxygen has a ponderable influence on an imperfect subsystem. In p-Cd1-xMnxTe the singly charged vacancies of cadmium , efficiency of which grows with the increase of the abovestechiometry of tellurium in an initial matrix and diminishes with the growth of the MnTe contents, are dominant acceptors.
Keywords: point defects, cadmium of telluride, mercury telluride, hard solutions, crystalquasichemical evening, antistructure.
Размещено на Allbest.ru
Подобные документы
Методика розробки методів синтезу високотемпературних надпровідників. Сутність хімічного модифікування і створення ефективних центрів спінінга. Синтез, структурно-графічні властивості та рентгенографічний аналіз твердих розчинів LaBa2Cu3O7 та SmBa2Cu3O7.
дипломная работа [309,3 K], добавлен 27.02.2010Методика синтезу полікристалічних високотемпературних надпровідників. Основні відомості з фізики рентгенівських променів та способи їх реєстрації. Синтез твердих розчинів LnBa2Cu3O7, їх структурно-графічні властивості і вміст рідкісноземельних елементів.
дипломная работа [654,6 K], добавлен 27.02.2010Характерні властивості розчинів високополімерів, висока в'язкість як їх головна особливість, визначення її розмірності, залежності від концентрації. Внутрішнє тертя в текучій рідині. Схема утворення гелів і студнів, зменшення в'язкості високополімерів.
контрольная работа [288,3 K], добавлен 14.09.2010Дисперсна фаза - частина дисперсної системи, яка рівномірно розподілена в об’ємі іншої, ступінь диспергованості розчину. Теорії розчинів. Поняття розчинності та її вимірювання для газів, рідин, твердих речовин. Осмотичний тиск. Електролітична дисоціація.
лекция [295,3 K], добавлен 12.12.2011Методи роботи в лабораторії. Функції і призначення хімічного посуду. Визначення концентрації розчинів різними способами. Приготування титрованих розчинів. Ваги у хімічній лабораторії. Виконання модельних експериментів. Основні прийоми роботи в Mathcad.
отчет по практике [109,4 K], добавлен 06.12.2010Хімічні дефекти кристалічної решітки-це відхилення від правильної форми кристала, пов'язані із впливом домішок. Типи хімічних дефектів: змішані кристали; центри фарбування в йонних кристалах; електронна провідність у напівпровідникових з'єднаннях.
практическая работа [672,0 K], добавлен 17.10.2008Кількісна характеристика процесу дисоціації. Дослідження речовин на електропровідність. Закон розбавлення Оствальду. Дисоціація сполук з ковалентним полярним зв’язком. Хімічні властивості розчинів електролітів. Причини дисоціації речовин у воді.
презентация [44,5 M], добавлен 07.11.2013Класифікація металів, особливості їх будови. Поширення у природі лужних металів, їх фізичні та хімічні властивості. Застосування сполук лужних металів. Сполуки s-металів ІІА-підгрупи та їх властивості. Види жорсткості, її вимірювання та усунення.
курсовая работа [425,9 K], добавлен 09.11.2009Фізичні та хімічні властивості боранів. Різноманітність бінарних сполук бору з гідрогеном, можливість їх використання у різноманітних процесах синтезу та як реактивне паливо. Використання бору та його сполук як гідриручих агентів для вулканізації каучука.
реферат [42,4 K], добавлен 26.08.2014Основні принципи дизайну координаційних полімерів. Електронна будова та фізико-хімічні властивості піразолу та тріазолу. Координаційні сполуки на основі похідних 4-заміщених 1,2,4-тріазолів. Одержання 4-(3,5-диметил-1Н-піразол-4-іл)-4Н-1,2,4-тріазолу.
курсовая работа [1,5 M], добавлен 29.12.2011
